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PCB板上的晶振器件解析

现在的电路板是基本上都离不开晶振，那么什么是晶振呢?提起晶振，很多电源电子工程师想必都不会陌生。晶振算是电子圈的“C”位玩家，是经常被提起的重要器件，原因在于它无处不在。但是你知道PCB板上的晶振都有哪些吗?本篇文章将带你全面地了解小晶振的大奥秘，快来看看吧。晶振在电路板上的作用相关重要，如果把整个电路板比如成我们人类，一个人需要正常运行，必须具备大脑，心脏，血液同时工作。而晶振在电路板中的角色就充当着心脏的角色，我们往往看到很多电路板中，一个“巨型黑色”的IC芯片旁边总会有不同频率的晶振“守候”在一旁。这就不难解释为什么说晶振是电路板中的心脏元器件呢?晶振需要正常起振，供IC芯片接收，IC芯片才能工作运行，而IC芯片可想而知就相当于人类的大脑。为什么宁可选择超小型化的贴片晶振，也始终没有人设计将IC芯片和晶振合并，这样将会更大程度减小电路板的空间。答案也不难解释，如若电路板中的晶振发生损坏，可以在不拆解IC芯片的情况下，直接更换晶振;反之，同时替换芯片和晶振将是多么的复杂繁琐，且增加成本。晶振分为无源晶振和有源晶振，在电路板中，无源晶振需要外部的电容电阻等元器件来助起振;有源晶振内部芯片内置起振芯片，无需外部元器件助起振。所以从图中，可以看到晶振外部密密麻麻的贴着众多的电容电阻等元器件，可想而知图中的贴片晶振则为无源晶振。上图是一块蓝牙模块的参考图，12MHZ，24MHZ，26MHZ，32MHZ都是蓝牙模块中会应用到的频点。众多通讯设备，GPS等26M晶振应用最为广泛。原来小小个被赋予如此重要的角色竟是电路板中的心脏元器件—晶振。我们都知道，晶振在电子产品中的使用率达到80%，然而晶振是一种频率元器件，因此不同频率的晶振，在电路板中的功效也是大不相同。要说晶振频率有多少种，我们无法义正言辞的告诉大家，晶振厂家永远都能满足大家对晶振频率的需求。一个新的晶振频率需要反反复复的测试和检验，才能正式交货。可以用功能强大，和非常神秘来形容我们的晶振，因为你永远也不能明确晶振的作用到底是什么，只有在不同的平台，不同的频率，才会得知较终晶振的功能。我们身边的电脑周边电子产品用到的晶振数量也是非常可观的，从电脑主板，音响，键盘，鼠标，显示器等都有晶振的运用。 1.主机主板使用晶振频率电脑主板常用的晶振封装在这个晶振小型化趋势的时代并没有得到太大的改变，没有人要求电脑主板超轻薄超小型化，因此49/SMD晶振依然是电脑主板较佳的选择，在满足自动贴片机焊接的便捷之时，与当今超小型化的3225晶振，3225晶振相比，电脑主板对49SMD晶振选择的成本也是得到稳稳的控制。14.318MHZ、24.576、25MHZ、27MHZ晶振是电脑主板常用的晶振频率，匹配一款RTC时钟晶振32.768K，通常电脑主板使用的晶振不超过2-3颗，给时钟提供信号的32.768K晶振是必不可少的。 2.显示器使用晶振频率显示器也内置晶振，且对晶振的精度要求非常严格，如若晶振的频率偏差过大，会直接造成显示器无法开机被正常点亮，常用的晶振频率包括8M/14.31818MHZ、12.000MHZ、24.000MHZ、28.224MHZ 3.蓝牙使用晶振频率 16M晶振是蓝牙较常用的频率，蓝牙对晶振封装有着严格的要求，因此使得成本剧增，3225贴片晶振，2520贴片晶振是蓝牙较佳的晶振封装选择，高端蓝牙对对晶振有着超轻薄化的要求，2016贴片晶振，2012贴片晶振也是较适合的。 4.光驱使用晶振频率如今电脑主机的光驱也被取代，因此光驱常用的晶振频率33.8688MHz，16.9344MHz，18.432MHz中前两者在市场也是少儿见之的。 5.更多电脑周边无线模块：25M 2.5G/3G/4G：40M，44M，32M，14.7456M 网络传输ADSL：12.288MHz，35.328MHz，50.000MHz 6.总结任何的电子类产品都需要稳定的频率才能够正常运行，同时，除此电脑周边产品对晶振的应用需求之大以外，晶振也被常用于：智能手机、平板电脑、蓝牙、数码产品、LED显示屏、汽车电子以及高端的航空事业领域。应用于不同的产品要求都有所不同，晶体行业在几年来也在随着各种智能产品的横空出世，不断的发生改变，以满足电子行业的市场需求，从以前的大体积插件转变为如今的超小超薄型贴片晶体。精度越来越小，使产品变得更加稳定。这就是晶振的相关介绍，希望对使用的人有一定参考价值。

