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  • 东芝为A3多功能打印机推出缩影镜头型CCD线性图像传感器

    东芝为A3多功能打印机推出缩影镜头型CCD线性图像传感器

    中国上海,2021年3月17日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出缩影镜头型CCD线性图像传感器“TCD2726DG”,能让A3多功能打印机实现高速扫描。工程样品[1]已于今日开始批量出货。 目前,对具有更高扫描速度的A3多功能打印机的需求在不断增长。TCD2726DG能通过更高的时钟速率来提高性能,满足需求:其数据速率达100MHZ(50MHz×2ch),而东芝当前传感器的数据速率为70MHz(35MHz×2ch)[2]。 为避免时钟速度加快造成的电磁干扰(EMI)增加的负面影响,新型传感器采用了时钟发生器电路以及具有较少引脚数量的CCD驱动器。这就为客户减少了EMI、时序调整工作及外围组件数量,便于系统进行开发。 Ø 主要特性: 100MHz(50MHz×2ch)数据速率,CCD线性图像传感器 内置时钟发生器电路和CCD驱动器,便于系统开发 低功耗:放大器电路的10V电源电压降至3.3V[3] Ø 应用: A3多功能打印机、自动光学检查设备 Ø 主要规格: 注: [1] 样品用于功能评估,其规格可能与量产规格不同。 [2] TCD2724DG-1 [3] 部分使用10V电源。双电源为3.3V和10V。

    时间:2021-03-17 关键词: 东芝 图像传感器 CCD

  • 东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率

    东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率

    中国上海,2021年3月11日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日开始批量出货。 TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z相比,其导通开关损耗降低了约68%,关断切换损耗降低了约56%。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。 TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容,覆盖了低至65mΩ(最大值)的低导通电阻。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进,以减小设备尺寸并提高效率。 Ø 应用 数据中心(服务器电源等) 光伏发电机的功率调节器 不间断电源系统 Ø 特性 薄而小的表面贴装封装 采用4引脚封装,可以减少导通和关断的开关损耗。 最新的DTMOSVI系列 Ø 主要规格

    时间:2021-03-11 关键词: MOSFET TOLL封装 东芝

  • 东芝推出轻薄紧凑型LDO稳压器,助力缩小器件尺寸、稳定电源线输出

    东芝推出轻薄紧凑型LDO稳压器,助力缩小器件尺寸、稳定电源线输出

    中国上海,2021年3月3日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出由45款LDO稳压器组成的“TCR5RG”系列。该系列均采用轻薄、紧凑型WCSP4F封装。新款LDO稳压器拥有业界领先的[1]高纹波抑制比[2],能够为可穿戴产品等移动设备的直流电源线提供更稳定的功率。该系列产品将从今日开始批量出货。 TCR5RG系列通过结合宽带隙电路、低通滤波器(仅允许极低频率通过)以及低噪声高速运算放大器,实现了业界领先的[1]100dB(典型值)高纹波抑制比[2]。此外,它们还具有低输出电压噪声和高输出电压精度的特点。这些特性结合在一起,使该系列稳压器能够提高电源线的稳定性。 该系列包含45款产品,最大输出电流为500mA,输出电压范围在0.9V到5.0V之间,以便用户根据自己的应用选择最合适的输出电压。 新款LDO稳压器采用尺寸为0.645mm×0.645mm的轻薄紧凑型WCSP4F封装,适合摄像头和小型设备(例如需要高密度贴装的智能手机和可穿戴产品)的电源线应用。 Ø 应用 · 可穿戴设备(智能手表和运动型相机等) · 移动设备(智能手机、平板电脑和便携式音频播放器等) · 医疗保健(电动剃须刀、电子血压计和血糖仪等) Ø 特性 · 高纹波抑制比:f=1kHz时,R.R.=100dB(典型值) · 低输出噪声电压:10Hz≤f≤100kHz时,VNO=5μVrms(典型值) · 高输出电压精度: 1.8V≤VOUT≤2.8V,Tj=-40℃至85℃时,VOUT最小值/最大值=-1.5%/1.5% VOUT>2.8V,Tj=-40℃至85℃时,VOUT最小值/最大值=-1.8%/1.8% · 轻薄紧凑型WCSP4F封装:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度=0.33mm(最大值) Ø 主要规格

