当前位置:首页 > 单片机 > 单片机
[导读]1. 读取半字(16位)函数//读取指定地址的半字(16位数据)//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)//返回值:对应数据.u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr){return *(vu16*)faddr;}2. 不进行检查的直接写入//不检查的

1. 读取半字(16位)函数

//读取指定地址的半字(16位数据)

//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)

//返回值:对应数据.

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)

{

return *(vu16*)faddr;

}

2. 不进行检查的直接写入

//不检查的写入

//WriteAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数

void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)

{

u16 i;

for(i=0;i

{

FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);

WriteAddr+=2;//地址增加2.一次写入一个半字(16位数)

}

}

3. 从指定地址读取指定长度的数据

//从指定地址开始读出指定长度的数据

//ReadAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)

{

u16 i;

for(i=0;i

{

pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.

ReadAddr+=2;//偏移2个字节.

}

}

4.从指定地址开始写入指定长度的数据

程序的思路





//从指定地址开始写入指定长度的数据

//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)

#if STM32_FLASH_SIZE<256

#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节

#else

#define STM_SECTOR_SIZE 2048

#endif

u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)

{

u32 secpos; //扇区地址

u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)

u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)

u16 i;

u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址

if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址 ,先确定所要写的地址是不是非法地址

FLASH_Unlock(); //解锁


offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.

secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6,确定在哪个页或扇区

secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)

secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小

if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围

while(1)

{

STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容,读到STMFLASH_BUF中

for(i=0;i

{

if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除

}

if(i上面的校验在中途退出,i一定是小于secremain,否则全部校验成功应该是等于secremain.

{

FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区

for(i=0;i

{

STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i]; //把需要更新的数据写到数组

}

STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区

}

elseSTMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.

if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了

else//写入未结束

{

secpos++; //扇区地址增1

secoff=0; //偏移位置为0

pBuffer+=secremain; //指针偏移

WriteAddr+=secremain; //写地址偏移

NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减

if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完

else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了

}

};

FLASH_Lock();//上锁

}


本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

西班牙塞维利亚,2024年3月12日 — Teledyne Technologies旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该...

关键字: 图像传感器 Flash 摄像机

在这篇文章中,小编将为大家带来JTAG接口与Flash的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。

关键字: JTAG Flash

近日,第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳召开,兆易创新Flash事业部产品市场经理张静在会上发布了主题为“持续开拓,兆易新一代存储产品助力行业创新”的演讲。

关键字: 兆易创新 Flash 闪存

随着信息技术的快速发展,存储器的需求日益增长。Flash存储器作为一种非易失性存储器,具有重要的应用价值和广泛的应用领域。本文将详细介绍Flash存储器的基本原理、工作方式和作用,帮助读者更好地了解这一重要的存储器技术。

关键字: Flash 汽车 电子设备

随着信息时代的到来,数据存储成为了一项基本需求。Flash存储器成为了一种常见的存储设备,用于存储各种类型的数据,如文档、图片、视频等。本文将详细介绍如何使用Flash存储器以及如何写入数据,帮助读者了解Flash存储器...

关键字: Flash 存储器 数据

随着科技的不断发展,Flash存储器已经成为存储设备中最常用的一种类型。它具有非易失性、高密度、低功耗和快速读写等特点,广泛应用于各种领域,如移动设备、嵌入式系统和存储芯片等。本文将介绍Flash存储器的编程设计以及一些...

关键字: 存储器 Flash 嵌入式

(全球TMT2023年7月28日讯)2023年7月28日,江波龙上海总部项目封顶仪式在中国(上海)自由贸易试验区临港新片区举行。江波龙上海总部位于临港新片区滴水湖科创总部湾核心区,项目于2021年启动建设,占地面积约1...

关键字: 存储芯片 数据中心 芯片设计 Flash

昨天下午,中国市场监管总局附加限制性条件批准了美国半导体公司迈凌(MaxLinear)对全球最大 NAND Flash 控制芯片供应商慧荣科技(SMI)的收购。

关键字: 迈凌 慧荣 芯片 NAND Flash

Flash存储器,也称为闪存存储器,是一种非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在设备断电后仍然能够保持存储的数据。它的名称来源于一种称为“闪存技术”的特殊电子存储技术。Flash存储器的...

关键字: Flash 存储器 电荷贮存器

据业内信息统计数据,2023 年第一季度 NAND-Flash 存储市场的营收或将持续下滑,除了传统的淡季影响之外,还和过去两年的市场影响以及双边制裁等因素有关。据悉,NAND-Flash 存储市场去年不断下跌,最后一个...

关键字: NAND Flash 闪存 三星 美光 SK 海力士 铠侠
关闭
关闭