新一代功率半导体氧化镓：提供外延晶圆

日本风险企业Novel Crystal Technology公司(总部：埼玉县狭山市)于2015年10月开始销售新一代功率半导体材料之一——氧化镓的外延晶圆(β型Ga2O3)。这款晶圆是日本信息通信研究机构(NICT)、日本东京农工大学和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是从田村制作所分离出来的风险企业，定位于“NICT技术转移企业”。该公司的目标是2016年度实现销售额6000万日元，2020年度实现销售额7亿日元，2025年度实现销售额80亿日元。

与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC(碳化硅)及GaN(氮化镓)相比，氧化镓可以低成本制造高耐压、低损耗的功率半导体元件(以下简称功率元件)，因此颇受关注。

功率器件用的外延晶圆需要具备两个条件，一是外延层表面的平坦性，二是控制低载流子浓度区域的浓度。此次采用了使用臭氧的“臭氧MBE法”成膜法。优化了结晶面的方位、掺杂剂的种类、生长温度、原料供应量等生长参数。能够实现1nm以下的表面粗糙度，并可获得1016/cm3载流子浓度区域。现已确认利用此次的外延晶圆，可以制造肖特基二极管(SBD)和晶体管。