    时间:2021-03-03 关键词: 电源 LDO稳压器 东芝

  • 东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

    东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

    中国上海,2021年2月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。 为达到175℃的通道温度,该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV(智能柔性封装低电压)封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。 Ø 应用 ・用于轨道车辆的逆变器和转换器 ・可再生能源发电系统 ・工业电机控制设备 Ø 特性 ・漏源额定电压:VDSS=3300V ・漏极额定电流:ID=800A双通道 ・宽通道温度范围:Tch=175℃ ・低损耗: Eon=250mJ(典型值) Eoff=240mJ(典型值) VDS(on)sense=1.6V(典型值) ・低杂散电感:Ls=12nH(典型值) ・高功率密度的小型iXPLV封装 Ø 主要规格

    时间:2021-02-25 关键词: MOSFET 碳化硅 东芝

  • 东芝推出适用于工业设备的100V大电流光继电器

    东芝推出适用于工业设备的100V大电流光继电器

    中国上海,2021年2月5日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款光继电器---“TLP241B”,该款大电流光继电器采用DIP4封装,适用于可编程逻辑控制器和I/O接口等工业应用。样品提供和量产现已开始。 TLP241B集成了基于东芝最新一代U-MOS工艺的MOSFET。使用TLP241B,断态输出端电压提高到100V,较当前TLP241A的40V提高了150%。该继电器采用通用型DIP4封装,是业界首款[1]可提供100V断态输出端电压,2A导通电流和5kV隔离电压的DIP4封装产品。该继电器在额定值提高之后可适用于多种类型的应用。 TLP241B可以取代常开型接触式机械式继电器。不同于机械式继电器,TLP241B没有会发生老化的触点。此外,它的低电流驱动特性还能延长产品使用寿命。它的其他优点是响应时间短,并且由于封装尺寸较小而节省了PCB空间。 由于最高额定工作温度为110℃,因此设备的温度设计裕度更容易获得。 Ø 应用 工业设备(可编程逻辑控制器、I/O接口和各种传感器控制等) 楼宇自动化系统(暖通空调(HVAC)和温控器等) 替代机械式继电器(交流24V至48V系统,直流24V至100V系统) Ø 特性 高导通额定电流:ION=2A,IONP=6A(脉冲) 断态输出端额定电压:VOFF=100V 高额定工作温度:Topr max=110℃ 提供鸥翼式封装(SMT)选项的通用型DIP4封装 Ø 主要规格 (除非另有说明,@Ta=25℃)

    时间:2021-02-05 关键词: 大电流 光继电器 东芝

  • 东芝推出新型可重复使用的电子熔断器eFuse IC,具有可调节的过压保护和FLAG信号输出功能

    东芝推出新型可重复使用的电子熔断器eFuse IC,具有可调节的过压保护和FLAG信号输出功能

    中国上海,2021年2月2日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新型eFuse IC“TCKE712BNL”,进一步丰富了eFuse IC产品线。该产品可重复使用,具有保护电源线电路的功能。 玻璃管熔断器和贴片熔断器等传统物理熔断器在过流状态下物理切断电源线,以起到保护电源线的作用,但一旦熔断就必须更换。eFuse IC旨在替代此类熔断器,为电源线提供保护和安全性,同时在高度精确的过流保护之外,提供一系列内置的保护功能。 TCKE712BNL采用过压保护功能保护电源线,该功能可根据用户要求通过外部电阻器进行调整。同时,它内置关断状态下的反向阻断电流功能,可用于电源多路复用器应用。此外,它还内置有过流保护、短路保护和热关断功能。该器件还具有FLAG功能,如果电路中发生异常,可以发出外部信号,与东芝当前的产品相比,更容易检测到可能的故障。 东芝将继续强化eFuse IC产品线,以保护多种用途的电源线。 Ø 应用: 电源线的电路保护 (笔记本电脑、游戏控制器、增强现实和虚拟现实设备、智能音箱、扫地机器人、网络服务器等) Ø 特性: 关断状态下的反向阻断电流功能 用户定义的可调节过流/过压保护功能 FLAG信号输出功能 纤薄紧凑的WSON10封装:3.00mm×3.00mm(典型值),厚度=0.75mm(最大值) Ø 主要规格: (除非另有说明,@Ta=25℃)

