半导体材料 - 21ic中国电子网

当前位置：首页 > 半导体材料

天线架构和波束形成的趋势

在诸如硅(Si)，砷化镓(GaAs)和最近的氮化镓(GaN)等半导体材料的推动下，数字化水平不断提高，AESA技术继续快速发展。与早期的半导体晶体管相比，半导体材料的进步带来了更高的电压处理能力，更高的导热率和效率。因此，这些技术可显着改善射频性能——更高的输出功率，更高的工作频率，更宽的带宽和出众的可靠性。天线技术也正在朝着数字化的方向发展，消除了老式的模拟元件，并实现了更高的效率和更大的工作动态范围。总的来说，这些新型材料和技术的发展，使得天线架构和波束形成中微型化和集成度的不断提高，这为颠覆性的优势和雷达应用创造了机会。下图展示了天线架构和波束形成的趋势，它们反映了雷达的过去和现在。与过去专注于解决设备过时的问题相比，现代雷达体系结构专为技术嵌入，性能增长和长期可持续性应用而设计。近年来，依靠雷达来应对各种各样的威胁，从小型、行动缓慢的无人机到超小型、快速且灵敏的导弹。同时使用一台雷达检测常规目标之上的这些威胁，对雷达设计提出了相互矛盾的要求。例如，对于在高速，高机动和弹出目标中检测短反应时间的要求与在苛刻的混乱环境中检测慢速目标的观察时间长的要求相冲突。这导致了在规划和利用雷达时间能量预算方面的冲突，迄今为止，已经通过引入不同的雷达模式来解决这一问题。因此，引入了双轴多波束形成(Dual-axis multi-beam)的新颖解决方案，以增加观察时间而又不影响反应时间，并允许一部雷达同时完成各种功能和任务——多功能雷达。双轴多波束包括多个同时接收的方位和俯仰波束。下图是具有多个同时接收波束的宽发射波束。由于加宽导致减小的发射波束增益可由目标持续时间增加引起的高处理增益所补充。从本质上讲，双轴多波束成形是20世纪70年代引入的一种现代形式的叠加波束雷达，它通过创新性地利用AESA技术改善了雷达设计的权衡因素。单个颜色表示同时具有接收波束的发射波束多普勒域还利用增加观察时间来提高非对称威胁的可检测性，特别是低、慢和小型(LSS)目标(如无人机)的出现。在LSS空间中，感兴趣的目标必须与鸟类，道路和行人交通相抗衡。多波束的观察时间越长，返回的质量越高。由最新的数字信号处理器支持的有限冲激响应不是使用经典的快速傅立叶变换对这些返回值进行多普勒处理，而是提供了独立的滤波器控制功能来增强可检测性并提取独特的功能以帮助目标分类。这些不断发展的技术和新兴概念的融合带来了两个关键的雷达发展，即图所示的G550紧缩型机载预警(CAEW)雷达和图所示的多功能雷达(MMR)。虽然20世纪90年代的MFR天线装有数十个TRM，但CAEW的MFR和MMR天线各自装有数百个TRM。与E-2C 鹰眼的情况不同，天线阵列被吸收到湾流G550飞机机架上，没有活动或旋转部件。如果没有创新的天线架构，以及硬件小型化和高度的射频数字集成，就不可能在公务机上安装MFR。一个MMR可满足多种感知需求——监视，预警和防空作用——压缩“观察-定位-决策-行动”(OODA)循环。与采购单个传感器来实现每个功能相比，运行单个系统是一种经济高效的解决方案。它还减少了选址和人员配备的需求，在新加坡土地面积有限和出生率下降的背景下，这尤其令人信服。DSTA将MMR概念化，与志趣相投的雷达供应商合作开发，并且是第一个提供此功能的公司。免责声明：本文内容由21ic获得授权后发布，版权归原作者所有，本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点，不代表本平台立场，如有问题，请联系我们，谢谢！

时间：2020-06-03 关键词：天线技术半导体材料
先导交付国内首套G4.5代高迁移率氧化物靶材

金属氧化物半导体因具备迁移率良好、稳定性高、均匀性高、制造成本低等优点，被认为是可能取代硅基薄膜晶体管的新一代沟道层半导体材料。在平板显示领域，特别是在超高清，柔性显示以及印刷显示等新型显示技术方面具有巨大的应用潜力。集微网消息，由先导薄膜材料(广东)有限公司研发生产的G4.5代线镧系稀土掺杂金属氧化物(Ln-IZO)靶材成功交付给华星光电，据先导集团官方消息，这是国内首套G4.5代高迁移率氧化物靶材。该靶材基于华南理工大学发明的薄膜晶体管用高迁移率稀土掺杂氧化物半导体材料，是新一代的TFT半导体沟道层材料，其先进的性能可满足未来超高清显示、柔性显示对沟道层材料的应用需求。 2019年，先导薄膜材料(广东)有限公司与华南理工大学、广州新视界光电科技有限公司、深圳市华星光电半导体显示技术有限公司、广东省半导体产业技术研究院联手组建了从基础研究到产品应用端的产学研用技术团队。该团队以华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室曹镛院士团队所开发的新型稀土掺杂金属氧化物靶材(Ln-IZO)技术为基础，以先导薄膜的靶材开发与量产制备技术为核心，结合材料基础研究、TFT器件工艺技术，开展了“薄膜晶体管用高迁移率氧化物半导体溅射靶材研究及应用”项目。经过反复研发测试，开发出此G4.5的Ln-IZO靶材,交付华星光电上线使用，此为该项目的第一个重要成果。 Ln-IZO靶材摒弃传统基于IGZO的多元掺杂体系，采用In2O3或SnO2等高迁移率氧化物半导体作为基体材料，可有效替代非晶硅及多晶硅及IGZO材料，在保证稳定性的同时，确保高迁移率的优势，可实现器件的高分辨率、高响应速度、低能耗、低噪音，有效突破TFT器件关键材料技术，改善知识产权被动局面。

时间：2020-05-29 关键词：半导体材料 g4.5代氧化物靶材
氮化镓的发展前景，你知道吗？

什么是氮化镓?它有什么作用?氮化镓一直是永不落伍的热点话题，只是因为它与我们的生活息息相关，那是因为我们的日常更是离不开半导体技术，比如说：电器、手机、电脑以及各种电子设备等都需要半导体来实现，由此更能看出，半导体材料的未来前景更是一片光明，目前最新的半导体材料还是GaN，本文带各位了解2020年的氮化镓(GaN)又会有着怎样的机遇? 简述GaN概念：氮化镓，化学式GaN，最直白的解释就是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下，产生紫光(405nm)激光。 GaN的分类以及应用： GaN器件可大致分为功率器件和射频器件两类。在细分下去功率器件方面可以应用到无线充电件、电源开关、LiDAR、逆变器这几个领域;同样射频器件可以应用到基站、卫星、雷达这三方面的领域中。 GaN又有何优缺点? ①禁带宽度大(3.4eV)，热导率高(1.3W/cm-K)，则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强; ②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度(电子漂移速度不易饱和); ③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素); ④晶格对称性比较低(为六方纤锌矿结构或四方亚稳的闪锌矿结构)，具有很强的压电性(非中心对称所致)和铁电性(沿六方c轴自发极化)：在异质结界面附近产生很强的压电极化(极化电场达2MV/cm)和自发极化(极化电场达3MV/cm)，感生出极高密度的界面电荷，强烈调制了异质结的能带结构，加强了对2-DEG的二维空间限制，从而提高了2-DEG的面密度(在AlGaN/GaN异质结中可达到1013/cm2，这比AlGaAs/GaAs异质结中的高一个数量级)，这对器件工作很有意义。总之，从整体来看，GaN的优点弥补了其缺点，特别是通过异质结的作用，其有效输运性能并不亚于GaAs，而制作微波功率器件的效果(微波输出功率密度上)还往往要远优于现有的一切半导体材料。未来GaN又该如何发展? 氮化镓是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，在光电子、激光器、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。氮化镓材料的发展有何难题? 一是如何获得高质量、大尺寸的GaN籽晶，因为直接采用氨热方法培育一个两英寸的籽晶需要几年时间二是氮化镓产业链尚未完全形成。总结：随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来，我国半导体材料市场发展迅速。以氮化镓为主的材料更是备受关注。尽管如此，但产业难题仍待解决，如我国材料的制造工艺和质量并未达到世界顶级，材料制造设备依赖于进口严重，氮化镓材料和器件方面产业链尚未形成等，这些问题需逐步解决，方可让国产半导体材料屹立于世界顶尖行列。以上就是氮化镓的解析，希望能给大家帮助。

