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  • 肖特FLEXINITY®结构化玻璃升级！赋能你的创意，用热忱实现无限可能

    肖特FLEXINITY®结构化玻璃升级！赋能你的创意，用热忱实现无限可能

    肖特FLEXINITY®结构化玻璃，在实现玻璃和晶圆创新结合的同时，实现了产品的批量化生产，为高新技术的发展注入能量。 中国汽车电子、消费电子、智能家居、医疗设备等行业的迅猛发展，无疑也使得上游的MEMS传感器行业进入快车道。据统计，在2016年-2019年间，中国MEMS行业市场规模以稳定增速持续扩张。截至2019年，中国MEMS市场规模已经达到了600亿元，而该数字预计将在2021年将达到810亿元。（数据源自中商产业研究院） MEMS传感器市场规模大、种类繁多，涉及压力传感器、光学MEMS、生物MEMS等，各个行业应用功能各异，因而对于材料的需求也不尽相同。可否有某种解决方案，既能满足不同行业需求，实现更加精准、更微型的设备性能，又能提供多元、自由的设计空间？ 深耕特种玻璃制造的德国肖特，于2018年给市场交出了一份答卷——FLEXINITY®结构化玻璃。肖特通过创新的晶圆和超薄玻璃结构组合，来为用户提供高精度和多功能的结构化玻璃基片。 2020年，FLEXINITY®结构化玻璃实现全面升级，可以为不同行业用户提供从产品开发到大规模生产的全方位服务。 赋能创意，推动行业变革 受材料的公差和制造能力的限制，传统玻璃晶圆的标准生产技术已经达到瓶颈。肖特的FLEXINITY®结构化玻璃成为一种折中方案：在保证高精度的前提下，为不同行业客户提供灵活定制化的解决方案；同时FLEXINITY®结构化玻璃可批量生产的能力，也使得客户实现行业变革成为可能。 ±10公差，匠人匠心 （高精密公差：±10μm，实现部件精准匹配） 在高科技应用中，精确定位和对准至关重要。肖特FLEXINITY®结构化玻璃突破性的结构，能够达到极高的精准度，从而实现产品与合作部件的完美匹配。 就参数而言，肖特FLEXINITY®结构化玻璃可以实现： ◆ 微米位置公差<20 μm（equiv. ±10 μm） ◆ 外形尺寸公差<20 μm（equiv. ±10 μm） ◆ 结构半径≥100 μm 除了高精度的性能之外，特种玻璃自身结构元素所具备的高强度和高可靠性，也能够使得FLEXINITY®结构化玻璃在具体应用整合的过程中实现产品的高效能和高产能。 凡能所想，皆可定制 玻璃尺寸可选：玻璃晶圆的厚度、结构半径、最大宽度等，均可定制； 玻璃种类可选：硼硅玻璃、无碱平板玻璃等，可根据具体行业需求选择玻璃种类； 通孔方案定制：几乎可以满足客户任何形状的通孔需求。 全面升级后，肖特FLEXINITY®的产品范围得到了进一步延伸，可以为不同行业的客户提供定制化的解决方案。从玻璃类型到通孔方案，FLEXINITY®结构化玻璃能在充分满足客户需求的同时，为客户提供更多自由设计的空间。 FLEXINITY®结构化玻璃解决方案中，客户可对玻璃的厚度和宽度进行定制。最薄的玻璃晶圆厚度低至0.1mm，最小结构半径仅100μm，满足了电子设备微型化的需求。此外，FLEXINITY®结构化玻璃可以提供直径达到300mm甚至更大的超大玻璃晶圆。 除了物理形态的选择，肖特还提供了多元的玻璃类型，包括中硼硅玻璃D 263®系列、MEMpax®、BOROFLOAT 33®，以及无碱平板玻璃AF 32® eco。用户可以根据需求选择不同的玻璃型号，以生产出符合期望的产品。 与此同时，SCHOTT依照玻璃基片中的通孔提供定制解决方案，在数量和几何要求上，几乎满足无限的设计可能。 无论用户的产品应用是什么，需要什么样的物理特性、微结构设计、大小、表面或强度要求，肖特FLEXINITY®都能够提供适合的解决方案。 MEMS传感器，大显身手 FLEXINITY®结构化玻璃解决方案诞生以来，已经在MEMS传感器中的压力传感器、光学传感器、微流体传感器等领域提供了可行且极具竞争力等解决方案，推动了汽车电子行业、消费电子行业以及医疗行业发展。 在汽车压力传感器应用上，肖特结构玻璃晶圆具有火抛光表面，与硅的键合质量能够达到更高，并且肖特还能提供比发丝还薄的玻璃晶圆，适用于超小型传感器的设计与生产。 FLEXINITY®结构化玻璃精准的几何尺寸、优异的光学性质和极高的表面质量，使得其在3D成像及传感领域同样大有建树。根据结构化玻璃材料不同的厚度，FLEXINITY®可以针对3D成像和传感的飞行时间（ToF）、结构光、立体视觉等众多应用提供定制解决方案。 （FLEXINITY®结构化玻璃可作为玻璃垫片） 在微流控领域，FLEXINITY®也能够更好地帮助客户实现更精准、更薄和更小的微流控解决方案。 具体而言，肖特提供的D 263® bio可被加工成具有各种结构的玻片或晶圆，此外还能够进行化学强化从而具有较高的机械强度，这些优点使其成为对光学质量和化学稳定性要求较高产品的理想选择。 批量生产，助力技术革命 2020年，位于马来西亚的工厂已投入量产，为全球客户提供样本以及量产。从产品开发到最终量产，肖特FLEXINITY®都可以是高新科技行业理想的合作伙伴 “电子元器件生产商急需更精准的定制化解决方案。在肖特，我们具有领先的科研能力，并熟悉终端应用的需求，因此我们深刻理解客户的不同需要。我们的联合团队包括R&D和技术服务的同事，能够找到符合客户需要的解决方案，实现客户在科技创新的愿景。我们能够成为客户产品开发路线图的一部分，帮助提升产品，助力革命性的未来新产品。” ——Dr. Ulrich Peuchert，肖特玻璃晶圆业务全球业务开发和产品经理 百年热忱，#Glasslovers#贯穿始终 从1884到2020，#Glasslovers精神#贯穿在130余年的发展进程中，成为无数肖特人秉承始终的信条。凭借一份热爱，肖特人一次次打破了技术与创造力的边界，扩大了想象的疆土，探索了玻璃的无限可能。 从居家生活到医疗健康，从工业能源到航空航天……玻璃的用途随处可见，而今天，迎着消费电子与互联网的风口，玻璃已经与硅一样，成为了高薪技术产业中不可或缺的一部分。 What is your next milestone？ 所有过往，皆为序章，所有将来，皆是可盼。 肖特FLEXINITY®将不断创新并探索玻璃晶圆在未来科技革命中的可能性。