时间：2020-03-24 关键词：器件晶振 pcb板
Vishay推出的新款小型商用电感器工作温度可达+155 °C

宾夕法尼亚、MALVERN—2019年12月4日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出三款公司迄今体积最小的新型商用IHLP®超薄、大电流电感器---IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP‑1212BZ-51。Vishay Dale IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP‑1212BZ-51采用3.3 mm x 3.3 mm 1212外形尺寸，工作温度达+155 °C，节省计算机和电信系统应用空间，高度仅为1.0mm。日前发布的器件用于DC/DC转换器储能时频率可达5MHz。同时，电感器在自谐振频率(SRF)范围内大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。应用包括笔记本电脑、台式机、服务器、小型大电流电源以及分布式电源系统和FPGA。IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP-1212BZ-51引脚封装采用100%无铅(Pb)屏蔽复合结构，蜂鸣噪声降至超低水平，对热冲击、潮湿、机械振动有很强的抵御能力，可无饱和处理高瞬变电流尖峰。电感器符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。器件规格表：新型电感器现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为八周。

时间：2019-12-04 关键词：器件转换器电感器
不含美元器件5G模块已全球发货华为耗存将耗尽

在华为第十届全球移动宽带论坛后的媒体圆桌论坛上，华为5G产品线总裁杨超斌表示“不含美国公司元器件的5G模块已全球发货”。来自赛灵思的FPGA库存马上耗尽? 华盛顿邮报指出，在特朗普政府将华为列入“实体清单”进行出口管制前，华为储备了大量的用于制造网络设备和智能手机的美国半导体和零部件。有专家人士对此表示，目前华为的一些储备库存已经不足，而此时正是考验华为能否保持其全球网络设备和手机市场主导地位的一个关键时刻。一些行业观察家认为，华为将很快用尽制造5G无线设备所需的关键部件。其中，尤为重要的是来自美国赛灵思(Xilinx)的FPGA技术产品，该技术可通过更改代码实现对5G基站的重新编程，即便基站已经安装到信号塔上也可以更新团软件。据报道，位于加州的研究公司Mobile Experts的首席分析师乔·马登(Joe Madden)对华为的出货情况做了密切跟踪。Joe Madden预估，华为购买的赛灵思的FPGAs足够维持到下个月(11月)。 Joe Madden说：“我预测，华为将在11月用完赛灵思的FPGA芯片，届时他们将换用自己的产品。但这可能会降低华为5G设备对全球买家的吸引力，因为华为的技术可能不如赛灵思的先进。” Joe Madden还补充说，如果赛灵思的芯片被更换，华为将会陷入困境。而在8月份，赛灵思首席财务官弗洛雷斯(Lorenzo Flores)在投资者会议上发表演讲时表示，在美国政府改变立场之前，该公司不会向华为出售与5G相关的产品。但华为战略部总裁张文林曾公开表示，华为不含美国零部件的基站并不比用美国零部件的差!换句话说，5G基站全数采用国产零件只是华为的第一步，但同样是最关键的一步。华为：不含美国元器件的5G模块产品已向全球发货果然，在日前举办的第十届全球移动宽带论坛(Globe Mobile Broadband Forum，MBBF)上，华为5G产品线总裁杨超斌在媒体圆桌论坛上表示，目前华为的5G商用合同已达到60多个，Massive MIMO目前发货超过40万，这里面其中有30万模块是在5月16号(实体清单)之后发向全球的。他进一步指出，5G有一部分模块是含有美国元器件，有一部分不含美国公司元器件，从产品来看，没有任何差异，这种产品都是混合发货的，很难说哪个国家发的是哪种产品。关于华为目前5G合同，他表示，华为目前为止在全球已签署了60多份5G商用合同，发货5G基站超过40万站。据悉，60多份5G商用合同中，32份来自欧洲、11份来自中东、10份来自亚太、7份来自美洲、1份来自非洲。华为副董事长胡厚崑说道：“目前已经有40个运营商发布5G网络，到今年年底，会有超过60个5G商用网络，遍布全球各个国家。在终端侧，截至9月底，已经有超过136种终端，包括CPE、手机等。” 事实上，华为创始人任正非在9月26日的一个商务论坛上曾表示，“我们(华为)是不是完全脱离了美国的供应也能生存，这应该是事实”。但是，如果美国公司愿意供给华为零部件的时候，“我肯定要购买的，宁可我自己的零部件少生产一点，我也要买，就是为了要维持全球化的问题。我不会走完全独立更新的道路，这样最终会是一个封闭的结果。” 他还表示，华为已经在生产不含美国零部件的5G基站，8月份与9月份开展了测试，从10月起，华为将开始大规模生产，同时计划在2020年将产量提高一倍以上(150万)。任正非表示：“第一，我们愿意遵循国际惯例FRAND原则，把5G专利以公平、无歧视的方式许可给美国公司;第二，5G专有技术，包括完整的5G全套网络技术，完全无保留地独家许可美国公司，这样美国、欧洲、中国公司同时起步，在新技术上继续竞争;第三，美国可以选择以美国通用芯片为主体的5G基站，也可以选择‘美国通用芯片+华为芯片’的方式，如果需要我们的5G芯片技术，也可以转让许可。” 不过，他也指出，仍欢迎美国恢复供应，因与供应商有30多年交情，“人还是有感情的，不能光为我们挣钱，让朋友不能挣钱。”