    时间:2021-02-02 关键词: 电子熔断器 IC 东芝

  • 东芝推出5组全新的TXZ+™族高级微控制器,实现低功耗,支持系统小型化和电机控制

    东芝推出5组全新的TXZ+™族高级微控制器,实现低功耗,支持系统小型化和电机控制

    中国上海,2021年1月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出五组全新的微控制器---M4K、M4M、M4G、M4N和M3H,且均属于TXZ+™族。其中M4K、M4M、M4G和M4N组基于Arm® Cortex®-M4内核;M3H组基于Arm® Cortex®-M3内核。全组均可实现低功耗,适合多种类型的应用,如电机控制、互联物联网设备、先进传感功能等。 工程样片将从2020财年第四季度开始提供(2021年1月到3月),量产将从2021财年第二季度开始(2021年7月到9月)。此外,还将同时提供相关文档、开发工具和示例软件。 高级微控制器的最高工作频率达200MHz,闪存存储容量最大为2MB,并集成12位模数转换器,还集成了应用专用外围设备,如高效率电机控制引擎或丰富的连接接口。 主要特性: <Arm Cortex -M4内核> M4K组 电机控制硬件、符合IEC60730家电功能安全标准的自诊断功能 M4M组 电机控制硬件、CAN接口、符合IEC60730家电功能安全标准的自诊断功能 M4G组 最高工作频率200MHz、最大闪存存储容量2MB、高速通信接口、可用于多传感器连接的模拟电路、用于实现安全处理的高可靠性固件更新 M4N组 最高工作频率200MHz、最大闪存存储容量2MB、各种物联网设备(传感和通信)接口、支持高速数据传输 <Arm Cortex -M3内核> M3H组 集成LCD显示功能、符合IEC60730家电功能安全标准的自诊断功能、高效率电机控制、通过减少BOM来实现系统小型化

    时间:2021-01-13 关键词: 低功耗 微控制器 东芝

  • 东芝推出面向车载应用的5A 2通道H桥电机驱动IC

    东芝推出面向车载应用的5A 2通道H桥电机驱动IC

    中国上海,2020年12月10日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两种应用于电子节气门等车载应用的直流有刷电机驱动IC——“TB9054FTG”和“TB9053FTG”。其中“TB9054FTG”采用可润湿侧翼VQFN封装,“TB9053FTG”采用功率型QFN封装。TB9054FTG现已提供样品,预计在2022年3月开始量产;TB9053FTG将从2021年2月开始提供样品,预计在2022年5月开始量产。 电子节气门和各种车用阀门的H桥电机驱动用量正在增加,这刺激了对系统小型化和降低成本的需求。此外,第二代车载自诊断设备要求(OBDII)将于2022年监管落实,要求汽车电机驱动IC具备SPI通信功能。 今日推出的新型IC采用5A[1]2通道输出驱动,有助于缩小贴装面积。此外,并联模式下也可以提供10A[1]单通道驱动。两种驱动可以菊花链式连接,还具有仅通过SPI通信控制电机的功能。这两种方法都有助于减少MCU端口。新款电机驱动采用尺寸为6.0mm×6.0mm的小型QFN封装,旨在满足市场提出的系统小型化需求。 主要特性: Ø 内置2通道H桥驱动 输出驱动电路由低导通电阻的DMOS FET构成,实现了5A[1]2通道H桥驱动。并联模式下也可以提供10A[1]单通道驱动。 Ø SPI通信 菊花链连接和仅用SPI通信进行电机控制都能减少MCU端口数量,有利于实现系统小型化。 Ø 小型封装 TB9054FTG:配备E-pad的小贴装面积40引脚可润湿侧翼VQFN封装 TB9053FTG:配备E-pad的小贴装面积40引脚功率型QFN封装 应用: 节气门、各种发动机气门、可折叠后视镜和车身系统,包括电动门栓等车载应用。 主要规格:

    时间:2020-12-10 关键词: 电机驱动 IC 东芝

  • 降低设备总体功率损耗的型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件

    降低设备总体功率损耗的型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件

    在生活中,你可能接触过各种各样的电子产品,那么你可能并不知道它的一些组成部分,比如它可能含有的**,那么接下来让小编带领大家一起学习高压智能功率器件。 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件(IPD)。该器件采用小型表面贴装封装,设计用于空调、空气净化器和泵等产品中的电机驱动。并计划于今日开始出货。 所谓智能功率器件,就是把功率器件与传感器、检测和控制电路、保护电路及故障自诊断电路等集成为一体并具有功率输出能力的新型器件。 TPD4162F采用新工艺制造,与东芝当前的IPD产品TPD4152F相比可降低功率损耗约10%[1]。这有助于为集成该器件的设备降低总体功率损耗。 智能功率器件具有体积小、重量轻、性能好、抗骚扰能力强、使用寿命长等显著优点,可广泛用于单片机测控系统、变频调速器、电力电子设备、家用电器等领域。 TPD4162F具有各种控制电路[2]、输出级安装了IGBT和FRD。其支持从霍尔传感器或者霍尔IC直接驱动带方波输入信号的无刷直流电机,无需PWM控制器IC。与此同时,其各种内置保护电路[3]还减少了外围电路。此外,采用小型表面贴装封装HSSOP31也有助于缩小电机控制电路板的尺寸和高度。 相信通过阅读上面的内容,大家对高压智能功率器件有了初步的了解,同时也希望大家在学习过程中,做好总结,这样才能不断提升自己的设计水平。

    时间:2020-11-15 关键词: 电机 功率器件 东芝

  • 关于典型数据传输率为5Mbps的高速通信光耦解析

    关于典型数据传输率为5Mbps的高速通信光耦解析

    人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力,各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力,其实很多人并不会去了解电子产品的组成,比如高速通信光耦。 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出行业首款[1]能够在低至2.2V电压下工作的高速通信光耦。这两款器件分别是典型数据传输率为5Mbps的“TLP2312”和20Mbps的“TLP2372”。并将于今日开始出货。 光电耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。这是因为当CTR<50%时,光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF>5.0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比,这会增大光耦的功耗。 新产品能在低至2.2V的低电压下工作,因此能够适应外围电路的较低电压,甚至能配合2.5V LVCMOS这样的低电平电压电路。这种方法无需使用单独的电源驱动光耦,从而能够减少组件数量。 若用放大器电路去驱动光电耦合器,必须精心设计,保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。 新型光耦在-40℃至+125℃的工作温度范围内阈值输入电流低至1.6mA(最大值)、供电电流低至0.5mA(最大值),能够直接通过微控制器来驱动,有助于降低功耗。 为了彻底阻断干扰信号进入系统,不仅信号通路要隔离,而且输入或输出电路与系统的电源也要隔离,即这些电路分别使用相互独立的隔离电源。 新型光耦采用5引脚SO6封装,最大封装高度仅为2.3mm,为印刷电路板上的组件布局提供了更大的灵活性。 本文只能带领大家对高速通信光耦有了初步的了解,对大家入门会有一定的帮助,同时需要不断总结,这样才能提高专业技能,也欢迎大家来讨论文章的一些知识点。

