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电容的简化模型和阻抗曲线
时间：2010-06-26 19:47:09
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[导读]为了分析方便，在实际的分析应该中经常使用由串联等效电阻ESR、串联等效电感ESL、电容组成的
RLC模型。因为对电容的高频特性影响最大的则是ESR和ESL，我们通常采用下图中简化的实际模型进行分析：上式就是电容的容抗
为了分析方便，在实际的分析应该中经常使用由串联等效电阻ESR、串联等效电感ESL、电容组成的
RLC模型。因为对电容的高频特性影响最大的则是ESR和ESL，我们通常采用下图中简化的实际模型进行分析：
上式就是电容的容抗随频率变化的表达式，如果2πfLs＝1／2πfC，那么｜Z｜min＝Rs，此时：
画出电容的容抗的曲线的图如下：
从上图，我们很清楚的看出：电容在整个频段，并非都是表现为电容的特性，而是在低频的情况(谐振频
率以下)，表现为电容性的器件，而当频率增加（超过谐振频率）的时候，它渐渐的表现为电感性的器件。
也就是说它的阻抗随着频率的增加先减小后增大，等效阻抗的最小值发生在串联谐振频率时，这时候，电
容的容抗和感抗正好抵消，表现为阻抗大小恰好等于寄生串联电阻ESR。
了解了上面的曲线，应该就不难理解在实际的应该中，我们的选择电容标准是：
1、尽可能低的ESR电容。
2、尽可能高的电容的谐振频率值。
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