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  • 尔必达突然破产 内存芯片行业面临调整

    近日,全球第三大内存芯片厂商日本尔必达公司无预警地向东京地方法院提出破产保护申请。目前,该公司债务达到4480亿日元(约合55亿美元),也成为日本制造业历史上负债规模最大的破产案。 眼下,这家日本芯片制造商市值几乎蒸发殆尽。从2008年第四季度到2011年第四季度里,尔必达只有两个季度实现赢利。业界分析普遍认为,日元汇率的持续走强、产品价格下滑以及泰国洪灾是造成PC供货低迷的多重压力下。 不过,曾数次在资金紧缺的情况下仍然让尔必达起死回生的公司CEO坂本幸雄也承认,自己的确在过去的某个时间"做出了错误的经营判断"。因为死守内存芯片市场,再加上庞大资本支出形成拖累,尔必达输掉了与三星电子、美国美光等竞争对手的比拼。 目前,在全球内存芯片市场,尔必达紧随韩国三星、韩国海力士(Hylix),居第三位。根据研究机构Gartner统计,在2011年第三季度,资金充裕的三星电子市场份额达到44%,这是英特尔退出该市场以来,单一厂商在内存芯片行业市占率的最高纪录。 有分析人士指出,虽然尔必达可以通过寻求破产保护来获得更多的时间以解决债务问题,但长远来看,该公司仍将面临困境。市场调研机构Eureka公司CEO乔伊斯认为,如果尔必达真的选择退出市场,这对其他公司来说则是利好消息,因为这将减轻整个市场的过剩压力。申请破产保护消息公布次日,三星和海力士半导的股票分别上涨了1.2%和6.8%。 据悉,尔必达将在近期起草一份重组计划,并寻求外力以帮助其走出破产境地。坂本幸雄说,世界各地的客户都在鼓励我们,希望公司能努力以重整旗鼓。不过,三星表示不愿意接手这个负债累累的烫手芋头,三星内存芯片业务总裁全东守表示,他们对收购尔必达完全不感兴趣。日本媒体报道称,美光、台塑集团、台积电和东芝以及多支投资基金有意支持尔必达的重组。 尔必达是日本唯一一家还在生产内存芯片的企业,于1999年整合NEC和日立的相关业务后成立,2003年,尔必达又整合三菱电机的部分业务。 对于阪本幸雄来说,当务之急是解决债务危机。今年年初市场有传言,尔必达计划最早于2月初与美光达成资本合作协议,此外还将拉拢台塑集团加入。然而,美光CEO史蒂夫·阿普尔顿在一次飞机失事中遇难,这使得这一潜在交易蒙上阴影。 就在数周前,尔必达还信誓旦旦地认为前途广阔。2月8日,坂本幸雄称公司因业绩低迷目前正在实施经营重建,在内存芯片市场上能够生存到最后的将是我们这样的有技术实力的公司。"今后我们要咬紧牙关,消除日元升值的影响、以全新的姿态实现复活。"坂本幸雄说。

    时间:2012-04-05 关键词: 内存 尔必达 芯片行业

  • Enea的Polyhedra Lite内存关系数据库系统免费软件现已面世

    瑞典斯德哥尔摩,2012年10月11日–为3G和4G基础架构设备提供操作系统方案的全球领先供应商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA),今日宣布推出内存数据库系统Polyhedra的免费版本Polyhedra Lite。 Polyhedra产品特别针对嵌入系统的开发者而设计,对该领域而言,容错系统等功能非常重要。然而,对许多用户而言,高有效性并非头等大事,他们只是想要一个迅速而灵活的关系数据库系统,用于个人或公司内部用途。 相较于Polyhedra 的32位模式完整版,Polyhedra Lite是一款功能精简的免费软件,可用于Windows(x86)和Linux(x86和the Raspberry Pi以及指定的Enea Linux平台)。 该关系型客户端-服务器数据库管理系统的主要特性包括: 完全符合ACID, 可使用SQL通过ODBC和JDBC进行读写, 客户应用可存在于同一台机器或不同机器, 应用程序可通过主动查询探测到数据库被更改的时间,从而避免校检的需求, 为了同时提高性能与数据完整性,你的部分或全部“业务逻辑”可通过CL触发语言直接附加于数据库。 根据安装Polyhedra Lite软件的系统数量,可通过支付年费获得支持服务。