    时间：2020-09-16 关键词： 肖特 mems传感器

  • 高精度超薄结构化玻璃晶圆升级量产，公差低于20微米

    高精度超薄结构化玻璃晶圆升级量产，公差低于20微米

    · 对于准确定位和结构对齐来说，提高精度和公差至关重要。 · 通用性增强，提供多种玻璃类型、物理和化学属性来满足众多应用需求。 · 肖特从产品开发到量产提供全面合作。 特种玻璃发明者和光学技术先驱者——肖特针对各种工业应用不断扩充其结构化玻璃晶圆组合FLEXINITY®。目前低于20微米(± 10微米)的超紧公差使得高精度高准确性的组件之间的对准成为可能。最大厚度范围涵盖超薄厚度100µm至薄厚度3.3 mm，最大宽幅高达600mm。目前，马来西亚槟城的新生产线已经进入量产规模。凭借拓宽的结构化玻璃产品组合FLEXINITY®，肖特可以提供从产品开发到量产的全系列服务。 德国美因茨，2020年9月8日——肖特结构化玻璃晶圆和玻片组合FLEXINITY®现在兼具最佳精度、紧密公差(低于20微米(± 10微米))、最大厚度和宽度范围(从0.1 – 3.3 mm的超薄厚度到长达12英寸或以上的超宽直径)等特点。多种类型的玻璃以及高超的结构化水平，可以针对各行业应用定制解决方案，例如半导体和传感、压力传感器、相机成像、光电子和RF/IC封装、生物技术和诊断以及可持续能源。凭借马来西亚槟城的新生产线，肖特FLEXINITY®提供从产品设计和开发到量产的全面合作。 各应用领域的创新让结构化玻璃晶圆的需求逐渐增加，这包括独特的挑战以及对材料的不同要求。另外，微小化趋势和对高精度的需求持续推动电子组件的先进制造技术不断进步。重大技术进步取决于高精度结构化玻璃晶圆，以实现更小的高性能组件。当今高度敏捷的开发循环伴随着测试设计的多重改进，最高灵活性和速度是组件供应商的必选项，对于试样来说也很重要。 无可匹敌的精度，适合高科技应用 肖特FLEXINITY®玻璃晶圆开创性的结构具有无可匹敌的精度，这对在高技术应用中的精确定位和结构对齐至关重要。低于20微米(± 10微米)的紧密公差确保组件之间的完美对齐并实现高精度系统。凭借结构部件的强度和可靠性，FLEXINITY®在所有相关应用中都具有高集成度和高效率。 通用性最高，能够应对各种材料挑战 肖特FLEXINITY®的产品范围进一步拓宽，旨在提供适合现有或正在开发的应用的特定物理和化学属性、性能以及定制选项。厚度低至0.1 mm的超薄玻璃晶圆(最小结构半径100 μm)便于进一步缩小电子组件的尺寸。现有直径为12英寸(300 mm)的超宽幅面和更宽幅面可供选择。其中可供选择贯穿结构单元的数量和几何形状几乎没有限制。客户可以选择各种玻璃类型，包括硼硅玻璃(D 263®系列、MEMpax®、BOROFLOAT 33®)和无碱玻璃(AF 32® eco)。 可以根据应用定制兼具体特性、微结构设计、尺寸、表面质量和强度等任意组合的解决方案。凭借数十年的各行应用经验，肖特专家可以找到解决客户特殊材料挑战的解决方案。 产品开发蓝图中的理想合作伙伴 肖特特种平板玻璃和晶圆团队的全球业务拓展和产品经理Ulrich Peuchert博士说道：“组件制造商都在寻找更精准、可高度定制的解决方案。在肖特，我们了解客户的不同需求，因为我们具有较强的科技实力且熟悉终端应用。我们的研发和技术服务专家团队可以针对每个客户的愿景为他们提供独特的方案支持。我们可与客户携手绘制开发蓝图，以便改进产品或提供革命性的新解决方案。” 目前，马来西亚槟城的新生产线已经完全进入量产规模，以便向全球客户供应产品。凭借高采样灵活度和量产能力，FLEXINITY®成为从产品设计和开发到量产的理想合作伙伴。

    时间：2020-09-08 关键词： 晶圆 高精度 肖特

  • 中国市场不可忽视

    中国市场不可忽视

    2018/2019财年肖特在华医疗保健、电子消费品和家用电器领域增长势头强劲，医药初包装的特种玻管业务尤其繁荣。2019年8月，中国首个投资项目在浙江缙云正式破土动工，投资4.57亿元人民币(6000万欧元)新建制药玻管厂。在数字技术领域，肖特推出的新型高速50G TO封装有望为中国5G和数据中心发展提供有力支持，实现5G网络基础设施的全面部署。在电子消费品领域，肖特Xensation® Up智能手机盖板玻璃与Vivo合作推出了一款高端旗舰版手机。肖特还为三星提供显示屏的超薄玻璃(UTG)。 “尽管全球经济低迷，但我们还是实现了去年的预期，并继续积极保持了前几年的业务发展势头，因此，我们对上一个财年的业绩感到满意。中国为这一增长作出了重大贡献，我们正朝着使中国成为肖特第一大市场的方向努力。”肖特董事会主席弗兰克·海因里希博士强调。 肖特中国区总经理陈巍先生补充道：“我们的目标是借助材料玻璃产业驱动其他各行各业，改善人们的生活。要实现这一目标，必须经过长期坚持不懈的努力。我们将继续系统性提升在中国的制药包装产能和研发能力。” 迅速行动支持抗战新冠病毒-19：为中国提供两千万个医药玻璃瓶 春节过后，肖特集团管理层针对客户需求迅速作出反应，支持抗战新冠病毒。五天内肖特就获得了政府的提前复工批准，旗下三家生产企业协调配合，紧急召集了大约100名员工，赶制了2000万个医药玻璃瓶。 “尽管面临着当前的挑战，我们对在中国的投资以及拓展在华业务的努力仍然是长期而坚定的。”肖特董事会弗兰克·海因里希博士说，“中国在面临严峻挑战时，总能克服万难，恢复强大。这次疫情让我们看到了中国人民的复原力。正如一句中国谚语所说：‘野火烧不尽，春风吹又生。’” 2019/2020财年展望：肖特在华医药和数码创新产品的产量将持续增长 肖特预计在2019/2020财年，销售额将增长3%至6%，并计划投资24亿元人民币(3.2亿欧元)，创下公司历史最高水平。肖特计划的重点之一便是在中国的产能升级。 肖特持续投资，扩大在华药用包装生产规模，为“健康中国2030”规划做出了积极贡献。药用玻管工厂将于2021年初建成并向中国药用包装市场供货，协助中国实现期待已久的药用玻璃质量升级。另外，肖特还计划在华投入过亿人民币，包括扩大医药初包装(注射剂瓶，安瓿，卡式瓶)的生产规模。 此外，肖特于2020年1月在江苏省苏州市设立了亚太区研发中心，为多个新兴行业提供尖端技术支持。这些行业有5G通信、AR/VR(增强现实/虚拟现实)、自动驾驶、超薄玻璃和手机盖板玻璃，旨在支持中国高科技发展。 肖特期望利用最新的科技创新来促进其在华业务的增长。 具有特殊增长前景的产品包括：用于高价值消费电子品的Xensation® Up化学强化锂铝硅酸盐盖板玻璃(LAS)以及超薄玻璃。超薄玻璃融超薄和柔性为一体，这一特性是可折叠OLED显示屏的完美选择，也可以用于柔性的，甚至是可折叠的智能手机或穿戴设备等应用。在这一领域，肖特正同韩国电子消费品巨头三星进行合作。

