内存;自主研发;半浮栅极晶体管技术

中国内存从此起飞?

　　我国的DRAM内存、NAND闪存技术与电子技术发达国家相比要落后多年，像韩国三星、日本的东芝等企业，一直是我们追逐的对象。而中国的科学研究人员在此方面也获得了喜人的成就。就在数月前国内媒体报道我国的PCM相变内存项目已经开工建设，价值130亿元的项目正如火如地荼施工中。更值得提到了的是，这个包含复旦大学科研团队心血基于半导体结构的二维非易失性存储芯片性能将是以往此类芯片的1000倍之多，刷新时间是传统内存的150多倍，其超高的耐用性是国产芯片的一大优势!