    时间:2012-10-25 关键词: 内存 enea lite polyhedra

  • 长鑫官方开卖DDR4/LPDDR4X内存 单条8GB 2666MHz

    对于国产软硬件,我们从未如此期盼,幸运的是各项突破也是接踵而至,现在我们终于有了自己的内存。长鑫存储官方网站上,已经公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片,都符合国际通行标准规范。 据介绍,长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求,支持多领域应用、多产品组合,并有充分的可靠性保障,规格方面单颗容量8Gb(1GB),频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。 长鑫特别强调,这是第一颗国产的DDR4内存芯片。 根据此前消息,这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造,预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。 DDR4内存条也是长鑫自主开发设计,搭载原厂颗粒,种类齐全,提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型,容量均为单条8GB,频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃。 LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求,兼备高速度与低功耗,可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验,规格方面单颗容量2GB、4GB,频率3733MHz,电压1.8V、1.1V、0.6V,工作温度-30℃至85℃,200ball FBGA封装。 目前,长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询,相信它们很快就会出现在市面上。 长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产,并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。 就在去年底,长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可,而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

    时间:2020-02-26 关键词: 内存 ddr4 长鑫 lpddr4x

  • Pico Technology发布业界最深存储的八通道可调高分辨率示波器

    Pico Technology发布业界最深存储的八通道可调高分辨率示波器

    2020 年 2 月 24 日 – Pico Technology Ltd 宣布推出 PicoScope 6000E 系列 FlexRes® 示波器,该示波器具有 8 个 500 MHz 带宽通道,16 个数字通道和 8、10 或 12 位ADC分辨率硬件可调。该产品可与 PicoScope 6 应用软件配合使用,充分发挥最新 PC 性能和显示能力,从而可以在任何尺寸和分辨率的显示器上显示干净清晰的波形。顶级产品 PicoScope 6824E 标准配置具有两个 5 GS/s 模数转换器和 4 GS的捕获内存。它提供大量的内置工具,可用于嵌入式系统调试,包括可在高达一百万个周期内捕获每个示波器测量结果的 DeepMeasure™。 当工程师们调试具有模拟和数字混合元素(例如具有高速低压信号的串行和并行通讯)的复杂物联网和嵌入式操作系统时,8 + 16 个通道可以解决他们面临的各种挑战。 FlexRes 架构允许用户对硬件进行配置,从而可在 8 位分辨率时将采样率优化到 5 GS/s,或在 12 位分辨率时优化到最大 1.25 GS/s。对于捕获和解码快速数字信号或在敏感的模拟信号中查找失真等各种应用,灵活可调的分辨率允许使用同一款示波器来进行各种测量。 深度捕获内存的优势是,在保持高采样率的同时具备捕获长持续时间事件的能力,这意味着示波器可以更好地利用其带宽。具备标准 4 GS 内存的 PicoScope 6824E 可以 5 GS/s 的采样率捕获 200 毫秒的信号,从而实现 200 皮秒的分辨率(1:1,000,000,000 的比率)。可以使用内置的波形缓冲区导航器对深度捕获进行探究,并可使用缩放/平移控件将其放大高达一百万倍。 PicoScope 6000E 系列使用 PicoScope 6 PC 软件,该软件已经过验证并具有通用的图形用户界面,其全球用户已超过 100,000 人。它可根据用户需求,按时域、频域和数字域显示信息。其中包括模板容限测试和用户定义的报警,以及从 1 至 10,000 的捕获内存分段。PicoScope 6 已被翻译成 22 种语言,可在世界上的任何地方使用。 为了应对串行通讯技术的大量增加,PicoScope 6 包含了可用于 21 种串行协议以及数字通道串行总线解码的解码器。最新添加的支持协议是 BroadR-Reach (100BASE-T1) Automotive Ethernet、Manchester 和 DALI。我们正在开发更多的协议并将在以后作为免费更新进行部署。 PicoScope 6000E 系列可提供该级别示波器的最佳性能,所有型号在 1 MHz 时谐波失真都好于 –50 dB 和超出 60 dB SFDR (PicoScope 6824E)。大部分灵敏度范围内上的基线噪音规格 < 150 μV RMS。 PicoScope 6000E 集成了 200 MS/s 任意波形发生器 (AWG) 和具有内置正弦、正方形、三角形、直流电压、斜升、斜降、高斯、半正弦函数的 50 MHz 函数发生器,进一步提升了其价值。 Pico Technology还推出了 Pico 的探针支架系统。它使用创新灵活的“鹅颈”支架,能够与 Pico 2.5 毫米无源探针完美配合使用,可为所有 PicoScope 6000 系列示波器提供弹簧端头。该支架安装在一个镜面抛光钢质基板上,基板装配有带绝缘垫圈的磁性 PCB 接线柱以固定正在测试的设备 (DUT) ,从而解决了如何将多个探针稳定可靠地连接到 DUT 这一长期存在的问题。 Pico Technology 测试和测量产品业务开发经理 Trevor Smith 评论说,“PicoScope 6000E 将颠覆终端示波器市场。它提供了工程师们调试和验证其下一代电子设计所需的各种新功能。它提供了比传统台式示波器更好的价格/性能,作为标准配置具有同类竞争产品作为昂贵升级选项才能提供的许多功能。再加上新的探针支架系统和经过验证的 PicoScope 6 软件,本产品必将脱颖而出。”

