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7nm、10nm制造工艺抢滩大战好戏不断

时间:2016-12-27 来源:21ic 作者:Tina

今年,频频爆出摩尔定律将不再是制造工艺界的神话,虽说如此,但新制造工艺的发展仍然不可忽视。

而在14nm向10nm、7nm发展的过程中,解决漏电问题就成为了关键。为了解决该问题,Intel在其制造工艺中融合了高介电薄膜和金属门集成电路以解决漏电问题;IBM开发出SOI技术——在在源极和漏极埋下一层强电介质膜来解决漏电问题;此外,还有鳍式场效电晶体技术——借由增加绝缘层的表面积来增加电容值,降低漏电流以达到防止发生电子跃迁的目的。

10nm登陆战正当酣

处理器工艺的发展牵动着手机行业的步伐,而iPhone 7搭载的性能强劲的A10处理器依然采用的是台积电16nm技术或三星14nm技术,可以预见的是10nm技术将会在明年参与智能手机行业的发展。

而这三家在10nm的抢滩战中战果几何?根据相关消息,台积电预告2017年第二季将会量产10nm芯片。在今年10月份,三星也对外宣布其第三代10nm制程,并将之命名为10LPU。据称,新工艺能够带来比旧10nm制程更小的10核心尺寸。而作为制造工艺曾经的霸主Intel却在10nm技术上频频跳票,其10nm制程量产时间确定将延后到2017下半年,首个10nm工艺的Cannonlake也是姗姗来迟。但是,从以往的经验来看,与台积电和三星相比,Intel的制造工艺在成本上还是性能上都略胜一筹。谁将在10nm登陆战中成为最后的赢家还真是不容易判断。而至于,AMD方面要跳过10nm而直奔7nm那就是另外一个更遥远的故事了。

 

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7nm抢滩赢家将成为制霸关键?

台积电内部将7nm视为与英特尔和三星最重要的战役,台积电因有10nm制程掌握苹果、联发科及海思等重要客户导入的优势,且7nm在电晶体反应速度和功能及功能等表现,比10nm更优越,让台积电一线大客户,甚至包括原本在三星投片的高通,也将大单转回台积电,凸显台积电在7nm获国际大厂肯定。但是,英特尔已和ARM签署授权协议,在10nm制程提供代工服务将采用ARM的架构,与台积电正面交锋,更让台积电不敢稍有懈怠。据称,台积电7nm将于明年第1季进行风险性试产,良率在既定进度内前进,预定明年第4季投片,2018年起贡献营收,7nm制程的量产时间点则将落在2018年上半。

相比之下,三星导入7nm制程进度不如预期,恐无法如原先规划在明年量产。三星在苹果A10处理器代工订单全被台积电吃下之后,决定卷土重来,将重心押在7nm,并且决定提前在7nm导入由ASML开发最新EUV微影设备,用在半导体量产制程。三星原预估,明年上半年装设完成并进行7nm量产,不过,半导体设备商透露,三星7nm研发进度严重落后,明年接单难度甚高。

而Intel方面也表示,7nm制程是决胜关键,7nm的制程技术与材料将会有重大改变。相较于其10nm产品,7nm工艺可能还要晚一些,恐怕要等到2020年才能量产了。

不得不说三星、台积电、Intel等公司在7nm、10nm工艺上的抢滩大战着实是一场好戏。

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