    时间:2020-11-15 关键词: 通信 光耦 东芝

  • 关于两款采用小型4引脚SO6封装的新型光继电器解析

    关于两款采用小型4引脚SO6封装的新型光继电器解析

    在生活中,你可能接触过各种各样的电子产品,那么你可能并不知道它的一些组成部分,比如它可能含有的新型光继电器,那么接下来让小编带领大家一起学习新型光继电器。 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用小型4引脚SO6封装的新型光继电器“TLP170AM”和“TLP170GM”,适用于安全系统、楼宇自动化和其他工业设备。 继电器是一种主动化根本元件。它是在主动控制体系中当某些参数达到预定值时而动作使电路产生改变的电器。 新产品的最高触发LED电流为1mA,通过提升光电二极管阵列的灵敏度,降低了输入端功耗。在电池供电的安全装置和各种传感器中使用这种光继电器进行开关控制,有助于降低功耗,同时延长设备的使用寿命。 继电器一般不直接控制主电路,而是经由过程接触器或其他电器来对主电路进行控制,是以其体积小,触头断流容量较小,无灭弧装配。但电路对继电器的精确性请求较高。 TLP170AM的断态输出端额定电压为60V,恒定导通电流(ION)为0.7A,脉冲状态工作时最高可达2.1A。TLP170GM为350V版本,ION恒定电流为110mA,脉冲状态工作时为330mA。 继电器按应用范围可分为保护继电器、控制继电器、通信继电器、航空开关回路电阻测试仪采取先辈的年夜功率开关电源技巧和先辈的电子线路精制而成。是高、低开关、电缆电线及焊缝接触电阻的专用测试仪器。 4引脚SO6封装可提供3750Vrms的最低绝缘电压,方便在要求高绝缘性能的设备中使用这些器件。 相信通过阅读上面的内容,大家对新型光继电器有了初步的了解,同时也希望大家在学习过程中,做好总结,这样才能不断提升自己的设计水平。

    时间:2020-11-14 关键词: 光电二极管 可编程逻辑控制器 东芝

  • 东芝推出具有更高电源线稳定性的高纹波抑制比、低噪声LDO稳压器

    东芝推出具有更高电源线稳定性的高纹波抑制比、低噪声LDO稳压器

    中国上海,2020年10月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出由32款LDO稳压器产品组成的“TCR3RM系列”,为智能手机和可穿戴设备等移动电子设备提供更稳定的直流电源。该系列的首批产品将于今日开始出货,其他产品也将陆续上市。 新款TCR3RM系列将带隙电路、低通滤波器(仅允许通过极低频率)以及低噪声高速运算放大器相结合,旨在实现业界领先的[1]高纹波抑制比[2]和低输出噪声电压。 该系列32款产品提供的最大输出电流为300mA,输出电压在0.9V至4.5V之间。客户可根据实际应用选择输出电压。 该系列产品采用尺寸仅为1mm×1mm的紧凑型DFN4C封装,适合作为需要高密度贴装的移动设备,类似智能手机和可穿戴设备中摄像头、音频,以及射频电路的电源使用。 在普通的LDO稳压器中,当输入电压噪声频率超过1kHz时,频率每升高10倍,纹波抑制比就降低大约20dB。当噪声频率超过100kHz时,频率每升高10倍,纹波抑制比就降低大约40dB。因此,LDO稳压器可能不足以消除DC-DC转换器电路或类似电路中产生的频率超过100kHz的噪声。 新产品提供了优异的纹波抑制比和输出噪声电压特性,即使噪声频率达到或超过100kHz,也能够消除电路噪声。这有助于稳定电源电压,并提供较高的输出电压精度。 应用: · 移动设备 · 智能手机 · 可穿戴设备 · 音频系统 · 射频电路等 特性: · 高纹波抑制比: R.R.=100dB(典型值)@f=1kHz,VOUT=2.8V R.R.=68dB(典型值)@f=100kHz,VOUT=2.8V · 低输出噪声电压:VNO=5μVrms(典型值)@10Hz≤f≤100kHz · 低静态电流:IB(ON)=7μA(典型值)@IOUT=0mA · 小巧纤薄的紧凑型DFN4C封装:1.0mm×1.0mm,厚度=0.38mm(典型值) 主要规格: 注释: [1] 最大输出电流为300mA的LDO稳压器,截至2020年10月28日的东芝调研结果。 [2] 纹波抑制比(R.R.:Ripple rejection Ratio)与标明在其他制造商的产品上的电源抑制比(PSRR:Power Supply Rejection Ratio)相同。 [3] 32款产品。该数字说明输出电压达到“XX”。 [4] 控制下拉电流(ICT)除外。