    时间:2020-02-27 关键词: 内存 示波器 高分辨率

  • Intel优化傲腾可持续内存性能 一个补丁提升116%性能

    Intel优化傲腾可持续内存性能 一个补丁提升116%性能

    Intel日前向Linux内核提交了新的补丁代码,持续优化傲腾可持续内存的性能,双路系统上内存访问性能提升了116%。 这个补丁主要适用于有傲腾可持续内存的系统,它在存储分层中不同于内存,也不同于闪存,而是介于二者之间。 这个补丁的作用是将原本存放在傲腾可持续内存上的热页面(hot pages)正确转移到DRAM内存中,反过来也可以将冷页面(cold pages)存储在傲腾可持续内存上。 由于DRAM内存的性能依然大大高于傲腾可持续内存,所以性能大幅提升也是很正常的。在测试中,80:20配比的读取:写入下,pmbench基准的内存访问性能基准测试性能提升了116%。 傲腾DC可持续内存采用标准的DDR4外形规格与接口协议,完全兼容现有DDR4插槽,直接插上就能用,但需要和DDR4内存共处同一通道(也就是每个通道一条傲腾内存配一条DDR4内存),且需要插在每通道更靠近CPU的一条插槽上。 按照Intel的内存存储层级划分,傲腾DC内存紧跟在系统DRAM之后,主要用来提升系统内存容量,傲腾DC SSD固态盘则放在傲腾DC内存、传统闪存固态盘之间,提升存储性能。 傲腾内存条容量目前提供128GB、256GB、512GB,最大功耗18W,频率最高等同于DDR4-2666,读取带宽最高6.8GB/s,写入带宽最高2.3GB/s。

    时间:2020-03-03 关键词: Intel 性能 Linux 内存 补丁 傲腾

  • 全球DRAM产业迎来大牛市 内存将连涨7个季度

    最近的疫情危机给全球大多数电子产品的前景蒙上了阴影,智能手机Q1季度会是暴跌50%。不过内存厂商现在可以轻松下了,Q1季度开始就进入全球牛市,预计会连涨七个季度,也就是2020年底才可能稳下来。 自从1月初的三星供电停电、东芝工厂起火之后,这两家公司纷纷表态对生产基本没影响,但是全球存储芯片的市场依然像是打了鸡血,内存及SSD硬盘的现货价应声而起,1月份就涨价高达30%。 那这一波内存涨价要持续多久呢?UBS瑞银分析师Timothy Acuri日前发表报告评估了内存市场的发展趋势,他认为内存涨价将持续至少7个季度,也就是到明年Q4季度。 如果是这样,那今年开始的内存牛市就会比2016年开始的大涨价还要强烈,当时是从2016年Q3季度大涨价,一直持续到2018年Q4季度价格才持平,2019年降了4个季度后又恢复涨价了。 对于NAND闪存,Timothy Acuri倒是没这么乐观,他认为涨价也就持续到今年底,2021年又会重返温和过剩的情况。