时间：2020-05-25 关键词：功率器件半导体材料射频器件
三代半导体材料之间的区别？

半导体材料共经历了三个发展阶段，那么有网友有疑问：第三代半导体材料诞生之后，第一代和第二代半导体材料还在发挥作用吗?以及第三代半导体相较第一代、第二代有哪些进步?这三代半导体之间有什么技术区别?为何氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在第三代半导体中备受追捧? 第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体原料; 第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表; 第三阶段是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化锌(ZnSe)等宽带半导体原料为主。半导体材料与器件发展史在材料领域的第一代，第二代，第三代并不具有“后一代优于前一代”的说法。国外一般会把氮化镓、碳化硅等材料叫做宽禁带半导体;把氮化镓、氮化铝、氮化铟和他们的混晶材料成为氮化物半导体、或者把氮化镓、砷化镓、磷化铟成为III-V族半导体。我国采用的第三代半导体材料的说法是与人类历史上的由半导体材料大规模应用带来的三次产业革命相对应。目前，第三代半导体正在高速发展，第一、二代半导体也仍在产业中大规模应用，发挥第三代半导体无法替代的作用。第一代半导体材料兴起时间：二十世纪五十年代; 代表材料：硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。历史意义：第一代半导体材料引发了集成电路(IC)为核心的微电子领域迅速发展。由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低，Si 在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。但第一代半导体具有技术成熟度较高且具有成本优势，仍广泛应用在电子信息领域及新能源、硅光伏产业中。硅在光伏领域应用产业链第二代半导体材料兴起时间：20世纪九十年代以来,随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。代表材料：第二代半导体材料是化合物半导体;如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体)，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。性能特点：以砷化镓为例，相比于第一代半导体，砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温的特性，因此广泛应用在主流的商用无线通信、光通讯以及国防军工用途上。历史意义：第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的兴起，还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。如相比于第一代半导体，砷化镓(GaAs)能够应用在光电子领域，尤其在红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。从21世纪开始，智能手机、新能源汽车、机器人等新兴的电子科技发展迅速，同时全球能源和环境危机突出，能源利用趋向低功耗和精细管理，传统的第一、二代半导体材料由于自身的性能限制已经无法满足科技的需求，这就呼唤需要出现新的材料来进行替代。第三代半导体材料起源时间：美国早在1993年就已经研制出第一支氮化镓的材料和器件，而我国最早的研究队伍——中国科学院半导体研究所在1995年也起步该方面的研究，并于2000年做出HEMT结构材料。代表材料：第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带(Eg》2.3eV)半导体材料。发展现状：在5G通信、新能源汽车、光伏逆变器等应用需求的明确牵引下，目前，应用领域的头部企业已开始使用第三代半导体技术，也进一步提振了行业信心和坚定对第三代半导体技术路线的投资。性能分析：与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度(>2.2eV)、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。半导体主要材料及应用第三代半导体中，SiC 与 GaN 相比较，前者相对 GaN 发展更早一些，技术成熟度也更高一些;两者有一个很大的区别是热导率，这使得在高功率应用中，SiC占据统治地位;同时由于GaN具有更高的电子迁移率，因而能够比SiC 或Si 具有更高的开关速度，在高频率应用领域，GaN具备优势。从下表常用的“优值(Figure of Merit, FOM)”可以清晰地看出，SiC和GaN相较于前两代半导体材料在功能与特性上有了巨大的提升。 GaN和SiC在材料性能上各有优劣，因此在应用领域上各有侧重和互补。如GaN的高频Baliga优值显著高于SiC，因此GaN的优势在高频小电力领域，集中在1000V以下，例如通信基站、毫米波等。SiC的Keye优值显著高于GaN，因此SiC的优势在高温和1200V以上的大电力领域，包括电力、高铁、电动车、工业电机等。在中低频、中低功率领域，GaN和SiC都可以应用，与传统Si基器件竞争。第三代半导体-氮化镓(GaN) GaN器件主要包括射频器件、电力电子功率器件、以及光电器件三类。GaN的商业化应用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直接带隙特性和光谱特性，相关产业已经发展的非常成熟。射频器件和功率器件是发挥GaN宽禁带半导体特性的主要应用领域. 应用优势：体积小、高频高功率、低能耗速度快;5G通信将是GaN射频器件市场的主要增长驱动因素。 5G基站会用到多发多收天线阵列方案，GaN射频器件对于整个天线系统的功耗和尺寸都有巨大的改进。在高功率，高频率射频应用中，获得更高的带宽、更快的传输速率，以及更低的系统功耗此外，GaN射频功率晶体管，可作为新的固态能量微波源，替代传统的2.45GHz磁控管，应用于从微波炉到高功率焊接机等消费电子和工业领域。 2017年全球功率半导体市场规模为327亿美元，预计到2022年达到426亿美元。工业、汽车、无线通讯和消费电子是前四大终端市场。第三代半导体-碳化硅(SiC) SiC从上世纪70年代开始研发。2001年SiCSBD商用，2010年SiCMOSFET商用。SiCIGBT目前还在研发中。SiC能大大降低功率转换中的开关损耗，因此具有更好的能源转换效率，更容易实现模块的小型化，更耐高温。 SiC功率器件的主要应用：智能电网、交通、新能源汽车、光伏、风电;新能源汽车是SiC功率器件市场的主要增长驱动因素。目前SiC器件在新能源车上应用主要是功率控制单元(PCU)、逆变器，DC-DC转换器、车载充电器等方面。 2017年全球SiC功率半导体市场总额达3.99亿美元。预计到2023年，SiC功率半导体的市场总额将达16.44亿美元。第一、二代半导体技术长期共存：现阶段是第一、二、三代半导体材料均在广泛使用的阶段。为什么第二代的出现没有取代第一代呢?第三代半导体是否可以全面取代传统的半导体材料呢? 那是因为Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。第三代有望全面取代：第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。新基建为国内半导体厂商提供巨大发展机遇：我国在第三半导体材料上的起步比较晚，且相对国外的技术水平较低。这是一次弯道超车的机会，但是我国需要面对的困难和挑战还是很多的。 4月20日，国家发改委首次官宣“新基建”的范围，正式定调了5G基建、人工智能、工业互联网等七大领域的发展方向。“新基建”作为新兴产业，一端连接着不断升级的消费市场，另一端连接着飞速发展的科技创新。以碳化硅(SiC)以及IGBT为核心的功率半导体，支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设;以AI芯片为核心的SOC芯片，支撑着数据中心、人工智能系统的建设。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料。在“新基建”与国产替代的加持下，国内半导体厂商将迎来巨大的发展机遇。

