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30V功率晶体管（ST）
时间：2009-04-09 10:21:05
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[导读]意法半导体(ST)推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管，导通电阻仅为2毫欧(最大值)，新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。采用意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE制造工艺，单元密度提高，以有效芯片尺
意法半导体(ST)推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管，导通电阻仅为2毫欧(最大值)，新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。
采用意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE制造工艺，单元密度提高，以有效芯片尺寸对比，新产品实现业内最佳的导通电阻RDS(ON)，比上一代产品改进大约20个百分点，开关稳压器和直流-直流转换器内因此可以使用小尺寸的贴装功率封装。这项技术还得益于本身既有的低栅电荷量特性，这项优点让设计人员可以使用高开关频率，在产品设计中选用尺寸更小的无源器件，如电感和电容。
意法半导体新30V表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装，包括SO-8、DPAK、5×6mm PowerFLAT、3.3×3.3mm PowerFLAT、PolarPAK?、通孔IPAK和SOT23-6L，兼容现有的焊盘/引脚布局，同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的STripFET VI DeepGATE产品系列可以创造出最大的市场机遇。
首批采用新工艺的产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5×6mm PowerFLAT封装，单位面积导通电阻RDS(ON)达到市场最低水平；STD150N3LLH6采用DPAK封装，导通电阻 RDS(ON)为2.4毫欧。
两款产品的样片都已上市，计划2009年6月开始量产。
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