    时间:2020-03-04 关键词: DRAM 芯片 内存

  • 高通:骁龙865率先支持UFS 3.1和LPDDR5内存

    高通:骁龙865率先支持UFS 3.1和LPDDR5内存

    2月17日消息 此前小米10系列手机预热时强调搭载了LPDDR5内存,而近期iQOO 3 5G预热时强调首先支持UFS 3.1存储。今天,高通中国已经确认,骁龙865处理器率先支持UFS 3.1和LPDDR5内存。 IT之家此前报道,iQOO 3 5G将于2 月 25 日 14 : 30在线上发布,本次新品的口号是“定义新速度”。据之前iQOO手机官方消息显示,iQOO 3将采用UFS 3.1闪存,另外 iQOO 3将保留有耳机孔,采用矩阵式后摄模组设计。 IT之家报道,高通中国资料介绍称,#骁龙865移动平台#强劲的Kryo CPU和Adreno GPU带来出色处理能力,率先支持LPDDR5内存和UFS 3.1。此外全新Snapdragon Elite Gaming等多项先进特性加持,带来畅快非凡的5G、AI以及游戏体验。

    时间:2020-03-04 关键词: 高通 内存 骁龙865

  • 疫情重创科技产业:内存继续涨价、智能手机损失10%

    疫情重创科技产业:内存继续涨价、智能手机损失10%

    针对新冠肺炎疫情对于全球科技产业的冲击是显而易见的,但各行业各到底都会受到多大的影响?权威市调机构集邦咨询做了一次深入的分析和预测。这里只说几个大家最为关心的方面。 存储: 三星西安厂、SK海力士无锡厂、长江存储、长鑫存储、福建晋华等等DRAM内存、NAND闪存在华工厂的生产上都没有受到影响。 原因一是半导体工厂大多已经高度自动化,人力需求不高,二是原物料在春节之前已有备料,短期内不会短缺,只要海关正常通关就不会有太大问题,三是交通运输方面,半导体工厂一般都有特殊通行证。 从全球角度来看,存储产业的特性是除非遇到全球系统性的风险,否则厂商不会贸然减产,再加上库存仍然不足,即便下游客户面临缺工、缺料的问题,但仍会维持一定采购力度,因此DRAM内存的价格在第一季度依然会维持上涨局面。 智能手机: 智能手机供应链对人力需求高度密集,受疫情冲击较为明显,预计第一季智能产量将同比减少约12%,创五年来新低,出货量也会比之前预计的减少超过10%,而且第二季度也将持续受冲击。 更关键的是,持续疫情冲击的不只是单一经济体的GDP,更是对高联动性的全球经济的冲击,导致消费能力衰退,进而威胁整个智能手机产业。 目前预计2020年全年智能手机总产量为13.81亿部,比去年减少1.3%,是2016年以来的新低,而且鉴于疫情的不确定性,不排除进一步下降。 智能穿戴: 智能手表、智能手环、智能手表、TWS无线蓝牙耳机等的组装以广东、江苏、浙江等地为主,至今复工率有限,而且停产、缺工、缺料等会严重影响第一季度的产量,原计划上半年发布的新品也几乎肯定会延迟。 预计第一季度智能手表出货量将比此前预计的减少多达16%,但考虑到穿戴设备的高峰期都在下半年,包括Apple Watch的更新,全年市场表现仍偏向中性乐观。 笔记本电脑、液晶显示器、液晶电视: 下游整机代工厂、品牌厂无疑是疫情冲击的重灾区,停产、返工率、物料短缺都是问题。预计第一季度笔记本出货量将从此前预估的3500万台下调至3070万台,液晶电视、液晶电视则分别从4880万台、2900万台下调至4660万台、2750万台。 全年规模预计也会分别比此前预估的低1.4%、1.0%、0.7%而来到1.602亿台、1.245亿台、2.180亿台。 智能音箱: 智能音箱的组装供应链以四川、重庆、江浙、北上广等地为主,目前已全面实施封闭式管理,严重影响产能恢复程度和速度,第一季度预计出货量从2640万部下调至2320万部,幅度达12.1%。 游戏机: 大部分在中国境内,只有少部分在海外,因此缺工缺料的影响非常严重,第一季度出货量预期已从690万部下调至620万部,幅度也有10%,但第一季度本来就是淡季,高峰还是在下半年,而且索尼PS5、微软Xbox Series X都到年底发售,全年影响并不会很明显。