    时间:2020-10-30 关键词: 低噪声 ldo稳压器 东芝

  • 东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC,推荐应用为移动设备和家用电器

    东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC,推荐应用为移动设备和家用电器

    中国上海,2020年10月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出H桥电机驱动IC“TC78H660FNG”,且采用了TSSOP16封装和广泛使用的引脚分配。这是东芝直流有刷电机和步进电机驱动产品系列中的最新成员,适用于包括移动设备和家用电器在内的众多应用。 东芝的新一代DMOS工艺让TC78H660FNG能够在最大额定值为18V/2.0A[1]时实现低至0.48Ω的导通电阻,较东芝的现有产品发热更低。 新款驱动内置了用于驱动内部逻辑电路的稳压电源,可使用2.5V至16V的单电源来驱动电机。其应用范围广泛,其中包括由3.7V锂离子电池供电的移动设备、5V USB供电的设备以及由12V电压供电的家电系统设备。此外,它也支持1.8V的低压接口。 特性: Ø 单电源驱动,简单的PWM控制 Ø 导通电阻低,较东芝的现有产品发热更低(Ron=0.48Ω(高侧+低侧:典型值)@VM=12V,Ta=25℃) Ø 电流消耗低(超低待机电流:0.1mA或更低@Ta=25℃) 应用: Ø 电池供电移动设备,包括机器人和玩具;家用电器,包括冰箱、智能电表等 主要规格:

    时间:2020-10-22 关键词: pwm 电机驱动 东芝

  • 东芝发力量子加密技术 :量子信息技术开始起飞

    东芝发力量子加密技术 :量子信息技术开始起飞

    众所周知,中国在试点量子通信的应用数量和网络建设规模方面领先全球,量子通信工程试验的规模远超其他国家。2017年,中国建成了全球首条长达2000公里的商用量子保密通信线路“京沪干线”。 国家承诺对量子信息技术的资金投入推动了资本市场上涨。周一开盘,量子科技领域龙头企业国盾量子等公司股价迅速飙升。 截至当日上午收盘,A股量子通信板块涨幅超过5%,国盾量子股价涨幅超过14%。科大国创、蓝盾股份、光库科技股价涨停,神州信息涨幅6.6%。 中国鼓励在量子技术领域加大投入之际,日本东芝公司周一也宣布了一项雄心勃勃的目标。东芝公司表示,到2030年,通过其先进的量子加密技术提供的数据保护解决方案,将为公司创造30亿美元的收入。 东芝采用的这项网络安全技术方案为量子密钥分发(QKD)技术,它利用量子物理学的性质为两个远程方提供加密密钥,从而能够避免其受到量子计算机驱动的网络攻击。 量子计算机的强大计算能力可以轻松地破解金融、国防和医疗保健领域常用的基于数学的传统密码密钥。东芝公司预计,随着量子计算机的发展,全球QKD市场规模将在10年内增长到120亿美元。 分析人士认为,加大对量子加密技术的投入,将能为这家庞大的日本科技工业巨头提供未来增长的动力。中国科学技术大学首批参与量子通信技术产业化的研究人员赵义博对第一财经记者表示:“东芝擅长高速电路设计和模拟电路设计,在高速QKD方面的能力领先。” 保障网络安全已成为国防、金融、电力等领域最迫切的任务,这催生了全球对高级密码技术的需求。中国也正在积极扩展QKD的网络基础设施,包括使用中继量子信号的量子通信卫星。 “量子通信中最典型的应用方式之一就是量子密钥分发(QKD)。QKD可以提供一种原理上安全的通信手段,也是首个从实验室走向实际应用的量子信息技术,并已成为物理学最有活力的前沿研究方向之一。”一家中国量子通信领域企业技术人员向第一财经记者表示。 他还表示,理论安全性方面,量子密钥分发系统目前主要采用诱骗态BB84协议,其原理上的安全性在2002至2005年间得到严格证明。 中国科学技术大学潘建伟院士团队在国际上首次实验实现了多个重要的新型协议,包括诱骗态、测量器件无关和双场等协议,极大地推动了QKD的现实安全性。 此外,中国的多项研究成果已经逐步进入实际应用阶段。根据国盾量子此前披露的公开信息,公司正在高性能QKD技术、实用化星地量子通信系统研究和量子通信芯片化技术等领域进行投入。 专业人士指出,高性能QKD技术一方面依赖于新协议和新方法的持续突破,另一方面也依赖于芯片化能力,中国在芯片化方面仍然需要进一步加强。 此外,目前东芝已经与美国的韦里孙(Verizon Communications)和英国电信(BT Group)合作进行QKD试点项目,并正在与韩国的另一家电信运营商进行谈判。

