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GlobalFoundries成功流片基于ARM Cortex-A9双核心处理器装置
时间：2010-09-06 10:25:07
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[导读]GlobalFoundries今天在自家举办的全球技术大会上宣布，已经成功流片了基于ARM Cortex-A9双核心处理器的技术质量检验装置（TQV），而且第一家使用了28nm HP高性能工艺、HKMG（高K金属栅极）技术。GF透露，这次TQV是今
GlobalFoundries今天在自家举办的全球技术大会上宣布，已经成功流片了基于ARM Cortex-A9双核心处理器的技术质量检验装置（TQV），而且第一家使用了28nm HP高性能工艺、HKMG（高K金属栅极）技术。
GF透露，这次TQV是今年八月份在位于德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂内完成的，使用了一整套优化的ARM Cortex-A9物理IP，能从每一个方面模拟真正的SoC产品，从而实现最大程度的频率分析、缩短产品设计周期的时间，还有完整的可测性设计（DFT）。
据透露，新处理器的工作频率在2.0-2.5GHz之间，比上代40nm工艺版本快了500MHz左右，性能也有明显提升。
GF、ARM估计，相比于40nm工艺，新的28nm工艺制造平台能带来40％的计算性能提升、30％的功耗下降、100％的待机电池续航能力提升。
这也是GF、ARM去年十月宣布的战略合作的一部分。GF预计今年年底拿出新处理器的实际样品。
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