    时间:2020-03-04 关键词: 产业 内存 智能 损失 疫情

  • 全球内存厂最新营收:三星下滑5% 仅SK海力士、美光增长

    全球内存厂最新营收:三星下滑5% 仅SK海力士、美光增长

    今日,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布了全球DRAM厂自有品牌内存营收最新排名。 从2019年第四季营收表现来看,除了SK海力士、美光之外,其它内存厂营收都出现了不同程度的下跌。 三星依然排名第一,但因服务器端的出货成长略低于同业,销售位元出货量仅成长2-3%,加上报价下跌,营收衰退5%,来到67.6亿美元。 SK海力士的销售位元成长达8%左右,尽管报价下跌,第四季营收来到45.4亿美元,较上季增加2.9%。 美光销售位元出货成长近10%,营收为34.7亿美元,较上季上升2.1%。 台系厂商部分,南亚科技因2019年第三季基期较高,使得第四季出货量呈现衰退,加上报价走跌,其营收较前一季减少9.3%。 华邦第四季受到25nm新产品出货状况不如预期,加上报价下跌影响,DRAM营收衰退9.8%。 至于力晶科技,第四季受到图像传感器客户需求强劲影响,压缩到DRAM产出,连带使得营收下跌约两成(营收计算主要为力晶本身生产的标准DRAM产品,不包含DRAM代工业务)。 当然,这都是2019内存降价欠下的债。2020年马上又要迎来牛市了。报告分析认为,DRAM合约价第一季进入上涨周期,正式终结衰退。 此前,UBS瑞银分析师也曾预测,内存涨价将持续至少7个季度,要到明年Q4季度。 当然今年内存走向如何,还要看实际的市场供需,静观其变吧。

    时间:2020-03-06 关键词: 半导体 三星 美光 内存 sk海力士

  • 存储产品价格触底反弹!为什么每次专家都能准确预料?

    存储产品价格触底反弹!为什么每次专家都能准确预料?

    近期关注DIY市场的朋友们可以发现,大部分的硬件产品都在降价,但是存储产品却悄悄的有了一波价格上涨,这到底是为什么?究竟是有人操作,还是市场正常波动呢,今天我就给大家简单的分析一下。 根据年前的存储市场来看的话,固态硬盘的价格基本已经杀到了0.5元/GB,甚至有些国产的品牌直接将价格杀到0.3元/GB,19年国内的长江、紫光杀入市场中,这对于老牌的闪存厂商有非常大的冲击,同时还有存储反垄断的调查,另外就是整个智能手机的市场也在趋于饱和,而几大闪存颗粒厂商的产能提升,市场存在供大于求的局面,这都直接导致了固态的价格在不断的下降。 终端商品的降价的话,上游供货的价格势必也会下降更多,毕竟零售和批发有区别哈!这对于消费者来讲的话,是非常乐意看到的,但是对于厂商来讲的话,营收下降,他们肯定会想出一些办法让产品的价格回升,这就有了工厂的问题,断电、污染、地震等等问题就来了,然后专家就开始预测,说明年的存储市场价格一定会看涨,果然,现在的存储价格就开始有了小幅度的上涨。 从市场规律来看的话,目前的闪存颗粒价格基本已经触底了,白菜价之后,必然会有反弹的情况,这也是正常的市场调节,对于我们消费者来讲的话,刚需不要等,早买早享受,另外有机构预测,在2020年的时候,SSD的出货量将会超过HDD,而消费级SSD取代HDD情况可能在不久之后发生。 目前NAND技术在飞速发展,现在消费级有96层3D NAND,而128层的NAND也已经研发成功,普及的话也将是在近几年将会发生,而PCIE 4.0的应用,让SSD的速度又有了一个新的突破,所以伴随着这些技术和产品的落地,未来的SSD市场还是前景非常明朗的。 这边DRAM的话,我们可以看到的就是年前已经有了199元16G DDR4的内存出来,相对于硬盘来讲的话,DDR4目前还是主流的内存方案,DDR5今年估计还是没戏,总体来讲的话,目前DDR3仍在服役的还不少,DDR4的市场增量还是有不小的空间的,未来的话,DDR4的预计还是稳定、然后价格的话,我预测的话应该还是保持一个平稳的状态,而消费者来讲的话,还是那句话,早买早享受,抄底机会不多,现在正值价格谷底刚上扬,入手没毛病!

