在半导体照明装置中,通常采用高功率高亮度的发光二极管(LED)作为光源,当在发光二极管中通以电流时,电 子与空穴会直接复合,从而释放能量发光,其具有功耗小、使用寿命长等优点,在照明领域应用广泛。然而,目前的光电转换效率较低,有很大比重转化为热能,故LED芯片上的功率密度很大。大的功率密度对器件的散热也提出了高的要求,发光二极管中封装件散热问题已成为影响其产业化发展的重大问题。
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