    时间：2020-03-16 关键词： 肖特

  • 肖特为下一代车载电动压缩机设立标准

    肖特为下一代车载电动压缩机设立标准

    中国上海，2019年11月11日——伴随中国新能源汽车市场的持续增长，国际高科技集团肖特将携一系列新型标准电空调压缩机端子在上海国际车用空调及冷藏技术展览会(CIAAR)上首次亮相。展示产品包括适用于200-500V电动车的标准设计，适合48V 混合动力汽车电池系统和 800V 的高压快速充电应用的解决方案。观众可在11月13-15日前往上海光大会展中心3D21展台与专家进行交流。 电动压缩机必须满足严苛要求 电动压缩机与传统汽车空调压缩机不同，其内部电机通过电池供电。端子封装是它们的一个潜在弱点，它必须在保证电绝缘的前提下可靠地传输大量能量，但这绝非易事，因为供电点的泄漏风险特别高。同时，苛刻的运行环境也为电动压缩机带来了挑战。压缩机端子必须能够承受超长时间的高压、高温、高湿度和振动，同时不得出现任何泄漏或制冷剂损失。 领先市场的电动压缩机端子 为了满足电动压缩机端子所面临的苛刻要求，肖特开发了市场领先的部件。肖特使用久经考验的玻璃-金属密封技术来制造压缩机端子。该技术已在广泛的压缩机应用领域以及各种苛刻的环境中成功应用了数十年之久，如汽车传感器、航空航天，甚至医疗应用等。在压缩机的导电接头处用玻璃材料作为绝缘体，并保证完全的气密密封。这样制造的接头可提供极佳的性能和耐久性，是肖特与世界各地的电动压缩机和汽车制造商合作开发的成果。 “我们在这个领域有着超过50年的经验。我们引入了高效、先进的标准设计，同时优化了成本，使我们成为了新兴电动汽车市场的领潮人，”肖特研发经理Akira Fujioka解释道。 符合新电动压缩机要求的标准部件 肖特通过技术改进，将携新系列标准产品亮相上海CIAAR展会。该系列产品面向常见的200-500V的新能源汽车的电动压缩机。此次展会上，肖特还将展出具有极高绝缘电阻、支持高压电源(800V)且非常适合电动汽车快速充电技术的高级电动压缩机端子。该端子可以耐受高电流，支持48伏的下一代电力系统。根据各个用户和应用的需求，端子设计可以进行优化，以适应那些使用二氧化碳冷却剂(R744)和其他需要高耐压性的压缩机。 为了达到可靠的产品质量以及有效防止冷却剂泄漏，肖特始终在生产过程中保持高精度。肖特使用特种玻璃和橡胶作为材料，并在某些情况下使用陶瓷，以此确保端子能在最严苛的条件下提供最佳的电气绝缘性能。 图片： 肖特首次为市场提供一系列标准电空调压缩机端子。该产品组合对性能和效率进行了全面优化，包括适用于200-500V应用的标准设计，通常用于电动汽车。此外，肖特放眼未来，为下一代应用需求提供优化的压缩机端子，例如 48V 电池系统和高达 800V 的高压快速充电技术。图片来源：肖特

    时间：2019-12-02 关键词： 新能源汽车 电动压缩机 肖特

  • 关于下一代车载电动压缩机设立标准

    关于下一代车载电动压缩机设立标准

    伴随中国新能源汽车市场的持续增长，国际高科技集团肖特将携一系列新型标准电空调压缩机端子在上海国际车用空调及冷藏技术展览会(CIAAR)上首次亮相。展示产品包括适用于200-500V电动车的标准设计，适合48V 混合动力汽车电池系统和 800V 的高压快速充电应用的解决方案。观众可在11月13-15日前往上海光大会展中心3D21展台与专家进行交流。 电动压缩机必须满足严苛要求 电动压缩机与传统汽车空调压缩机不同，其内部电机通过电池供电。端子封装是它们的一个潜在弱点，它必须在保证电绝缘的前提下可靠地传输大量能量，但这绝非易事，因为供电点的泄漏风险特别高。同时，苛刻的运行环境也为电动压缩机带来了挑战。压缩机端子必须能够承受超长时间的高压、高温、高湿度和振动，同时不得出现任何泄漏或制冷剂损失。 领先市场的电动压缩机端子 为了满足电动压缩机端子所面临的苛刻要求，肖特开发了市场领先的部件。肖特使用久经考验的玻璃-金属密封技术来制造压缩机端子。该技术已在广泛的压缩机应用领域以及各种苛刻的环境中成功应用了数十年之久，如汽车传感器、航空航天，甚至医疗应用等。在压缩机的导电接头处用玻璃材料作为绝缘体，并保证完全的气密密封。这样制造的接头可提供极佳的性能和耐久性，是肖特与世界各地的电动压缩机和汽车制造商合作开发的成果。 “我们在这个领域有着超过50年的经验。我们引入了高效、先进的标准设计，同时优化了成本，使我们成为了新兴电动汽车市场的领潮人，”肖特研发经理Akira Fujioka解释道。 符合新电动压缩机要求的标准部件 肖特通过技术改进，将携新系列标准产品亮相上海CIAAR展会。该系列产品面向常见的200-500V的新能源汽车的电动压缩机。此次展会上，肖特还将展出具有极高绝缘电阻、支持高压电源(800V)且非常适合电动汽车快速充电技术的高级电动压缩机端子。该端子可以耐受高电流，支持48伏的下一代电力系统。根据各个用户和应用的需求，端子设计可以进行优化，以适应那些使用二氧化碳冷却剂(R744)和其他需要高耐压性的压缩机。 为了达到可靠的产品质量以及有效防止冷却剂泄漏，肖特始终在生产过程中保持高精度。