    时间:2020-03-06 关键词: 内存 ssd 专家 涨价

  • 紫光日本CEO坂本幸雄:3年后量产内存 10年解决设备国产化

    2019年国内公司在内存、闪存行业同时取得了重大突破,长江存储量产了64层3D闪存,合肥长鑫则量产了18nm DDR4内存。日前长鑫官网也宣布开售8GB DDR4内存条。 除了这两家之外,国内存储芯片行业还有两大势力,一个是紫光集团,一个是福建晋华,不过后者因为被美国制裁,目前基本上处于停转状态,无法购买美国半导体装备,暂时不可能生产。 长江存储本身是紫光集团旗下的闪存公司,不过2019年他们也组建了DRAM内存事业部,台湾内存教父高启全担任CEO,并挖来了前日本尔必达内存董事长坂本幸雄担任紫光日本公司的CEO。 坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验,在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事,及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。 日前坂本幸雄也接受了日本媒体采访,谈到了他在紫光集团的工作情况,介绍了紫光内存的发展方向等问题。 坂本幸雄在日本主要负责建立内存研发中心,要招募人才,他表示2月份已经开始发布招聘广告,预计年内招聘50名研发人才。 根据坂本幸雄的信息,紫光在中国境内有200多名来源于已破产的奇梦达公司的研发人才,在日本计划招募100多名j数人员。 坂本幸雄透露,紫光去年已经跟重庆达成了合作协议,今年预计在重庆开始建设内存工厂,力争3年后量产,所产的内存首先用于中国市场。 此外,有记者提到了福建晋华被禁止采购美国公司半导体装备的风险,坂本幸雄表示紫光没有这样的风险,同时他认为中国要解决半导体装备问题需要10年时间。

    时间:2020-03-10 关键词: 芯片 内存 紫光 坂本幸雄

  • 长鑫官方开卖DDR4/LPDDR4X内存!单条8GB 2666MHz

    长鑫官方开卖DDR4/LPDDR4X内存!单条8GB 2666MHz

    对于国产软硬件,我们从未如此期盼,幸运的是各项突破也是接踵而至,现在我们终于有了自己的内存。 长鑫存储官方网站上,已经公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片,都符合国际通行标准规范。 据介绍,长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求,支持多领域应用、多产品组合,并有充分的可靠性保障,规格方面单颗容量8Gb(1GB),频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。 长鑫特别强调,这是第一颗国产的DDR4内存芯片。 根据此前消息,这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造,预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。 DDR4内存条也是长鑫自主开发设计,搭载原厂颗粒,种类齐全,提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型,容量均为单条8GB,频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃。 LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求,兼备高速度与低功耗,可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验,规格方面单颗容量2GB、4GB,频率3733MHz,电压1.8V、1.1V、0.6V,工作温度-30℃至85℃,200ball FBGA封装。 目前,长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询,相信它们很快就会出现在市面上。 长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产,并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。 就在去年底,长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可,而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

    时间:2020-03-10 关键词: 国产 内存 ddr4 长鑫 lpddr4x

  • 三星打响第一枪:今年旗舰手机内存都会从16GB起跳

    三星打响第一枪:今年旗舰手机内存都会从16GB起跳

    三星现在已经开始在旗舰智能手机上部署业界首个16GB LPDDR5内存颗粒封装,新的内存颗粒不仅比上一代拥有更高的容量,速率也比上一代LPDDR4X-4266快30%。 这款16GB LPDDR5封装由8个12Gb芯片和4个8Gb芯片构成。也就是由8个1.5GB LPDDR5芯片和4个1GB LPDDR5芯片最终组合成了整个封装模块。 这款内存数据传输速率为5500MT/s,最高可提供44GB/s带宽。由于封装内部组件构成非常复杂,因此三星会提供不同级别的访问权限。相对此前的8GB LPDDR4X封装,新的内存芯片可以节省20%以上功耗,并提供高达1.1V的可变电压设计。 通常而言,DRAM制造商会将第一批产品交付客户之后宣布批量生产。考虑到三星Galaxy S20 Ultra蓄势待发,可以推断出三星这款旗舰手机已经用上了这种内存。 另外三星计划在今年下半年开始推行第三代10nm工艺的16Gb LPDDR5设备生产,也就是单颗芯片容量达到2GB,速度则再次提升到6400MT/s。当然,如果要物尽其用,三星也必须同步开发支持如此高传输效率的SoC,毕竟后者是手机性能竞争力的核心。 可以预见的是,在未来一年内,Android阵营的旗舰手机内存都将会达到16GB LPDDR5,在内存的硬件参数上甩出苹果十几条街,把手机流畅度的大锅再次踢回给软件开发工程师。