时间：2020-05-22 关键词：碳化硅氮化镓半导体材料
半导体材料的全方位解读，你真的了解吗？

说到半导体，你真的了解半导体材料吗?自然界中的物质，根据其导电性能的差异可划分为导电性能良好的导体(如银、铜、铁等)、几乎不能导电的绝缘体(如橡胶、陶瓷、塑料等)和半导体(如锗、硅、砷化镓等)。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质。它的导电能力会随温度、光照及掺入杂质的不同而显著变化，特别是掺杂可以改变半导体的导电能力和导电类型，这是其广泛应用于制造各种电子元器件和集成电路的基本依据。半导体材料的特点半导体材料是一类具有半导体性能，用来制作半导体器件的电子材料。常用的重要半导体的导电机理是通过电子和空穴这两种载流子来实现的，因此相应的有N型和P型之分。半导体材料通常具有一定的禁带宽度，其电特性易受外界条件(如光照、温度等)的影响。不同导电类型的材料是通过掺入特定杂质来制备的。杂质(特别是重金属快扩散杂质和深能级杂质)对材料性能的影响尤大。因此，半导体材料应具有很高的纯度，这就不仅要求用来生产半导体材料的原材料应具有相当高的纯度，而且还要求超净的生产环境，以期将生产过程的杂质污染减至最小。半导体材料大部分都是晶体，半导体器件对于材料的晶体完整性有较高的要求。此外，对于材料的各种电学参数的均匀性也有严格的要求。半导体材料的应用半导体材料的早期应用：半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管(也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波)。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜整流器。1931年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于侦测飞机和舰船。二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次侦测到了德国的飞机。今天，半导体已广泛地用于家电、通讯、工业制造、航空、航天等领域。1994年，电子工业的世界市场份额为6910亿美元，1998年增加到9358亿美元。而其中由于美国经济的衰退，导致了半导体市场的下滑，即由1995年的1500多亿美元，下降到1998年的1300多亿美元。经过几年的徘徊，目前半导体市场已有所回升。制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。 1、元素半导体材料硅在当前的应用相当广泛，他不仅是半导体集成电路，半导体器件和硅太阳能电池的基础材料，而且用半导体制作的电子器件和产品已经大范围的进入到人们的生活，人们的家用电器中所用到的电子器件80%以上与案件都离不开硅材料。锗是稀有元素，地壳中的含量较少，由于锗的特有性质，使得它的应用主要集中与制作各种二极管，三极管等。而以锗制作的其他钱江如探测器，也具有着许多的优点，广泛的应用于多个领域。 2、有机半导体材料有机半导体材料具有热激活电导率，如萘蒽，聚丙烯和聚二乙烯苯以及碱金属和蒽的络合物，有机半导体材料可分为有机物，聚合物和给体受体络合物三类。有机半导体芯片等产品的生产能力差，但是拥有加工处理方便，结实耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。 3、非晶半导体材料非晶半导体按键合力的性质分为共价键非晶半导体和离子键非晶半导体两类，可用液相快冷方法和真空蒸汽或溅射的方法制备。在工业上，非晶半导体材料主要用于制备像传感器，太阳能锂电池薄膜晶体管等非晶体半导体器件。 4、化合物半导体材料化合物半导体材料种类繁多，按元素在周期表族来分类，分为三五族，二六族，四四族等。如今化合物半导体材料已经在太阳能电池，光电器件，超高速器件，微波等领域占据重要位置，且不同种类具有不同的应用。总之，半导体材料的发展迅速，应用广泛，随着时间的推移和技术的发展，半导体材料的应用将更加重要和关键，半导体技术和半导体材料的发展也将走向更高端的市场。第二代半导体材料的发展方向当前化合物半导体产业发展主要体现在以下五个方面。 1.消费类光电子。光存贮、数字电视与全球家用电子产品装备无线控制和数据连接的比例越来越高，音视频装置日益无线化。再加上笔记本电脑的普及，这类产品的市场为化合物半导体产品的应用带来了庞大的新市场。 2.汽车光电子市场。目前汽车防撞雷达已在很多高档车上得到了实用，将来肯定会越来越普及。汽车防撞雷达一般工作在毫米波段，所以肯定离不开砷化镓甚至磷化铟，它的中频部分才会用到锗硅。由于全球汽车工业十分庞大，因此这是一个必定会并发的巨大市场。 3.半导体照明技术的迅猛发展。基于半导体发光二极管(LED)的半导体光源具有体积小、发热量低、耗电量小、寿命长、反应速度快、环保、耐冲击不易破、废弃物可回收，没有污染，可平面封装、易开发成轻薄短小产品等优点，具有重大的经济技术价值和市场前景。特别是基于LED的半导体照明产品具有高效节能、绿色环保优点，在全球能源资源有限和保护环境可持续发展的双重背景下，将在世界范围内引发一场划时代的照明革命，成为继白炽灯、荧光灯之后的新一代电光源，进入到千家万户。目前LED已广泛用于大屏幕显示、交通信号灯、手机背光源等，开始应用于城市夜景美化亮化、景观灯、地灯、手电筒、指示牌等，随着单个LED亮度和发光效率的提高，即将进入普通室内照明、台灯、笔记本电脑背光源、LCD显示器背光源等，因而具有广阔的应用前景和巨大的商机。 4.新一代光纤通信技术。新一代的40Gbps光通信设备不久将会推向市场，代替25Gbps设备投入大量使用。而这些设备中将大量使用磷化铟、砷化镓、锗硅等化合物半导体集成电路。 5.移动通信技术正在不断朝着有利于化合物半导体产品的方向发展。目前二代半(2.5G)技术成为移动通信技术的主流，同时正在逐渐向第三代(3G)过渡。二代半技术对功放的效率和散热有更高的要求，这对砷化镓器件有利。3G技术要求更高的工作频率，更宽的带宽和高线性，这也是对砷化镓和锗硅技术有利的。目前第四代(4G)的概念已明确提出来了。4G技术对手机有更高的要求。它要求手机在楼内可接入无线局域网(WLAN)，即可工作到2.4GHz和5.8GHz，在室外可在二代、二代半、三代等任意制式下工作。因此这是一种多功能、多频段、多模式的移动终端。从系统小巧来说，当然会希望实现单芯片集成(SOC)，但单一的硅技术无法在那么多功能和模式上都达到性能最优。要把各种优化性能的功能集成在一起，只能用系统级封装(SIP)，即在同一封装中用硅、锗硅、砷化镓等不同工艺来优化实现不同功能，这就为砷化镓带来了新的发展前景。以上就是半导体材料的解读，希望能给大家帮助。

时间：2020-05-01 关键词：半导体材料砷化镓氮化硅
你知道常见的半导体材料吗？

什么是半导体材料?它有什么作用?半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围(上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的;因角标不可用，暂用当前描述)。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体半导体材料内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构，所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物，例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗(Ge)放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。采用元素半导体硅(Si)以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。半导体材料有哪些半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物)，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。常见的半导体材料特点常见的半导体材料有硅(si)、锗(ge)，化合物半导体，如砷化镓(gaas)等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼(b)、磷(p)、锢(in)和锑(sb)等。其中硅是最常用的一种半导体材料。有以下共同特点： 1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2.半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3.在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。据美国物理学家组织网报道，一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新研究有望让人造皮肤、智能绷带、柔性显示屏、智能挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。在目前的消费市场上，电子产品都很昂贵，主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有机电子产品不仅制造方便、成本低廉，而且轻便柔韧可弯曲，代表了“电子设备无处不在”这一未来趋势。以前的研究表明，碳结构越大，其性能越优异。但科学家们一直未曾研究出有效的方法来制造更大的、稳定的、可溶解的碳结构以进行研究，直到此次祖切斯库团队研制出这种新的用于制造晶体管的有机半导体材料。有机半导体是一种塑料材料，其拥有的特殊结构让其具有导电性。在现代电子设备中，电路使用晶体管控制不同区域之间的电流。科学家们对新的有机半导体材料进行了研究并探索了其结构与电学属性之间的关系。以上就是常见的半导体材料，希望能给大家帮助。