    时间：2019-11-11 关键词： 压缩机 电源资讯 肖特

  • EV集团和肖特携手证明300-MM光刻/纳米压印技术在玻璃制造中已就绪

    EV集团和肖特携手证明300-MM光刻/纳米压印技术在玻璃制造中已就绪 联合工作将在EVG的NILPhotonics®能力中心开展,这是一个开放式的光刻/纳米压印(NIL)技术创新孵化器,同时也是全球唯一可及的300-mm光刻/纳米压印技术线 2019年8月28日,奥地利,圣弗洛里安——微机电系统(MEMS)、纳米技术和半导体市场晶圆键合与光刻设备领先供应商EV集团(EVG)今日宣布,与特种玻璃和微晶玻璃领域的世界领先技术集团肖特携手合作,证明300-mm(12英寸)光刻/纳米压印(NIL)技术在下一代增强现实/混合现实(AR/MR)头戴显示设备的波导/光导制造中使用的高折射率(HRI)玻璃晶圆的大体积图案成形已就绪。 此次合作涉及EVG的专有SmartNIL®工艺和SCHOTT RealView™高折射率玻璃晶圆,将在EVG位于奥地利总部的NILPhotonics®能力中心进行。肖特将于9月4日至7日在深圳会展中心举行的中国国际光电博览会上展示一款采用EVG SmartNIL技术进行图案成形的300-mm SCHOTT RealView™玻璃晶圆。 300-mm和200-mm SCHOTT RealView™玻璃基板,装配在应用SmartNIL® UV-NIL技术的EVG® HERCULES® NIL系统 肖特增强现实负责人Ruediger Sprengard博士表示:“将高折射率玻璃晶圆的制造扩展到300-mm,对于实现我们客户满足当今和未来领先AR/MR设备不断增长的市场需求所需的规模经济产量来说至关重要。通过携手合作,EVG和肖特彰显了当今300-mm高折射率玻璃制造的设备和供应链的就绪性。” 在此之前,使用光刻/纳米压印技术对具有光子学应用结构的玻璃基板进行图案成形仅限于200-mm基板。向300-mm晶圆加工的迁移是将AR/MR头戴显示设备推向大众消费和工业市场迈出的重要一步。不过,在这些较大的基板上保持高基板质量和工艺均匀性是很难控制的,需要先进的自动化和工艺控制能力。EVG的SmartNIL技术得益于多年的研究、开发和实验,旨在满足纳米图案成形的需求,经过了现场验证,能够轻松从晶圆级样品尺寸扩展到大面积基板。去年六月,EVG推出了HERCULES® NIL 300 mm,将SmartNIL引入300-mm制造,满足各种设备和应用的生产需求,其中包括AR、MR和虚拟现实(VR)头戴显示设备的光学器件以及3D传感器、生物医疗设备、纳米光子学和等离子电子学。 集成到 SmartNIL® UV-NIL系统的全模块化EVG® HERCULES® NIL 300 mm EV集团企业技术开发和知识产权总监Markus Wimplinger表示:“EVG的NILPhotonics能力中心成立于2014年,为光刻/纳米压印技术供应链中的各个合作伙伴和公司与EVG合作提供了一个开放式的创新孵化器,从而缩短创新光子器件和应用的开发周期和上市时间。我们很高兴与肖特公司合作,证明EVG光刻/纳米压印技术解决方案的价值,不仅有助于新技术和新工艺的开发,还能够加速新技术和新工艺在大众市场中的采用。我们正在携手肖特开展的工作,彰显了光刻/纳米压印技术设备和工艺的成熟性,为各种令人兴奋的基于光子学的新产品和新应用的300-mm制造奠定了基础。” SCHOTT RealView™高折射率玻璃晶圆是领先AR/MR设备的关键组件,已经实现了批量生产。产品组合提供了高达1.9的折射率,支持深度沉浸的AR/MR应用,视野更广,高达65度。在与增强现实硬件制造商进行多年研发之后,肖特在2018年推出了第一代SCHOTT RealView™。这款高端产品在上市一年后便荣获了享有盛誉的2019年SID显示行业奖(SID Display Industry Award 2019)。 关于肖特 肖特是特种玻璃、微晶玻璃和相关高科技材料领域的领先国际技术集团。公司积累了超过130年的经验,是众多行业的创新合作伙伴,其中包括家用电器、医药、电子、光学、生命科学、汽车和航空业。肖特在全球34个国家和地区设有生产基地和销售办事处。公司目前拥有员工超过15500名,2017/2018财年的销售额为20.8亿欧元。总部位于德国美因茨的母公司SCHOTT  AG由卡尔蔡司基金会(Carl  Zeiss  Foundation)全资拥有。卡尔蔡司基金会是德国历史最悠久的私立基金会之一,同时也是德国规模最大的科学促进基金会之一。作为一家基金公司,肖特对其员工,社会和环境负有特殊责任。 关于 EV集团(EVG) EV集团(EVG)是为半导体、微机电系统(MEMS)、化合物半导体、功率器件和纳米技术器件制造提供设备与工艺解决方案的领先供应商。其主要产品包括:晶圆键合、薄晶圆处理、光刻/纳米压印(NIL)与计量设备,以及涂胶机、清洗机和检测系统。EV集团成立于1980年,可为遍及全球的众多客户和合作伙伴网络提供各类服务与支持。 SmartNIL,NILPhotonics及EV Group标识是  EV Group的注册商标, SCHOTT RealView™是 SCHOTT的注册商标。