    时间:2020-10-20 关键词: 加密 东芝

  • 东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

    东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

    中国上海,2020年10月19日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。 该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。 新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产,实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)“GT40QR21”相比,“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右,开关时间(下降时间)缩短大约70%,并且能够在不超过20A的漏极电流下提供低导通电压。 它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内,有助于减少故障风险(意外开启或关闭)。此外,内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功率损耗。 在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中,这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的,而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。 应用: ・大容量AC-DC转换器 ・光伏逆变器 ・大容量双向DC-DC转换器 特性: ・第2代芯片设计(内置碳化硅SBD) ・高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压:     VDSS=1200V,Ciss=1680pF(典型值),Qg=67nC(典型值),     RDS(ON)=70mΩ(典型值),VDSF=-1.35V(典型值),Vth=4.2~5.8V ・增强类型易于操作 主要规格:

    时间:2020-10-19 关键词: MOSFET 碳化硅 东芝

  • 东芝宣布退出长期亏损的LSI芯片业务!

    东芝宣布退出长期亏损的LSI芯片业务!

    9月29日的消息,东芝公司今日宣布,该公司将退出长期处于亏损状态的LSI芯片业务,以提高集团的利润率。 东芝LSI芯片业务包括该公司向丰田汽车提供的用于图像识别的处理器。东芝表示,在退出业务后,将继续为现有客户提供销售和支持业务。 东芝表示,对于LSI业务的770名员工,东芝计划为他们提供转岗或提前退休方案。这将让东芝遭受118亿日元(约合1.1177亿美元)的损失,这部分损失已经计入了其业绩展望。 另外,东芝的电源管理芯片业务将继续保留。 东芝公司在一份声明中表示,该公司已经决意退出,并将建立一个稳固、不容易受市场波动影响的业务结构。 此前,为了填补财务漏洞,东芝在2018年以180亿美元将其闪存芯片业务出售给了由贝恩资本所牵头的财团,目前该业务已改名为铠侠(Kioxia)。 受疫情、市场持续波动等不确定性因素影响,铠侠周一推迟了原本计划在10月的上市计划。

    时间:2020-09-29 关键词: lsi 芯片 东芝

  • 东芝推出超低电流消耗的CMOS运算放大器,可延长电池供电设备的工作时间

    东芝推出超低电流消耗的CMOS运算放大器,可延长电池供电设备的工作时间

    中国上海,2020年9月29日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其产品线中新增了新型CMOS运算放大器“TC75S102F”,该产品拥有行业领先的超低电流消耗。新产品将于今日开始出货。 运算放大器用于放大从传感器发出的微弱信号。为了延长物联网边缘设备和移动设备等需要电池供电的电子设备的充电间隔时间,它们也必须降低电流消耗。 东芝利用其专有的CMOS工艺技术对新型运算放大器的电路进行了优化,其电流消耗很低,行业领先,从而实现低功耗。新款器件最低供电电压为1.5V,是一款能实现全范围输入/输出(轨到轨输入/输出)的运算放大器,性能优于其前代产品。 应用: ・电池供电设备中的各类传感器 ・物联网模块 特性: ・超低的电流消耗:     IDD=0.27μA(典型值)@VDD=1.5V     IDD=0.35μA(典型值)@VDD=5.0V ・宽工作电压范围:VDD-VSS=1.5V至5.5V ・全范围输入输出(轨到轨输入输出) 主要规格:

    时间:2020-09-29 关键词: cmos 运算放大器 东芝

  • 东芝推出采用最新封装的光继电器,助力实现高密度贴装

    东芝推出采用最新封装的光继电器,助力实现高密度贴装

    中国上海,2020年9月14日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出三款光继电器---TLP3480、TLP3481和TLP3482,这三款光继电器均采用P-SON4封装。这种全新封装的贴装面积显著小于SOP封装。新产品将于今日开始出货。 这三款新型光继电器均提供了可媲美SOP封装产品的断态输出端额定电压和导通额定电流。取决于具体器件,额定值从30V/4.5A到100V/2A不等。 新型P-SON4封装的贴装面积为7.2mm²(典型值),比2.54SOP4封装小74%,比2.54SOP6封装小84%,非常适合高密度贴装。此外,这些继电器在接收器中还采用了东芝最新的MOSFET芯片[1],实现了低导通电阻。 TLP3480、TLP3481和TLP3482具备高导通额定电流,分别为4.5A、3A和2A。这些光继电器能够广泛应用于多种类型的测量设备应用。 应用: ・半导体测试设备(存储器、SoC、LSI等测试设备) ・探测卡 ・I/O接口板 特性: ・新型小型封装P-SON4:2.1×3.4mm(典型值),贴装面积7.2mm²(典型值) ・高导通额定电流 TLP3480:断态输出端额定电压:30V,导通额定电流:4.5A TLP3481:断态输出端额定电压:60V,导通额定电流:3A TLP3482:断态输出端额定电压:100V,导通额定电流:2A 主要规格:

    时间:2020-09-14 关键词: 光继电器 tlp3480 东芝

  • 芯片制造商铠侠拟在东京证券交易所上市 估值约200亿美元

    芯片制造商铠侠拟在东京证券交易所上市 估值约200亿美元

    8月28日消息,据国外媒体报道,日本芯片制造商铠侠(原东芝存储器)计划在东京证券交易所上市,公司估值约200亿美元。 铠侠产品 东京证券交易所表示,铠侠股东贝恩和东芝计划在IPO中出售部分持股,铠侠将另外再发行2,160万股新股。 铠侠表示,初步预计每股发行价为3,960日圆,这将使该公司的估值达到2.13万亿日圆(约合200亿美元)。铠侠计划在10月6日上市。 铠侠(Kioxia)一词由日语的“记忆(kioku)”和希腊语的“价值(axia)”两个词组合而成,融合了“记忆”与“价值”的双重含义。 贝恩资本牵头的财团2018年以180亿美元收购了全球第二大NAND闪存生产商东芝存储器多数股权。该财团成员包括苹果公司、韩国芯片制造商SK海力士(SK Hynix)、戴尔科技集团、希捷科技以及金士顿科技公司。东芝仍保留了40%的股份。

    时间:2020-09-14 关键词: 存储器 芯片 铠侠 东芝存储器 东芝

  • 东芝开发出高效OLED元件 发光效率接近LED

      近期,东芝开发出了一款8cm&TImes;7cm高发光效率照明用OLED元件,发光效率高达91lm/W。   2012年3月东芝向外界展出的OLED元件的发光效率为60lm/W。近半年来,东芝采用多种改进方法,改变电子传输层的材料、在作为透明电极明的ITO中追加金属辅助布线、将背面电极(阴极)材料从原来采用的铝(Al)改为反射率高的其他材料等等一系列措施大幅提升了其发光效率。   有分析称,东芝用于提升OLED元件发光效率的方法从某种程度上而言并不属于新技术,但却非常有效。东芝最大特点在于,仅凭简单的元件构造以及标准的发光材料实现了大面积、高效率且低电压动作。   据悉,很多公司为了获得高发光效率,大多在元件的表面采用提高光提取效率的技术。如,在透明电极附近增加高折射率层,以及在元件表面形成独有的光提取层等方法。  

    时间:2020-09-07 关键词: oled元件 东芝

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