时间：2020-05-01 关键词：半导体半导体材料氮化硅
第三代半导体技术引发业界广泛关注

深康佳A3月2日公告称，公司与中信控股等合作方共同发起成立“信佳新兴产业发展投资基金”(暂定名)，投资以5G为代表的下一代信息技术领域、半导体及数字消费产业，进一步深入半导体布局。深康佳A此前已深入布局半导体产业。不论是先后设立半导体科技事业部、康芯威、康芯盈，还是近期的芯片量产出货、与雷曼光电签订战略合作，深康佳A正深化以科技创新为驱动的平台型企业发展。对于信息产业而言，半导体技术的重要性不言而喻，近些年随着信息产业的高速发展，半导体技术也随之出现多次革命性的迭代。而作为产业最新技术，以氮化镓为代表的第三代半导体技术已引发业界广泛关注，产业基本上处于爆发的边缘。氮化镓是第三代半导体材料之一，在半导体材料发展的三代技术中，第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟为代表，奠定了信息产业基础;以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明显示、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。就在前几天，小米其旗舰手机发布会上推出了一款65W氮化镓充电器，引发市场对氮化镓的强烈关注。据介绍，氮化镓材料具备高功率、高频率、高导热等优势，用在充电领域可在输出大功率的同时保持充电器体积可控，因此获得不少终端厂商青睐。当然，第三代半导体吸引的不仅仅是终端厂商，资本以及产业级的合作已然开启。比如国内企业康佳集团，就聚集团之力布局第三代半导体产业。作为一家中国领先的电子信息上市企业，半导体集成电路是康佳集团的核心，而为了彻底解决中国缺芯少屏的困境，康佳发展半导体业务也势在必行。据了解，康佳半导体业务包括存储、光电两块。最近，康佳与雷曼光电将成立合资公司，这是康佳打通存储产品“出海口”的举措之一，而康佳近日招募氮化镓工程师，则想加快突破半导体光电的核心技术。康佳集团总裁周彬日前接受媒体电话采访时透露，康佳包括储存芯片分销等在内的半导体业务年营收已达13亿美元。 “康佳在Micro LED芯片研发上已取得初步突破，申请超过100项全球专利，招募氮化镓工程师是希望加快推进。除了Micro LED芯片，今后还有其它应用。”康佳集团副总裁李宏韬表示，与小米应用氮化镓技术到快充产品上不同，康佳力争突破氮化镓的核心技术，第一步应用以光电芯片为主，未来应用领域会扩至功率器件、射频器件，而射频器件等在5G时代将用途很广。以Micro LED为代表的半导体光电显示器件，其发光核心就是基于氮化镓GaN发光二极管，氮化镓材料更大的材料能隙(禁带宽度)使其成为蓝色和绿色发光器件最佳选择;而作为功率器件的氮化镓晶体管和用于通信电路的氮化镓射频放大器也都是基于氮化镓半导体技术。它们都是从不同应用需求而对氮化镓材料的各个方面的特性加以利用。重庆康佳光电研究院的建立，就是开展Micro LED产品为代表的氮化镓等化合物半导体技术与应用研发。目前研究院紧扣氮化镓半导体器件在光电、功率、通信等三个主要应用方向，进行了相关布局，建立了以GaNLED为主要对象的研究平台环境，同时从规划之初就为GaN功率器件、GaN射频器件技术研究提供了最大的兼容性，做到核心设备和技术积累可以用于不同的产品，做到了资源的最大化。其实，在小米之前，今年初的美国拉斯维加斯CES2020展会上，大量的氮化镓快充产品已经引发行业震动。有研究机构认为，到2025年仅全球氮化镓快充市场规模有望达600多亿人民币。而除了充电器，氮化镓材料在光电器件、射频器件等半导体领域大有可为，未来将加速对硅基产品的替代。显然，第三代半导体产业已处于爆发的边缘。康佳集团的半导体科技事业部在2018年成立，但半导体业务从2016年已有所布局，当时成立了存储芯片分销公司。2018年在合肥成立康芯威的存储主控芯片设计公司，2019年成立康佳芯盈的封测公司;还设立了重庆光电研究院、奠基了重庆半导体光电产业园，从而形成存储、光电两个板块。此外，康佳与另一家LED企业联建光电也设立了合资公司，主攻光电板块业务,双方合作是想推进Mini LED及Micro LED新技术在公共视讯领域的商用化进程。

时间：2020-03-06 关键词：康佳 5G 半导体材料
台积电预计今年资本支出最高达160亿美元日媒称日本供应商将受益

1月17日消息，台积电预计今年资本支出最高达160亿美元，日媒报道称，日本供应商将从中受益。台积电台积电在去年第四季度财报中预计，今年资本支出在150亿美元到160亿美元之间，高于上一年。资本支出将用于增加7nm产能及加速5nm产能建设。日媒分析称，供应设备和原材料的日本供应商或将从中受益。去年Q4财报显示，7nm制程出货占台积电公司2019年第四季晶圆销售金额的35%；10nm制程出货占晶圆销售金额的1%；16nm制程出货占晶圆销售金额的20%。总体而言，先进制程（包含16nm及更先进制程）的营收达到晶圆销售金额的56%。自2017财年起，智能手机市场的增长告一段落，台积电的年营收增长率放缓至10％以下。不过，受5G与AI应用快速发展驱动，台积电增长重新加快。台积电对今年全年成长信心十足，总裁魏哲家预计，今年能实现约2成的营收增长。台积电成立于1987年，是全球最大的晶圆代工半导体制造厂，客户包括苹果、高通、华为等等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。台积电公司股票在台湾证券交易所上市，股票代码为2330，另有美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易，股票代号为TSM。美股周四收盘，台积电(NYSE:TSM)上涨0.62%至58.75美元，总市值约3046.82亿美元。

时间：2020-02-12 关键词：芯片台积电半导体材料半导体设备资本支出
美国杜邦拟在韩国生产半导体材料光刻胶首先投入2800万美元

1月10日消息，据国外媒体报道，美国化工巨头杜邦日前宣布，拟在韩国生产半导体材料光刻胶。杜邦杜邦将扩建位于韩国中部天安市的现有工厂，生产涂覆在半导体基板上的感光剂“光刻胶”。杜邦计划首先投入2800万美元，确立量产技术，最早于2021年启动量产投资。该公司将根据客户的订货量提高产能。韩国官员去年曾表示，韩国政府计划借日本对韩国出口限制，进一步加强国内半导体研发竞争力。吸引外资企业在韩国投资也是措施之一。杜邦是一家化工巨头，成立于1802年。2015年，陶氏化学和杜邦美国宣布合并，新公司成为全球仅次于巴斯夫的第二大化工企业。