时间：2019-10-17 关键词：华为器件电源其他电源电路
持续推进芯片、器件及IGBT模块产业发展

集成电路产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，其技术水平和发展规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。党中央、国务院高度重视集成电路产业发展，先后出台《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2000〕18号)、《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)、《国家集成电路产业发展推进纲要》(以下简称《推进纲要》)等一系列文件，组织实施了相关国家科技重大专项，为我国集成电路产业发展营造了良好的产业环境。近年来，我国集成电路产业发展取得了长足进步，但是核心技术受制于人的局面仍然没有根本改变，急需加强核心技术攻关，保障供应链安全和产业安全。正如你们在建议中所言，在当前复杂的国际形势下，工业半导体材料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的发展滞后将制约我国新旧动能转化及产业转型，进而影响国家经济发展。你们对发展我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业提出了很好的意见和建议，对我们今后的工作具有借鉴意义。一、关于制定工业半导体芯片发展战略规划，出台扶持技术攻关及产业发展政策的建议为推动我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，我部、发展改革委及相关部门，积极研究出台政策扶持产业发展。一是2014年国务院发布的《推进纲要》中，已经将工业半导体芯片相关产品作为发展重点，通过资金、应用、人才等方面政策推动产业进步。二是发展改革委、我部研究制定了集成电路相关布局规划，推动包括工业半导体材料、芯片等产业形成区域集聚、主体集中的良性发展局面。三是按照国发〔2011〕4号文件的有关要求，对符合条件的工业半导体芯片设计、制造等企业的企业所得税、进口关税等方面出台了多项税收优惠政策，对相关领域给予重点扶持。四是围绕能源、交通等国家重点工业领域，充分发挥相关行业组织作用，通过举办产用交流对接会、新产品推介会、发布典型应用示范案例等方式，为我国工业半导体芯片企业和整机企业搭建交流合作平台。下一步，我部及相关部门将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产业发展形势，调整完善政策实施细则，更好的支持产业发展。通过行业协会等加大产业链合作力度，深入推进产学研用协同，促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推广。二、关于开放合作，推动我国工业半导体芯片材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展的建议集成电路是高度国际化、市场化的产业，资源整合、国际合作是快速提升产业发展能力的重要途径。我部与相关部门积极支持国内企业、高校、研究院所与先进发达国家加强交流合作。引进国外先进技术和研发团队，推动包括工业半导体芯片、器件等领域国际专家来华交流，支持海外高层次产业人才来华发展，提升我国在工业半导体芯片相关领域的研发能力和技术实力。下一步，我部和相关部门将继续加快推进开放发展。引导国内企业、研究机构等加强与先进发达国家产学研机构的战略合作，进一步鼓励我国企业引进国外专家团队，促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业研发能力和产业能力的提升。三、关于步步为营分阶段突破关键技术的建议为解决工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块等核心部件的关键性技术问题，我部等相关部门积极支持工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键技术攻关。