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微型LED巨量转移技术现状与检测方案操作要点
微型LED（μLED）被视为下一代显示技术，其核心制造瓶颈是巨量转移（Mass Transfer）——将数百万颗微米级LED（边长3~100μm）从外延片精准拾取并键合到TFT/CMOS背板上，且要求转移良率>99.999%（单颗坏点容忍度极低）。与之配套的在线检测（AOI + 电学探针 + PL成像）是保证成品率的关键。本文综述主流转移工艺现状与产线检测操作要点。
微型LED（μLED）被视为下一代显示技术，其核心制造瓶颈是巨量转移（Mass Transfer）——将数百万颗微米级LED（边长3~100μm）从外延片精准拾取并键合到TFT/CMOS背板上，且要求转移良率>99.999%（单颗坏点容忍度极低）。与之配套的在线检测（AOI + 电学探针 + PL成像）是保证成品率的关键。本文综述主流转移工艺现状与产线检测操作要点。