时间：2020-01-23 关键词：美国半导体半导体材料光刻胶杜邦
日本昭和电工拟建设上海第二工厂增产半导体材料

1月9日消息，据国外媒体报道，日本昭和电工日前宣布，计划建设上海第二工厂，增产半导体材料。昭和电工株式会社（简称昭和电工）表示，为了强化电子材料用高纯度气体事业，决定在上海的生产基地-上海昭和电子化学材料有限公司（以下简称“SSE”）的旁边取得第二工厂建设用地，建设高纯度一氧化二氮和高纯度八氟环丁烷的生产设施，以及高压气体危险品仓库。第二工厂拟于2021年下半年投产。上海第二工厂计划面积约10,000平方米，计划高纯度一氧化二氮年生产能力1,000吨，计划高纯度八氟环丁烷年生产能力600吨。高纯度一氧化二氮主要是半导体及显示屏制造时的氧化膜的氧来源的特种气体，高纯度八氟环丁烷主要是这种氧化膜的微细加工（蚀刻）时的特种气体。昭和电工表示，由于5G等信息通信领域的发展，预计今后中国大陆的半导体及显示屏市场（有机EL电视机等）将会扩大。另外，昭和电工还表示，由于预计中国台湾地区的半导体市场同样也会扩大，本公司的现地生产子公司“台湾昭和化学品生产股份有限公司”也将新建年产150吨高纯度八氟环丁烷的生产设施（计划2020年春投产）。本次在上海和台湾的投资总额约为30亿日元（约合人民币1.9亿元）。目前，昭和电工在川崎事业所和韩国基地生产高纯度一氧化二氮，并在川崎事业所和上海基地（SSE第一工厂）生产高纯度八氟环丁烷。昭和电工是一家综合性集团企业，生产的产品涉及到石油，化学，无机，铝金属，电子信息等多种领域。

时间：2020-01-22 关键词：半导体半导体材料昭和电工日本昭和电工
集成电路用大尺寸硅材料规模化生产项目主体结构封顶仪式圆满举行

近期，山东有研半导体一期项目——集成电路用大尺寸硅材料规模化生产项目主体结构封顶仪式在德州举行。该项目于 2018 年 7 月由德州与有研科技集团半导体材料公司签订，对德州打造战略性新兴特色产业集群发展意义重大。山东有研集成电路用大尺寸硅材料规模化生产项目于今年 3 月份举行开工仪式，是山东省 2019 年省级重点“头号”项目，总投资约 80 亿元，分两期建设。一期新建年产 180 万片的 8 英寸硅片生产线，二期规划年产 360 万片 12 英寸硅片。了解到，有研当期项目投资 18 亿元，总建筑面积约 10 万平方米，新建单晶厂房 1 栋、硅片加工厂房 1 栋、综合动力站 1 栋及仓库、气站等;形成年产 276 万片 8 英寸硅片、180 万片 6 英寸硅片以及 300 吨 12-18 英寸硅单晶的生产能力。该项目建成投产后，可实现年销售收入 10 亿元、利税 2 亿元，将成为北方最大的半导体材料生产基地。计划于 2020 年 3 月底完成机电安装和动力设施调试，2020 年 6 月底完成工艺设备调试并试产。有研科技集团党委书记、董事长赵晓晨表示，我国 8 英寸硅片的 80%，12 英寸 100%依靠进口，半导体领域高品质材料自给率不足 10%，集成电路用大直径硅片面临巨大机遇期。此次，12 英寸集成电路用大硅片产业化项目正式签约，将改善大尺寸硅片依赖进口的局面。据了解，12 英寸硅片是 5G 通讯、人工智能、大数据、物联网等领域高端芯片应用的关键基础材料，是推动技术创新、产业升级，引领新产业发展的重要力量。有研科技集团经过十多年的努力，完成了从单一研究机构向大型研发生产基地的转型，建成了集成电路用 8 英寸硅单晶抛光生产线和 12 英寸硅片中试线，应代表着国内半导体产业最高技术水平。

时间：2019-12-19 关键词：集成电路硅片 5G 半导体材料行业资讯有研半导体
2018年全球半导体材料行业市场分析

9月17日，近日，前瞻产业研究院发布《中国半导体产业战略规划和企业战略咨询报告》，重点分析了2018年全球半导体材料行业市场情况。报告指出，半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节，对半导体产业发展起着重要支撑作用，具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、更新速度快等特点。半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料。根据SEMI，2017年全球半导体材料销售额为469亿美元，增长9.6%，其中晶圆制造材料和封装材料的销售额分别为278亿美元和191亿美元，同比增长率分别为12.7%和5.4%。2018年全球半导体材料销售额达到519亿美元，增长10.6%，超过2011年471亿美元的历史高位，其中晶圆制造材料和封装材料的销售额分别为322亿美元和197亿美元，同比增长率分别为15.9%和3.0%。 2018年，全球半导体晶圆制造材料市场规模与全球半导体市场规模同步增长。根据WSTS和SEMI统计数据测算，2013-2018年每年全球半导体晶圆制造材料市场规模占全球半导体市场规模的比例约为7%。半导体材料行业是半导体产业链中细分领域最多的产业链环节，其中晶圆制造材料包括硅片、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、工艺化学品、电子特气、靶材、CMP抛光材料（抛光液和抛光垫）及其他材料，封装材料包括引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝、包封材料、芯片粘结材料及其他封装材料，每一种大类材料又包括几十种甚至上百种具体产品，细分子行业多达上百个。由于半导体材料行业细分领域众多，且不同的子行业在技术上存在较大差异，因此半导体材料行业各个子行业的行业龙头各不相同。从半导体材料行业竞争格局看，全球半导体材料产业依然由美国、日本等厂商占据绝对主导，国内半导体材料企业和海外材料龙头仍存在较大差距。

时间：2019-10-03 关键词：半导体晶圆半导体材料
LED显示屏解析

繁华的城市离不开LED灯的装饰，相信大家都见过LED，它的身影已经出现在了我们的生活的各个地方，也照亮着我们的生活。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。 PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二级管叫发光二级管，简称LED。LED的发光颜色和发光效率与制作LED的材料和工艺有关，目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由于LED工作电压低(仅1.5-3V)，能主动发光且有一定亮度，亮度又能用电压(或电流)调节，本身又耐冲击、抗振动、寿命长(10万小时)，所以在大型的显示设备中，目前尚无其他的显示方式与LED显示方式匹敌。把红色和绿色的LED放在一起作为一个象素制作的显示屏叫做双色屏或彩色屏;把红、绿、蓝三种LED管放在一起作为一个象素的显示屏叫三色屏或全彩屏。无论用LED制作单色、双色或三色屏，欲显示图象需要构成象素的每个LED的发光亮度都必须调节，其调节的精细程度就是显示屏的灰度等级。灰度等级越高，显示的图象就越细腻，色彩也越丰富，相应的显示控制系统也越复杂。一般256级灰度的图象，颜色过渡已十分柔和，而16级灰度的彩色图象，颜色过渡界线十分明显。所以，彩色LED屏当前都要求做成256级灰度的。 LED显示屏工作原理 LED电子显示屏是集光电及计算机技术于一体的高技术产品， LED产品的性能特性文本LED显示屏和图文LED显示屏应具有在详细规范中规定的移入移出方式及显示方式。计算机视频LED显示屏应具有：动画功能。要求LED显示屏动画显示与计算机显示器相对应区域显示一致;文字显示功能。要求文字显示稳定、清晰串扰;灰度功能。要求具有在详细规范中规定的等级灰度。电视视频LED显示屏除具有动画、文字显示、灰度功能外，应可放映电视、录像画面。行情LED显示屏具有与其相应的行情显示能力。 LED显示屏怎样分类 LED显示屏可依据下列条件分类： ·使用环境 LED显示屏按使用环境分为室内LED显示屏和室外LED显示屏。 ·显示颜色 LED显示屏按显示颜色分为单基色LED显示屏(含伪彩色LED显示屏)，双基色LED显示屏和全彩色(三基色)LED显示屏。按灰度级又可分为16、32、64、128、256级灰度LED显示屏等。 ·显示性能 LED显示屏按显示性能分为文本LED显示屏、图文LED显示屏，计算机视频LED显示屏，电视视频LED显示屏和行情LED显示屏等。行情LED显示屏一般包括证券、利率、期货等用途的LED显示屏。 ·基本发光点非行情类LED显示屏中，室内LED显示屏按采用的LED单点直径可分为Φ3mm、Φ375mm、Φ5mm、Φ8mm、和Φ10mm等显示屏;室外LED显示屏按采用的象素直径可分为Φ19mm、Φ22mm和Φmm26等LED显示屏。行情类LED显示屏中按采用的数码管尺寸可分2.0cm(0.8inch)、2.5cm(1.0inch)、3.0cm(1.2inch)、4.6cmm(1.8inch)、5.8cm(2.3inch)、7.6cm(3inch)等LED显示屏。怎样评估LED屏的好坏? ·失控点室内LED显示屏的失控点不大于万分之三，室外LED显示屏的失控点应不大于千分之三，且为离散壮; ·一致性 LED屏的一致性要好，整屏的亮度要均衡，无明显色块; ·安全性无安全隐患、漏电流，对地漏电流应不超过3.5mA(交流有效值);抗点强度，LED显示屏可50Hz、1500V(交流有效值)的实验电压Lmin不应发生绝缘击穿;同时LED显示屏在熔断器和开关电源处应有警告标志; ·外观，LED显示屏外框无明显划痕。室外LED显示屏象素管安装应一致，无松动及管壳破裂; ·结构，LED显示屏部分可采用钢、铝、木等材料，要求结构坚固，美观。现在的LED灯或许会有一些问题，但是我们相信随着科学技术的快速发展，在我们科研人员的努力下，这些问题终将呗解决，未来的LED一定是高效率，高质量的。