    时间：2019-08-29 关键词： 光刻 纳米压印 肖特

  • 高度契合 —— 美的(Midea)联手德国肖特共同打造白色厨房一体化

    21ic讯  中国家电制造商“美的(Midea)”，成功地在中国提供了多样化的先进产品。美的(Midea)秉持追求卓越的企业精神，正在寻找能满足其复杂的设计需求的技术方案，包括新的设计和印刷选择，以及不同家电的配色以满足当下的“套系化设计”趋势。美的(Midea)与肖特的技术及研发团队经过密切沟通，找到了最佳解决方案——用玻璃来设计与制造。     挑战 中国家电市场正在崛起         对于包括冰洗空、厨房电器及彩电在内的大家电市场，2017年在线零售额达到1759亿元，其中厨房电器的零售额达到230亿元，同比增长55%。在两位数的增长和数以百亿计的销售总额的背景下，家用电器制造商需凭借新颖、独特的功能在市场竞争中脱颖而出。 (数据来源：GfK——2017年中国电子家电行业报告) 在中国，80后、90后已成为主力消费群体，他们对于产品品质的高要求也体现在家电市场的高端化趋势。 调查显示，超过4成的中国消费者愿意为高端家电买单。 (数据来源：引用news.cheaa.com)     统一的颜色与搭配风格正在成为家电的主流，其中，白色系单品越来越受欢迎且显著高于其他色系，一二级城市的白色家居偏好率更是达到了70%。 (数据来源：CBNData——中国家居风格消费偏好洞察)     美的(Midea)作为国内领先家电企业，洞察了这一市场需求，也期望借此机会提升美的(Midea)在高端家居市场的品牌形象。2017年中旬，美的(Midea)致力于开发新的厨房电器，其中包括具有挑战性的设计和色彩，并且在控制面板上呈现出精致的图案。 此外，美的(Midea)还想推出一款与白色相配的家电系列，以迎合“套系化设计”的潮流。这一设计的挑战性在于，用不同厚度及尺寸的玻璃呈现相同的白色。美的(Midea)在这一技术上遇到瓶颈，需要强有力的合作伙伴解决这一问题，并且希望在解决技术难题的同时，能进一步体现高品位的设计水平。为此，美的(Midea)向肖特寻求可行性方案与技术支持。     创新 肖特平板玻璃技术团队接受了这一挑战，其广阔的技术领域与长期累积的专业技能可满足美的(Midea)所提出的要求。经过了数月的内部升级与测试之后，肖特在其强大的色彩混合及印刷技术支持下，成功解决了技术难题，应对了这一挑战。         提供多色解决方案——丰富的色彩和设计切合不同的时尚趋势和要求 品质优良，经久耐用——具有卓越的耐高温和耐化学性 人物     “为中国市场开发最新的厨房家电时，我们希望所有产品的色彩看起来都是统一的——因为我们追求卓越所以不接受任何色差。在肖特的技术支持下，我们才能够生产出我们的设计师所设想的产品。”——JoeZou，美的(Midea)公司代表     “美的(Midea)不久前接洽过我们，并提出了具有挑战性的要求。通过与我们中德全球技术团队的交流，我们成功交付了美的(Midea)的要求。”——SamZhou，肖特玻璃科技(苏州)有限公司客户经理 下一步 具有不锈钢外观的玻璃表面——SCHOTT®MetalLook 美的(Midea)对肖特其他独特的技术也非常感兴趣，比如MetalLook，这种技术能使玻璃表面除了有玻璃材质的优点外，外观看上去像真的不锈钢金属。这种多层次的特点有助于设计的多样化，并能体现高端品味家居的感觉。此外，美的(Midea)已经在中国推出的旗下品牌东芝和合资品牌AEG玻璃灶具都采用了肖特的钢化玻璃材料——这些家用电器上都标有SCHOTT®商标。美的(Midea)和肖特联合郑重承诺未来在中国将有更多的合作。敬请期待……  

    时间：2018-06-01 关键词： 美的 厨房一体化 肖特

  • 肖特拓展在华光学业务

    德国高科技集团和特种玻璃制造商肖特拥有超过125年光学玻璃生产经验，是全球最为广泛的光学玻璃产品制造商。肖特目前正在参展在深圳举办的中国国际光电博览会(CIOE)(9号展厅，D22号展位)。肖特的轻量化 ZERODUR®微晶玻璃在天文等领域的应用是今年展示的重点。此外，肖特还将宣布在此次光博会推出可短期交货的高均匀性光学玻璃，均匀性等级达到H4。ZERODUR®是肖特先进光学推出的一款传统高科技特种玻璃产品。此款玻璃早在1968年就已投入商用，首批订单用于建造一个4米的天文望远镜镜面衬底。目前，ZERODUR® 已成为现代科技领域中众多领先应用性能和质量的标杆。ZERODUR®最重要的产品属性是极低的热膨胀系数，使其能够在温度剧烈变化时仍能保持极高的精度。现代诸多高科技应用对材质的要求极为苛刻，必须依赖产品内部元器件几何形状和距离的零变化来达到产品应用的高性能。ZERODUR®微晶玻璃可将热膨胀系数保持在最低水平，非常适合天文应用，范围涵盖超轻型镜面衬底以及重达几吨的大型分段式和整体式天文望远镜镜面衬底。肖特提供5个等级拥有不同热膨胀系数CTE(0°C, 50°C)的ZERODUR®产品，包括从0.1 ppm/K一直到ZERODUR® EXTREME的0.007 ppm/K。肖特是全球唯一能够提供热膨胀系数如此之低的微晶玻璃产品的公司。在中国，ZERODUR®镜面衬底已应用于两台天文望远镜，并已在2007年投入使用。这两台天文望远镜分别是位于北京东北部南双洞市附近兴隆观测站的LAMOST郭守敬望眼镜和位于云南高美古观测站的中国最大的天文望远镜——丽江望远镜。肖特中国总经理陈巍表示：“肖特一直是中国天文研究领域的长期合作伙伴，我们相信未来将有更多的中国研究机构应用ZERODUR®微晶玻璃产品。”此外，这种微晶玻璃材料还特别适合用于生产诸如航空航天陀螺仪这样的小型成品组件，或者应用于光刻设备和精密测量技术等工业领域。肖特正式推出可短期供货的H4级高均匀性玻璃光学材料的高品质体现在其均匀性上，更具体地说，整块玻璃的折射率变化范围极窄。肖特常驻新加坡先进光学销售经理彭哲坤(Simon Phay)解释道：“为了满足客户不断增长的需求，我们现在为客户提供一系列高均匀性玻璃产品。这些产品可以直接进行切割，加工方式非常快速灵活。”肖特目前提供五种不同等级的高均匀性玻璃产品。由于采用了非常精密的制造流程，H4等级的玻璃片折射率偏差峰谷值控制为2 x 10–6，H5级玻璃为1 x 10–6。按照ISO 12123，折射率的最大变化在于峰谷值的变化。达到这种质量等级的玻璃具有非常强的高分辨率成像效果，是高性能激光技术的理想材料，可以利用光线进行非常精确的焦点定位。此外，这种材料也可以用于测量、半导体和卫星技术。肖特先进光学目前拥有的材料库存和可提供的最大规格如下：所有产品发货均随附独立的检测报告，其均匀性采用极精确的干涉仪进行测量。其中一些为i-Line 玻璃，该类玻璃结合了极高的折射率均匀性和高紫外 (波长365 nm) 透过率。

    时间：2013-09-06 关键词： 光学 业务 拓展 肖特

  • 双通道理想二极管控制器取代两个肖特基二极管

    21ic讯 凌力尔特公司推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “或”，且对电源电压的干扰最小。LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降，以在二极管“或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中，当电源切换时，控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353 <1µs 的快速接通时间确保从一条通路到另一条通路平滑切换，而且不产生振荡。如果输入电源出现故障或者被短路，那么快速断开最大限度地减小了反向电流。除了冗余电源“或”，LTC4353 在电源保持应用中还可卓越地取代二极管，而在这类应用中，电源的短暂故障是与负载隔离的。 LTC4353 提供单独的使能输入，当电源电压在相互之间的 MOSFET 本体二极管压降之内时，该使能输入可用来确保主电源的优先权。如果两个使能输入都被拉至低电平，那么 LTC4353 每个电源仅消耗 75µA。单独的状态输出指示 MOSFET 是接通还是断开。该控制器用 2.9V 至 18V 的电源工作，通过应用一个外部电源来提供额外的灵活性以控制低至 0V 的电压。 LTC4353 是市场上仅有的双通道低压理想二极管控制器，与同类解决方案相比，可极大地节省空间。LTC4353 采用 16 引线 MSOP 和 4mm x 3mm DFN 封装，规格在商用和工业温度范围内工作。千片批购价为每片 3.45 美元。  照片说明：快速接通双通道理想二极管控制器     性能概要：LTC4353 ·         多电源或电源保持应用中肖特基功率二极管的低损耗替代方案 ·         控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现大电流的能力 ·         0V 至 18V 电源“或”或电源保持 ·         1µs 接通和断开时间 ·         使能输入 ·         MOSFET 接通状态输出 ·         采用 16 引脚 MSOP 和 DFN (4mm x 3mm) 封装  