    时间:2020-03-10 关键词: 手机 三星 内存

  • GAMER Ⅱ 内存,用料豪华

    GAMER Ⅱ 内存,用料豪华

    在这篇文章中,小编将为大家带来GAMER Ⅱ 内存的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。 GAMER Ⅱ 内存加入了RGB灯,呼吸跳动的多彩灯效视觉感十足。发光条侧边的GAMER系列全新logo,凌厉的造型呈现出满满的电竞感,与GAMER系列“无GAMER 不游戏”的理念相得益彰。 在一款优秀的内存身上,豪华用料必不可少。1.2mm厚散热片、特挑超频DARM IC、定制款黑色哑面8层PCB,5颗 LIGITEK 高亮RGB LED等等,每一处都能体现用料上的精细讲究。 以上便是小编此次想要和大家共同分享的内容,如果你对本文内容感到满意,不妨持续关注我们网站哟。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

    时间:2020-03-16 关键词: 内存 rgb gamer

  • HOF Ⅱ DDR4-3600 内存,银武士设计原型

    HOF Ⅱ DDR4-3600 内存,银武士设计原型

    本文将对HOF Ⅱ DDR4-3600 内存予以介绍,如果你想对它的具体情况一探究竟,或者想要增进对它的认识,不妨请看以下内容哦。 HOF Ⅱ DDR4-3600 内存,承袭了影驰名人堂家族的一贯传统,将极致超频和奢华用料贯穿于自己的开发理念中,作为一款高端的内存条,它无论是颜值还是性能都极其到位。目前售价也已经下降到800元左右的价位,非常值得推荐。 外观上,HOF Ⅱ DDR4 内存以银武士为设计原型,采用银白色金属拉丝与高精度油墨丝印白色工艺搭配打磨,塑造出硬朗、高贵及强烈的王者气息,具有极高的辨识度。 HOF Ⅱ DDR4 内存的灯效由由第一代的单色升级为七色,并在结构设计上采用全包边导光棒的方式,有效避免漏光所产生的灯效刺眼问题,让灯效呈现更加均匀和绚丽。 以上就是小编这次想要和大家分享的内容,希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章,可以在网页顶部选择相应的频道哦。

    时间:2020-03-16 关键词: 内存 hof ddr4-3600

  • 带你了解GAMER Ⅱ PLUS DDR4-3000 8G内存

    带你了解GAMER Ⅱ PLUS DDR4-3000 8G内存

    在这篇文章中,小编将为大家带来GAMER Ⅱ PLUS DDR4-3000 8G内存的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。 GAMER Ⅱ PLUS 内存,采用绚丽的极光RGB灯效,实现如梦似幻的视觉效果的同时,还采用石墨烯涂层带来强力散热。GAMER Ⅱ PLUS的灯效升级为极光效果,为用户呈现更加璀璨的视觉效果。 GAMER Ⅱ PLUS最低默认频率3000MHz,读写速度更快,体验更加畅快。 GAMER Ⅱ PLUS新增了黑金色版本,使用石墨烯材料作为外观涂层,大幅提升散热性能的同时,还可作为散热片颜色涂料,兼具实用与美观的功能。 规格参数如下: 经由小编的介绍,不知道你对它是否充满了兴趣?如果你想对它有更多的了解,不妨尝试度娘更多信息或者在我们的网站里进行搜索哦。

    时间:2020-03-17 关键词: 内存 规格参数 ddr4-3000

  • Redmi K30 Pro跑分曝光 配置与标准版相差有多大?

    Redmi K30 Pro跑分曝光 配置与标准版相差有多大?