时间：2019-09-29 关键词：电源技术解析半导体材料 led显示屏三色屏
半导体｜三星电子启动非日本产氟化氢性能试验

7月17日消息，据国外媒体报道，三星电子已启动非日本产氟化氢性能试验。三星电子外媒报道称，三星电子在半导体工厂试验新材料的生产线上，开始投入日本以外厂商的氟化氢进行试验，这些产品被认为来自中国大陆、中国台湾和韩国厂商。在高纯度的氟化氢市场，日本厂商大约占据8至9成份额，预计三星需要2至3个月时间判断是否从日本以外采购。另外，本月初，韩国官员还表示，该国政府将每年投资1万亿韩元(约合8.54亿美元)用以开发用于生产芯片的国产材料和设备，以加强国内半导体研发竞争力。

时间：2019-07-30 关键词：半导体三星三星电子半导体材料氟化氢
日本出口管制半导体材料，传言李在鎔赴日找对策

集微网消息，日本政府加强管制3项关键电子原料出口韩国，三星电子的半导体生产恐受影响。三星电子副会长李在鎔今天前往日本，外界分析他将与有生意往来的日本材料商讨论对策。日本政府4日起加强管制含氟聚醯亚胺（Fluorine Polyimide）、光阻剂（Resist）及蚀刻气体（Eatching Gas）3项关键电子材料出口韩国，被视为是对韩国的反制措施。日本经济新闻报导指出，韩国三星集团实际决策者李在鎔考虑到日本政府加强对南韩管制3种原料出口，三星电子半导体的生产可能受到影响，他今天前往日本，将与有生意往来的日本材料厂商主管见面，商讨对策。三星电子的含氟聚醯亚胺库存量仅约1个月，但如果调度太迟的话，半导体工厂可能被迫减产。李在鎔为了避免这种情况发生，可能会请日本的交易厂商从日本以外的工厂出货到韩国。韩国总统文在寅今天宣布，已邀请主要企业的相关人士针对韩国经济所面临的不确定性交换意见。一般认为，除了李在鎔以外，现代汽车集团、SK集团（SK Group）、LG集团（LG）的高层都将出席会议，与青瓦台政策室长金尚祚、南韩副总理兼企划财政部长官洪楠基讨论日本加强管制上述原料出口韩国一事。

时间：2019-07-26 关键词：半导体材料
韩半导体材料耗尽之时或面临停工危机

日韩贸易争端近期不断发酵。韩国时间昨晚 9 点左右，三星电子副会长李在镕抵达韩国，结束了长达 6 天的日本之行。相关内容我们连线了在首尔的财经频道特约记者张小娟，她给我们介绍了韩国如何评价对此次李在镕的日本之行，以及韩国企业和政府针对日本的出口限制是否有最新对策。据张小娟介绍，此次三星电子副会长李在镕在日本共停留6天，远超此前的预期，甚至缺席了前两天文在寅总统与韩国30大企业负责人的会谈。据韩国媒体报道，在访日期间内，李在镕走访了日本相关企业及金融界人士，但具体的行程并没有公开。昨晚李在镕到达机场后面对记者的提问也是闭口不言。我们从韩国半导体业内了解到，此次李在镕的日本之行主要目的应该是求购日本对韩限制出口的三种半导体材料之一的氟化氢。由于氟化氢的腐蚀性极强，无法长期保存，韩国企业一直是小批量进口。氟化氢主要用来切割半导体基板，在半导体产品制造的600多道工序中，使用氟化氢的次数有时多达十多次。据业内推测，目前三星电子的氟化氢存库可能仅仅还能维持几周时间，其他韩国半导体企业也不容乐观。此前韩国业界曾寄希望于通过李在镕的日本之行，实现从日本制造商的境外工厂进口，或通过第三方迂回进口的方式获得氟化氢。然而在目前日韩贸易争端不断发酵的当下，日本企业或很难铤而走险。LG相关负责人表示已经从其他国家购入氟化氢进行测试，同时俄罗斯方面也通过外交渠道表示可以为韩国企业提供氟化氢。然而专家指出，半导体原材料在投入量产前需经过1-6个月左右的的测试，特别是氟化氢的纯度对半导体产品的品质影响极大，短期内其他产品很难立即填补日产氟化氢空缺。毫不夸张的说，现有的日产氟化氢库存耗尽之时，或将成为韩国半导体企业的停工之日。昨晚，日韩贸易争端以来两国举行的首次会谈无果而终。韩国产业通商资源部在会谈后的新闻发布会上表示，已提议将在本月24日前再举行日韩会谈，但日本并未对此直接回应。韩国政府表示，将委托联合国安理会或国际组织调查日韩两国是否存在违反战略物资管理规定的情况。若韩方没有过错，日本政府应当向韩方道歉并撤销出口管制措施。韩国国会也计划本月底派团访日，寻求日本限制对韩出口问题的解法。我们也将持续关注事态的最新进展。

时间：2019-07-26 关键词：半导体材料
韩政府：拟就日本限制对韩出口半导体材料等提交WTO诉讼

7月1日，据韩联社报道，韩国产业通商资源部长官成允模表示，韩国政府将对日本限制对韩出口半导体原材料等贸易措施提交世界贸易组织（WTO）诉讼，并将依照国际法以及国内法原则采取必要措施进行反制。成允模在出口情况检查会议上表示，当天上午韩国副总理兼财长洪楠基主持召开部长级会议，就当前情况和应对措施进行了讨论，政府将根据国际法和国内法，采取必要的应对措施。成允模将日本的对韩出口管制定性为经济报复，并深表遗憾。昨（30）日，《产经新闻》报道称，由于韩国最高法院关于赔偿强迫劳动受害者的裁决，从7月4日起，日本半导体材料、OLED材料等将限制对韩国出口，开始对韩国进行经济制裁。这三种材料是“氟聚酰亚胺”、半导体制造过程中必须使用的“光刻胶”和“高纯度氟化氢”等3个品种，对此进行出口限制，势必会打击韩国半导体产业的发展。行业内人士表示，日本占全球氟聚酰亚胺总产量的90％产能，高纯度氟化氢气体占全球70％产能，而韩国三星电子、LG和SK等厂商所需的大多数氟聚酰亚胺和高纯度氟化氢都是从日本进口。