    时间：2012-06-12 关键词： 控制器 二极管 通道 取代 两个 理想 电源新品 肖特

  • 罗姆开发出SiC肖特基势垒二极管SCS210AG/AM

    21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路，开发出实现业界最小※正向电压（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。 与传统产品相比，正向电压降低了10％，非常有助于各种设备实现更低功耗。生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），从6月份开始出售样品 (样品价格500日元/个)并陆续量产。 ※根据罗姆的调查（截至2012年6月7日） 近年来，在工业设备、太阳能电池、电动车以及铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。罗姆于2010年成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，于2012年3月在世界上率先成功将“全SiC”功率模块投入量产等等，产品开发在行业中遥遥领先。 如今，SiC-SBD已经逐渐在世界范围内广泛量产，但形成通态损耗的正向电压长期维持在1.5V的状态，市场上为了追求更低损耗，要求降低正向电压。 通常，正向电压降低反向漏电流就会增加，罗姆通过改善工艺和元件构造，在确保极低漏电流的基础上成功降低了正向电压。特别是正向上升电压较低，有望改善一般使用频率较高的低负载状态下的效率。 新系列首先从600V-10A的产品开始量产，今后将逐步扩大产品阵容。计划在数月内开始1200V产品的量产。 本产品将在6月19~21日在上海世博展览馆举行的电力电子、智能运动、可再生能源与能源管理等最新技术的专业展会“PCIM-ASIA 2012”上展出，欢迎届时莅临参观。 ＜特点＞ 1） 高速开关，低VF，与传统的Si产品相比，损耗显著降低 不仅实现了只有SiC才能实现的高速开关，而且正向电压更低，与传统的Si材质快速恢复二极管相比，损耗显著降低。 ＜规格＞

    时间：2012-06-05 关键词： 罗姆 二极管 sic 开发出 电源新品 scs210ag/am 肖特

  • 适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管

    功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的附加驱动因素。 主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。DCM模式一般用于输出功率在75W到300W之间的应用；CCM模式用于输出功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时，PFC具有成本效益，因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高，因此实际上不增加额外的成本。 主动PFC是服务器系统架构(SSI)一致性的要求：供电模块应该采用带主动功率因数校正的通用电源输入，从而可以减少谐波，符合EN61000-3-2和JEIDA MITI标准。这就需要高功率密度应用能够提供较宽的输入电压范围(85~265V)，从而给PFC级电路使用的半导体提出了特殊的要求。 在输入85V交流电压时，必须有最低的Rdson，因为传导热损失与输入电压的3次方成反比关系。这种MOSFET管的高频工作能够显著减少升压抑制。因此晶体管的快速开关特性是必须的。升压二极管应该具有快速开关、低Vf和低Qrr特性。为了减少MOSFET在接通时的峰值电流压力，低Qrr是必须的。如果没有这一特性，升压MOSFET将增加温度和Rdson，导致更多的功率损失，从而降低效率。在高功率密度应用中效率是取得较小体积(30W/cm3英寸)和减少无源器件尺寸的关键因素。因此高的开关频率必不可少。 为了设计效率和外形尺寸最优的CCM PFC，升压二极管还必须具备以下一些特性：较短的反向恢复和正向恢复时间；最小的储存电荷Q；低的漏电流和最低的开关损耗。过压和浪涌电流能力非常重要，它们能够用来处理PFC中由启动和交流回落引起的浪涌和过电流。这些特性只有用碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)才能实现。 由于SiC肖特基二极管中缺少正向和反向恢复电荷，因此可以用更小的升压MOSFET。这样做除了成本得到降低外，器件温度也会降低，从而使SMPS具有更高的可靠性。 由于SiC肖特基二极管的开关行为独立于正向电流(Iload)、开关速度(di/dt)和温度，因此这种二极管在设计中很容易使用。在设计中采用SiC肖特基二极管能够实现最大的开关工作频率(最高可达1MHz)，从而可以使用更小体积的无源器件。 最低的开关损耗和低的Vf能使用更小的散热器或风扇。另外，由于具有正的温度系数，SiC肖特基二极管能够非常方便地并行放置。 thinQ!2G向理想的高电压二极管迈进 新一代IFX SiC肖特基二极管(thinQ!2G)融合了普通SiC肖特基二极管和双极pn结构，从而具有非常高的浪涌电流承受能力和稳定的过压特性。 图1对SiC肖特基二极管结构与合并后的pn肖特基二极管概念进行比较。p区域针对发射极效率和电导率作了优化，因此在正向电压超过4V时能用作浪涌电流的旁路通道。 图1：(a) 传统SiC肖特基二极管的截面图；(b) 具有合并p掺杂岛的thinQ!2G SiC二极管 改进的浪涌电流能力 thinQ!2G提供改进的浪涌电流功能，允许针对应用中的平均电流条件进行设计，也就是说，大多数的启动和AC回落引起的浪涌和过流能很好地获得处理。图2表明，在正常工作状态，thinQ!2G的行为与具有零反向恢复电荷的普通肖特基二极管没什么两样，在大电流状态其正向特性如同双极pn二极管一样，能够显著减少功率损耗。 图2：SiC肖特基二极管和thinQ!2G的浪涌电流比较 由于改进的浪涌电流能力使得在指定应用中采用更低标称电流的二极管进行设计成为可能。到目前为止，二极管的浪涌电流额定值仍是重要的设计考虑因素。已经具有良好浪涌电流标称值的6A二极管IFSM=21A@10ms的thinQ!被极大地增强为IFSM 49A@10ms的thinQ!2G。 对实际应用(6A IFX第一代SiC肖特基二极管、PFC、宽范围)进行的测试证实了这些改进：6A第一代SiC肖特基二极管足以用来处理启动时的浪涌电流，结温会升高到50℃。这种情况非常接近由于肖特基特性而引起的热失控，如图2所示。在通常情况下可以使用更小体积的二极管。 新的4A thinQ!2G能够更好地处理同一应用中的启动状况。温度只升高到35℃。由于是双极特性，因此到达最高结温时不会产生热量失控。设计工作于正常情况的thinQ!2G具有足够的余量来处理异常情况。 稳定的过压特性 除了改进的浪涌电流功能外，融合pn肖特基概念的thinQ!2G能够承受实际的雪崩电流击穿条件。这对目前市场上的任何其它SiC肖特基二极管来说都是不可能的。这是低电阻率和合并肖特基结构中p岛的设计造成的，它能保证在肖特基接口处的电场到达破坏性值前开始雪崩(图3)。 图3：thinQ!2G稳定的过压特性 正温度系数使thinQ!2G具有了稳定的雪崩和过压行为，并使直接与电力网连接的电信和服务网中的PFC级应用在瞬时脉冲和过压状态下具有更高的可靠性、抗扰性和鲁棒性。 在PFC级中的瞬态变化期间，过压可以被500~550V左右的大电容(对于常用的450V大电容)齐纳击穿。在这种应力条件下，thinQ!2G能够远离危险的过压行为。这种改进的过压和浪涌电流能力可以使二极管的压力减小，使应用具有更高的可靠性。 SiC肖特基二极管——适合各种供电条件的解决方案 利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料，能制造出接近理想功能特性的升压二极管，并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性均能减少PFC应用中的功率损耗。这对服务器和高端PC电源来说尤其重要，因为效率提高的要求变得越来越重要，特别是要满足80plus等法规要求时。 图4： 英飞凌的thinQ! 2G碳化硅肖特基二极管 thinQ!2G在这些重要性能的基础上增加了独特的过流和过压能力。浪涌电流能力有助于设计稳态工作时的额定电流值，由于可以采用更低额定电流值的二极管，因此具有成本优势。过压特性在电信和无线基础应用等苛刻环境中非常重要。在这些应用中，能够克服过压尖峰和异常线路状态并由此提高可靠性的健壮能力是必须的。 通过使用能够提供最低开关损耗的SiC二极管来提高效率在UPS和太阳能逆变器等系统中经常会用到，在这些系统中每次损耗的减少都能直接带来良好的回报。针对日益提高的效率目标，我们希望碳化硅二极管的应用能转移到更低的功率级别：利用thinQ!2G可以满足更多的需要更高环境温度、更高器件温度和更高可靠性的应用。  