    3月18日,有数码博主曝光了Redmi K30 Pro变焦版的Geekbench跑分。根据曝光的图片来看,该机在该网站的单核跑分为900分,多核跑分为3251分。另外,该数码博主还爆料称Redmi K30 Pro研发代号为“lmi”,变焦高配版代号为“lmipro”,两款手机除了镜头外在其他配置方面没有太大差异,屏幕配置一样。 Redmi K30 Pro变焦版跑分曝光 根据近日官方公布,Redmi K30 Pro采用了骁龙865移动平台+LPDDR5内存+UFS 3.1闪存的性能组合,支持双模5G网络,顺序写速度高达750MB/s,内存速率高达500Mbps,每秒可传送44GB的数据。此外,该机搭载了3435mm2超大面积的VC液冷散热,散热表现出色;配备“哒哒哒”的线性马达,打字聊天时,会有机械键盘般的触感反馈,玩游戏时不同载具、枪械都会有4D沉浸式震感。 Redmi K30 Pro变焦版爆料 除以上几点特性外,官方还透露,Redmi K30 Pro采用了Game Turbo 3.0技术,并有游戏悬浮窗、变声器、夜视仪、AI高光集锦、息屏挂机等游戏功能。

    时间:2020-03-18 关键词: 内存 redmi

  • Surface Pro X内存带宽测评

    Surface Pro X内存带宽测评

    在前面的文章里,小编对Surface Pro X进行过CPU性能、磁盘性能测评。而此次,小编将对它的内存带宽加以测评,以帮助大家增进对它的了解。 测试如下: 内存读取、写入、复制的带宽分别为23280MB/s、33742MB/s、36107MB/s。 Geekbench 4跑分对比 PCMark10 应用测试跑分对比 3DMark Night Raid测试得分对比 根据跑分测试结果来看,Microsoft SQ1采用模拟运行Window系统的X86环境还是会有所损耗,在X86和ARM两种环境下,单核、多核性能得分变动较大。总体上可以说ARM环境下的SQ1与双核心四线程、2.3-2.8GHz频率的Intel六代低压版酷睿i5-6200U几乎相当,甚至使用UWP应用时的表现会更胜一筹。 以上便是小编此次带来的Surface Pro X内存带宽相关测评,此外,如果你想进一步了解有关它的其他方面的实际性能,不妨继续关注小编后期带来的更多相关测评哦。

    时间:2020-03-20 关键词: 内存 带宽 surface

  • 华为P4发布:麒麟990+8GB内存 ,GeekBench跑分无敌

    华为P4发布:麒麟990+8GB内存 ,GeekBench跑分无敌

    今日,华为正式发布新款P40系列手机,华为P40系列全球线上发布会将于今日晚间21:00召开。从截图可以看出华为P40在Geekbench 5.1.0平台上的单核成绩为742,多核成绩为2686,预装Android 10操作系统,搭载麒麟990 5G芯片并辅以8GB RAM。继早前华为P40 Pro跑分现身GeekBench跑分库后,今日华为P40标准版的GeekBench跑分也已曝光。 根据现有信息显示华为P40将支持22.5W快速充电,预计华为P40将采用后置三摄方案,由主摄+超广角摄像头+ToF组成。 目前有关华为P40标准版的消息较少,其中华为P40 Pro将采用双开孔全面屏设计,搭载麒麟990芯片,前置3200万像素双摄像头,后置矩阵式五摄相机模组,包含一颗5200万像素索尼定制IMX 700 CMOS,最高支持16合1像素技术,支持10倍光学变焦。

    时间:2020-03-26 关键词: 华为 内存 麒麟

  • 苹果新iPad Pro 激光雷达露真容:AR增强现实体验

    苹果新iPad Pro 激光雷达露真容:AR增强现实体验

    众所周知,新款“iPad Pro”内部最引人注目的新功能是LiDAR激光雷达扫描仪,它可以测量五米外周围物体的距离,并可以通过AR增强现实体验。 3月29日,iFixit今天分享了iPad Pro 2020的拆解。iFixit发现iPad Pro 2020款的大部分内部部件与iPad Pro 2018型号相同,该设备是相对增量的更新。 iFixit还研究了新的A12Z Bionic仿生芯片,该芯片包含八核GPU,增强的散热架构以及经过调整的性能控制器。A12Z与6GB内存配对,这是iPad Pro 2018 1TB型号以外的所有iPad Pro型号的4GB内存升级。据报道,本周早些时候,A12Z芯片本质上是重新命名的A12X芯片,并启用了额外的一个GPU核心。 2020年的“iPad Pro”在iFixit的可维修性得分为10分之3分,与2018年iPad Pro的型号相同。iPad Pro 2020 USB-C端口仍然是模块化的,可以独立更换,但是粘合剂几乎固定所有位置,因此维修起来更加困难。

    时间:2020-03-29 关键词: 内存 ipad pro ifixitipad

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