时间：2019-07-24 关键词：半导体材料
6万亿韩元！韩加大半导体材料研发，应对日本对韩出口管制

据韩联社报道，韩国产业通商资源部（以下简称：产业部）3日决定对半导体材料、零部件、设备研发投入6万亿韩元（约合人民币352.9亿元）的预算，以应对日本限制对韩出口。至于这6万亿韩元怎么分配，韩国产业部表示，基于上月发布的制造业复兴战略，进一步细化了关于材料、零部件、设备产业的投资方向，具体来看：1）2020年起，十年内，韩国对半导体材料、零部件、设备研发投入1万亿韩元的项目已完成可行性调查。2）至于普通材料、零部件、设备，政府正在对从2021年开始的6年内投入5万亿韩元的方案进行可行性调查。2019年7月1日，日本经济产业部宣布，将对用于制造智能手机与电视机中OLED显示器部件使用的“氟聚酰亚胺”、半导体制造过程中必须使用的“光刻胶”和“高纯度氟化氢”等半导体的三种材料，加强面向韩国的出口管制。7月4日起正式施行。至于原因，日经新闻分析评论称，理由有两个：1）日韩间的信赖关系明显受损；2）在面向韩国的出口管理中发生了不妥事例。而据韩联社则援引消息人士称，日本此次措施实际上是针对去年日韩在劳工征用赔偿诉讼的报复措施。2日，日本首相安倍晋三在接受日本媒体采访时声称，管控措施不违反世贸规则，与自由贸易无关。根据日本经济产业省公布的资料显示，此次将加强对韩国出口管制的三种材料都是显示面板及半导体芯片制造过程当中所需的关键材料。其中，氟化聚酰亚胺是PI膜的一种，能用于折叠屏幕显示器、半导体封装、3D印刷等，日本的氟化聚酰亚胺在全球市占率高达90％；光刻胶则是应用于集成电路、半导体分立器件等的细微图形加工，日本在全球市占率也达90％；而高纯度氟化氢是半导体清洗制程中必备材料，日本在全球市占率为70％。但韩国光刻胶、高纯度氟化氢的产量趋近于零。尤其是，在半导体铺上电路曝光工艺中，需要在硅片上涂上多层光刻胶，该核心材料目前100％来自日本。光刻胶制造业相关人士表示，由于韩国较晚开始制造光刻胶，微细工程的需求仍不高的状况下，该市场已被日本、美国所占据，因此韩国不敢大举投资该技术。显然，日本此举势必将会威胁到韩国三星、LG的显示面板生产，以及三星和SK海力士的存储芯片生产。虽然韩国产业通商资源部此前曾公开表示，计划在2022年将自产率提高至70％，并在这5年期间推动2兆韩元规模的企业合作项目。但半导体产业相关人士指出，政府虽试图自产这些材料，但尚未有新进度，另一方面，韩国若要赶上日本的技术，不仅开发成本高，而且只有大企业有能力进行，即使技术开发顺利，也很难避开日本登记的专利。