    时间：2012-04-21 关键词： 二极管 电源 电源技术解析 应用 碳化硅 适合 各种 肖特

  • 恩智浦推出低VF肖特基整流器DFN1608D-2

    21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，标志着其为小型化发展设立了新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅为0.37 mm，尺寸为1.6 x 0.8 mm，是市场上支持最高1.5A电流的最小器件。DFN1608D-2共包括六个型号的肖特基势垒整流器：其中三款为针对极低正向电压的20V型号，另外三款为针对极低反向电流的40V型号。平均正向电流范围为0.5至1.5A。 恩智浦新款肖特基整流器不但可以显著节省占用空间，而且由于在封装底部采用了一个大散热器，还具有业界领先的功率特性。这些肖特基二极管的极低正向电压可以降低功耗，从而延长移动设备的电池寿命。典型应用包括适用于小型便携式设备的电池充电、显示屏背光、开关模式电源 (SMPS) 和DC/DC转换。1.5A型号则可应用于如平板电脑等较大的设备。 DFN1608D-2系列整流器对设备制造商也具有极大的吸引力，由于采用了独特的侧焊盘，可有效防止氧化，从而保障了侧面的可焊性。不同于焊接触点隐藏于封装下方的其他无引脚解决方案，这种侧焊盘有助于防止封装在PCB板上发生倾斜，从而进一步提高PCB板的平整性，最大限度地提高堆叠密度。此外，从侧面焊接封装也便于对触点进行目视检查。由于不再需要利用昂贵、复杂的X光设备检查焊接触点，DFN1608D-2还提高了生产过程的成本效率。 恩智浦二极管产品市场经理Wolfgang Bindke博士表示：“对于移动设备设计人员而言，这些器件同时在小型化和电流密度方面取得了真正的突破，前所未有地增加了该尺寸上的功能选项。针对智能手机等超薄应用的需求，我们生产出了市场上最扁平的1A(及以上)无引脚塑料封装，当今市场上只有四倍于其尺寸的器件才具有同水平的性能参数。该系列是恩智浦以客户为中心的创新设计的又一最佳例证。” 特性 • 平均正向电流：IF (AV) 最高1.5A • 反向电压：VR最高40V • 低正向电压VF，低至410mV • 低反向电流 • 通过AEC-Q101认证 • 超小尺寸 (仅1.6 x 0.8 mm)，无引脚SMD塑料封装DFN1608D-2 • 可焊镀锡侧焊盘 • 封装高度 (典型值)：0.37mm 上市时间 现已上市和量产： • PMEG2005EPK，20V，0.5A • PMEG2010EPK，20V，1A 提供导入设计样片，定于2012年3月开始量产： • PMEG2015EPK，20V，1.5A • PMEG4005EPK，40V，0.5A • PMEG4010EPK，40V，1A • PMEG4015EPK，40V，1.5A  

    时间：2012-02-06 关键词： 整流器 推出 电源新品 dfn1608d-2 vf 肖特

  • 科锐推出新型1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二极管系列

    21ic讯 科锐公司日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。 科锐创始人之一兼功率和无线射频(RF)产品研发部门首席技术官 John Palmour 指出：“为了开发新一代功率电子产品，设计工程师正在发掘碳化硅肖特基二极管特有的性能优势，包括零反向恢复损耗、不受温度影响的开关损耗以及能在更高频率下工作等，都能支持更低的电磁干扰(EMI)信号。在不影响性能的前提下，该全新系列二极管可以实现比前一代碳化硅肖特基二极管更高的电流密度和更强的电子雪崩性能。科锐近期在器件设计方面的创新和对工艺改进矢志不渝的努力，让我们能够在降低每安培成本的同时提供更高的额定电流值。” 科锐Z-Rec二极管具有零反向恢复损耗特性，与同类硅二极管相比，开关损耗可锐减 50%。该产品在运行温度范围内具有高度一致的开关性能，可以简化电路设计并能省去复杂的散热器系统设计。在与科锐近期推出的1200V碳化硅功率MOSFET配合使用时，这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行，其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸，降低逆变器电路的复杂程度和成本，还能达到极高的系统效率。与上一代碳化硅肖特基二极管相比，该系列产品的优势在于具有更高的浪涌额定值和电子雪崩性能，可以帮助提高系统整体的可靠性。 该系列产品非常适合在太阳能逆变器和三相电机驱动电路中用作增压二极管和反并联二极管，也可以用于电源和 UPS 设备中的功率因数校正(PFC)二极管，还可以并联运行以满足更高功率要求。 已发布器件的额定电流包括 2A[C4D02120x]、5A[C4D05120x]、10A[C4D10120x]、20A[C4D20120x] 和 40A[C4D40120x]。根据额定电流值的不同，器件可采用标准的 TO-220 以及标准的 TO-247 封装供货。欲了解器件的供货情况，请与科锐联系。 新型Z-Rec 1200V肖特基二极管已经发布并完全具备生产使用资格。

    时间：2011-06-24 关键词： 二极管 新型 碳化硅 1200v 系列 推出 电源新品 z-rec™ 肖特

  • 结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）

    随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏(以及按键，如果有键盘的话)提供照明。该解决方案对各种动态特性作出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。FDZ3N513ZT结合了一个30V 集成式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值45pF) 和总体栅极电荷(1nC)，以提高升压转换器设计的效率。FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装，相比采用1.6mm x 1.6mm封装的器件，可节省60%的板上占位空间。飞兆半导体是移动技术领域的领导厂商，拥有大量可针对特定要求而定制的模拟与功率IP产品组合。FDZ3N513ZT 是飞兆半导体全面的先进MOSFET系列的一部分，能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、薄型的高性能MOSFET的需求。价格: 订购1,000个，单价为0.75美元供货: 现提供样品交货期 ：收到订单后12周

    时间：2010-08-09 关键词： 器件 飞兆 MOSFET 二极管 结合 电源新品 沟道 fdz3n513zt 肖特

  • 结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）

    随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏(以及按键，如果有键盘的话)提供照明。该解决方案对各种动态特性作出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。FDZ3N513ZT结合了一个30V 集成式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值45pF) 和总体栅极电荷(1nC)，以提高升压转换器设计的效率。FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装，相比采用1.6mm x 1.6mm封装的器件，可节省60%的板上占位空间。飞兆半导体是移动技术领域的领导厂商，拥有大量可针对特定要求而定制的模拟与功率IP产品组合。FDZ3N513ZT 是飞兆半导体全面的先进MOSFET系列的一部分，能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、薄型的高性能MOSFET的需求。价格: 订购1,000个，单价为0.75美元供货: 现提供样品交货期 ：收到订单后12周

    时间：2010-08-09 关键词： 器件 飞兆 MOSFET 二极管 结合 电源新品 沟道 fdz3n513zt 肖特

  • 结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）

    随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏(以及按键，如果有键盘的话)提供照明。该解决方案对各种动态特性作出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。FDZ3N513ZT结合了一个30V 集成式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值45pF) 和总体栅极电荷(1nC)，以提高升压转换器设计的效率。FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装，相比采用1.6mm x 1.6mm封装的器件，可节省60%的板上占位空间。飞兆半导体是移动技术领域的领导厂商，拥有大量可针对特定要求而定制的模拟与功率IP产品组合。FDZ3N513ZT 是飞兆半导体全面的先进MOSFET系列的一部分，能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、薄型的高性能MOSFET的需求。价格: 订购1,000个，单价为0.75美元供货: 现提供样品交货期 ：收到订单后12周

    时间：2010-08-09 关键词： 器件 飞兆 MOSFET 二极管 结合 电源新品 沟道 fdz3n513zt 肖特

  • 第二代SiC肖特基二极管（英飞凌）

    英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺，该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻，有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散热缺陷。英飞凌推出的600 V FullPAK产品系列的额定电流范围为2 A至6 A，是业界采用这种封装的SiC二极管最全的产品系列。碳化硅（SiC）是一种适用于功率半导体的革命性材料，其物理属性远远优于硅功率器件。关键特性包括标杆性的开关性能、没有反向恢复电流、温度几乎不会影响开关行为和标准工作温度范围为-55°至175°C。SiC肖特基二极管的主要应用领域有，开关电源（SMPS）中的有源功率因素校正（PFC），以及诸如太阳能逆变器和电机驱动装置等其他AC/DC和DC/DC功率转换应用。FullPAK产品系列特别适用于平板显示器（LCD/PDP）和计算机中的电源应用。早在2001年，英飞凌就率先推出了全球第一款SiC肖特基二极管。过去几年，英飞凌的SiC肖特基二极管技术已经在诸如抗浪涌电流稳定性、开关性能、产品成本和封装等方面，取得了许多显著进步，进一步发挥了SiC技术的优越性。SiC肖特基二极管有两个电压级别：600 V和1200 V。供货和定价全系列产品已经开始投产。定价与采用TO220封装的同等器件相当。

    时间：2010-05-17 关键词： 二极管 sic 第二 电源新品 肖特

  • 集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET（安森美）

    集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET（安森美）

    安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及12.2 nC，确保开关损耗也保持最低。 安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、个人计算机(PC)、笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换、负载点(POL)转换及低端开关操作。 安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“集成肖特基二极管借助于集成在与初级FET结构相同的裸片中，减小死区时间导电损耗，因而提升能效及改善波形。这些新的器件为客户提供更宽阵容的产品及方案，解决他们独特的设计挑战。”NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低热阻抗的紧凑型5 mm x 6 mm SO-8FL封装。这些器件每10,000片批量的价格为0.45美元至0.90美元。

    时间：2010-04-07 关键词： 集成 安森美 MOSFET 二极管 功率 30v 电源新品 肖特

  • 集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET（安森美）

    集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET（安森美）

    安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及12.2 nC，确保开关损耗也保持最低。 安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、个人计算机(PC)、笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换、负载点(POL)转换及低端开关操作。 安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“集成肖特基二极管借助于集成在与初级FET结构相同的裸片中，减小死区时间导电损耗，因而提升能效及改善波形。这些新的器件为客户提供更宽阵容的产品及方案，解决他们独特的设计挑战。”NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低热阻抗的紧凑型5 mm x 6 mm SO-8FL封装。这些器件每10,000片批量的价格为0.45美元至0.90美元。

    时间：2010-04-07 关键词： 集成 安森美 MOSFET 二极管 功率 30v 电源新品 肖特

  • 单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未有的最低导通电阻，在10V和4.5V栅极驱动电压下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降压转换器中的低压侧功率MOSFET，降压转换器可用于笔记本电脑的内核电压和VRM应用、图形卡、负载点功率转换，以及计算机和服务器当中的同步整流。品质因数(FOM)是导通电阻与栅电荷的乘积，是这些应用的关键性能指标，与采用SO-8封装的最接近器件相比，该器件在10V和4.5V栅极驱动下的FOM分别小26%和34%。Si4628DY可改善用主电网供电的服务器或电池供电的笔记本电脑在轻负载条件下的功率转换效率。在轻负载条件下，功率转换器中的MOSFET是关闭的，电流通过肖特基二极管进行传输。由于肖特基二极管与MOSFET集成在一起，其前向电压降要远低于MOSFET内部体二极管上的电压降。因此，当降压转换器中的MOSFET在死区时间内被关断时，该特性能够大大减少功率损耗。肖特基二极管的反向恢复电荷(QRP)比MOSFET体二极管的QRP要低，因此能够进一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技术使器件的QRP比标准MOSFET体二极管减少了几乎75%，可以提高轻负载条件下的转换效率。最后，将肖特基二极管集成进MOSFET硅片可消除寄生电感。如果是以分立器件的形式将肖特基二极管和MOSFET安装到PCB板上，或是把分立的MOSFET和肖特基二极管封装在一起，均会引入寄生电感。这些特性所带来的效率改善，能够直接降低能量消耗，降低服务器集群等设施的电费开支，延长膝上计算机在两次充电之间的电池寿命。Si4628DY现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。

    时间：2009-08-10 关键词： 产品 Vishay MOSFET 单片 skyfet 电源新品 肖特

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