时间：2019-07-23 关键词：半导体材料
日本宣布对韩国半导体材料的出口进行管制

特朗普通过精准打击中兴通讯、华为技术等中国企业，让美国获得了哪些利益，目前无人知晓。美国英特尔、高通等企业比较着急，因为他们马上要丢失最大的用户。所以在G20召开后的6月29日，特朗普通过见记者的方式，宣布暂缓对华为的禁运。在美国还没有正式宣布禁止使用华为等中国企业的产品时，早在2018年12月10日，日本就先声夺人，由官房长官菅义伟亲自宣布禁止企业使用华为等中国企业制造的通讯设备。日本曾经是个半导体大国，也做过通讯设备方面的世界第一把交椅，对相关行业有着超乎寻常的理解，在美国之前早就已决定“排除”华为了。日本在“排除”了华为之后，7月2日，日本宣布对韩国半导体材料的出口进行管制，时间从7月4日开始。 7月2日当天，美国巴德学院(Bard College)教授沃尔特·拉塞尔·米德(Walter Russell Mead)在《华尔街日报》上撰文说：“特朗普去了日本，日本变成了特朗普。”米德教授眼里看到日本发生了很大的变化，这其中之一便是“对韩国出口半导体方面的产品做出了严格的限制”。历史问题引发日韩对峙向特朗普学习，如果对哪个国家不满意的话，就从半导体业务上制裁这个国家。日本首相安倍晋三在这方面做得尽善尽美。在G20峰会上，日本对韩国特别冷淡。日本刚刚通过种种外交努力，让本届峰会比去年的阿根廷峰会有很大进步——在共同声明中写进了“自由、平等而且无差别的贸易”理念，但共同宣言上的签字笔墨未干两天，日本就已宣布要通过半导体业务制裁韩国了。日本这些年的“待客之道”受到了世界的好评，尤其中国旅客，几乎去了日本一趟就会愿意再度去那里观光访问。但我们这个世界能量守恒，有热便会有冷。日本对韩国之冷淡超乎想象。韩国在哪方面招惹了安倍?问题也还是来自历史。二战期间，日本征用过大量的朝鲜半岛劳工，从中国绑架了相当多的劳动力去日本服苦役。这些年，中日之间绑架劳工方面的问题基本获得解决，但日本在朝鲜半岛强征劳工(日语简称为“征用工”)的经济补偿问题上，一直坚持称在1965年签订的日韩请求权协定中“已经解决”，该协定已让韩国个人的请求权“消失”。如果此时再度提出请求权问题，日本政府认为这是“从根本上颠覆了法律的基础”，对韩国个人提出的请求问题，一概持坚决否定的态度。 1945年二战结束后，1965年6月22日日韩实现了邦交正常化。两国建交时签署了一系列的协定，根据这些协定，日本向韩国提供5亿美元的政府贷款，其中3亿美元为现金赠与，2亿美元为长期贷款，还提供一般民间商业贷款3亿美元以上。日韩双方根据《旧金山对日和约》第四条(A)款的规定，解决了两国政府及民间的财产、权利及利益的请求权问题。日本方面认为，1965年8亿美元代替了对韩国的赔偿问题，日韩之间不再存在个人向政府追求赔偿的“请求权”。但是，韩国民众对8亿美元的赔偿并不太清楚，在日本当过征用工的人大多也没有从韩国政府那里得到相关的补偿，征用工问题拖延了下来。2009年，韩国政府正式说过，征用工的对日补偿的请求并不成立，但独立于政府之外的韩国大法院，则在2012年作出判决，认为日本企业对征用工负有赔偿责任。到了2018年，韩国大法院对新日铁住金(现在日本制铁公司)发出了损害赔偿的命令。也正是从这个时候开始，日本不断向韩国政府施加压力，希望能按2009年的方式，由韩国政府出面谈请求权的消失问题，但文在寅总统并未充分理会日本的意图，日韩关系进入冰冻期。用禁运半导体材料的方式打压韩国以安倍和特朗普的关系，尤其看到特朗普在2018年打压中兴通讯获得成效，现在追击华为，让整个世界感觉到了美国的厉害后，通过在半导体方面的禁运，打击其他国家的产业，在安倍看来效果会相当的好。从7月4日零时起，日本发动对韩国出口限制的“第一波”攻击。主要在半导体三个品种上，对出口许可手续进行严密的控制。三种产品主要是：手机及电视屏幕上使用的“高纯度氟化氢”、在半导体基板上涂覆的感光材料“光致抗蚀剂”及半导体洗净时需要使用的“氟聚酰亚胺”。这三种产品日本在世界占有的市场比率都非常高。过去，日本企业向韩国出口相关产品一次申请能够获得3年的出口许可，但从4日开始，每次出口均需向政府提出申请，而且审查时间会非常长，最重要的是可能最终不能拿到许可证。从相关人士那里获得的信息是，经济产业省正常的审查时间为90天，超过90天不足为奇。日本政府还准备了“第二波”攻击内容。日本国家向可以信任的国家出口产品时有个“白名单国家”。韩国如果不“痛改前非”，日本将会把韩国从白名单国家中移除。不在白名单国家中，今后在机床、碳纤维等方面的出口将会非常困难。日本已经做好准备，在下个月(8月)正式将韩国从白名单国家中踢出去。从目前可以预测到的打压韩国的效果看，应该与安倍设计的结果大致相当。三个产品的禁运，很快将让韩国企业感受到材料的严重不足，之后是韩国企业对外出口也将受到影响。看一下韩国贸易会的调查结果，能知道得更清楚。高纯度氟化氢对日本的依赖程度为93.7%、光致抗蚀剂91.9%、氟聚酰亚胺43.9%。目前的库存仅够几个月(应该是不超过90天)，便是日本给出出口许可，但韩国那里也基本上没有可用的产品，必须停工了。能否去其他国家采购相关产品?从日本企业方面获得的消息是，相当的困难，而且韩国企业自己研发，想做出相关产品也很不容易。结果日本禁运消息刚一传出，3日韩国股票市场便开始下跌，企业惊恐万状。韩国综合股价指数走势图韩国兴起抵制日货风潮由于日本政府对韩国采取“经济报复”措施，限制向韩国出口半导体材料，近期，韩国国内“抵制日货”的声音加大，且有持续发酵之势。据日本《朝日新闻》7日报道，最近，在韩国首尔市的部分超市内，日本啤酒等来自日本的商品已经全部下架。社交媒体上，许多韩国网友呼吁韩国人不去日本旅游，声势越来越大。日媒称，众多韩国民众把对日本政府的不满转移到了日本产品和文化上。虽然影响可能仅局限于现阶段，是暂时性的，但多数日企对此表示不安。 6日，首尔市阳川区住宅街的一处超市卖场内被人贴了一块告示，上面写着“不卖日本商品”。以前卖的日本产调味料、方便食品等都找不到了。4罐1万韩元(约合人民币60元)的札幌啤酒本来是热卖商品，但超市店长称：“为了国家，决定不卖了。销售额是会减少，不过在日本撤回‘贸易报复’之前，我还会继续这样的。” 这家超市是韩国市场协会的一员。5日，韩国市场协会在日本驻韩国大使馆附近召开了会议，宣布中断贩卖日本商品。在现场，协会工作人员踩瘪了印有日本企业标识的纸箱，并向全韩国播放了这一画面。韩媒称，大约230家商店参与了抵制日货活动，包括便利店在内，至少动员了10万人。可预见的双输结局从彭博社等外文媒体对特朗普打压华为的报道看，特朗普追求的是中美“双输”的结果，只要美国输得比中国少一点就是胜利。安倍打压韩国，从半导体入手，追求的也是双输效果，而且也非常有信心，那就是日本输得比韩国要少。一旦韩国企业不能顺利地从日本那里进口到相关产品，三星电子、SK海尼克斯等会立即受到影响。美国调查企业HIS公司发布的调查结果是，2018年三星电子在半导体记忆元件DRAM(动态随机存储器)世界市场中的占有率为70%，在闪存元件NAND方面也有50%的占有率。DRAM及NAND不能顺畅销售的话，电脑、手机等产品当然会受到影响。安倍看到的可能是日本用的电脑、手机基本上都是中国产品，该是中国企业最为着急，但实际上韩国半导体企业的机械设备是日本企业提供的。产品没有了市场，企业自然就不再追加投资，世界最重要的机械设备供应商基本都在日本，日本并不会在这场半导体之战中得到好处。日本对韩国禁运后，韩国立即拨出6万亿韩元(约350亿人民币)从事半导体材料的研究。一旦韩国的研发最后获得成功，那么日本企业的产品将不再是韩国企业的首选对象，而且日本企业因国家一纸命令便不能向其他国家出口产品，企业信用成了很大的问题，韩国之外的企业也不敢持续向日本订货。日本国内并无相关企业需要大量使用相关产品，徒有技术，却不能发挥技术特点，不能持续获得利益。双输的局面显而易见。日企支持国家的政策人们可以看到，在特朗普对华为禁运的时候，美国企业不断向特朗普求情，希望将自家企业的产品不要放在禁运名单内，同时向总统报告企业最终受到的损失，让特朗普在6月29日暂时放缓了对华为的禁运。但日本情况很不一样。我们看不到企业向安倍求情，而是企业方面的组织先后出面声明，坚决支持政府的做法。日本商工会议所会头(理事长)三村明夫，7月4日对日本记者说，日本强化限制的政策“需要正确理解其内涵，(韩国方面)不该过激反应。”日本经济同友会代表干事(理事长)樱田谦悟在2日刚一发布政府规定后，立即对媒体说：“(日本)政府的措施是一贯的，韩国政府应该真诚地接受，我期待早日实现经济关系的正常化。”表明了对政府政策坚决支持的态度。安倍的对韩政策比特朗普更能得到日本民众、企业及企业组织的赞同。安倍变身特朗普，在半导体方面对其他国家的制裁也许会有比特朗普更强、更大的效果。只不过人们会担心，效果越大只是“输”得更惨而已。

时间：2019-07-11 关键词：日本韩国半导体材料
日本核心材料对韩国管控：三星李在镕开始行动

按照日本政府之前给出的公告，从今年7月1日开始，限制日本半导体材料、OLED显示面板材料的对韩出口，具体来说是，氟聚酰亚胺(Fluorine Polyimide)、半导体制造中的核心材料光刻胶和高纯度氟化氢(Eatching Gas)三种材料。日本当前基本垄断了全球的氟聚酰亚胺、氟化氢材料市场，分别占全球份额的90％、70％之多，如果这个供应出现了管控，那么韩国的OLED屏和内存公司，会面临停供的风险。此举很显然让一些韩国公司没办法置之不理，所以三星提前开始行动。据外媒报道称，三星电子副董事长李在镕（Lee Jae-yong）于当地时间7日出访日本，与当地商业领袖会面，商讨应对日本对韩国限制出口高科技材料事宜。但三星拒绝透露李在镕的具体行程。据悉，除了跟日本一些公司谈判外，三星和其他芯片制造商正面临为这些材料寻找替代供应商的困难，行业消息人士透露，库存只剩下几天的供应量。

时间：2019-07-08 关键词：三星 OLED 半导体材料

频道分类

热门板块

十大热门

嵌入式ARM

智能应用

感知层

科技前线

热门分类

推荐课程

深度阅读

技术子站

项目外包

论坛活动

资料下载

技术专题

编辑原创

评 测

公 开 课

评测

公开课