一是2017年我部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”，针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域，重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节，促进IGBT及相关产业的发展。二是指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设，整合产业链上下游资源，协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。三是指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图(2018-2030)》，引导我国IGBT行业技术升级，推动相关产业发展。下一步，我部将继续支持我国工业半导体领域成熟技术发展，推动我国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新一代产品技术的研发，推动我国工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块产业的发展。四、关于高度重视人才队伍的培养，出台政策和措施建立这一领域长期有效的人才培养计划的建议当前，人才问题特别是高端人才团队短缺成为制约我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业可持续发展的关键因素，为此我部及相关部门积极推动我国相关产业人才的培养。一是我部、教育部共同推动筹建集成电路产教融合发展联盟，促进产业界和学术界的资源整合，推动培养拥有工程化能力的产业人才。二是同时以集成电路为试点实施关键领域核心技术紧缺博士人才自主培养专项，根据行业企业需要，依托高水平大学和国内骨干企业，针对性地培养一批高端博士人才。三是教育部、我部等相关部门印发了《关于支持有关高校建设示范性微电子学院的通知》，支持26所高校建设或筹建示范性微电子学院，推动高校与区域内集成电路领域骨干企业、国家公共服务平台、科技创新平台、产业化基地和地方政府等加强合作。下一步，我部与教育部等部门将进一步加强人才队伍建设。推进设立集成电路一级学科，进一步做实做强示范性微电子学院，加快建设集成电路产教融合协同育人平台，保障我国在工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的可持续发展。

时间：2019-10-14 关键词：器件芯片电源新品
高性能GaN器件

随着社会的不断进步，技术的不断发展，科技产品也日新月异，产品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的设计者来设计，功率器件对电子产品是功不可没的。2015年3月20日，德国慕尼黑和日本大阪讯——英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。某碳化硅器件在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合，双方商定不披露任何其他合同细节。作为新一代化合物半导体技术，硅基板GaN技术备受关注。一方面，它可以实现很高的功率密度，从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面，它是提高能效的关键。一般而言，基于硅基板GaN技术的功率器件适用于各种领域，从高压工业设备，如服务器电源(这也是600V GaN器件的潜在应用领域之一)，到低压设备，如直流-直流转换器(如在高端消费电子产品中)。 IHS发布的市场研究报告显示，与硅基板GaN技术相关的功率半导体市场，将以高达50%以上的复合年增长率(CAGR)增长，也就是说，到2023年，其市场容量将从2014年的1500万美元，增至8亿美元。技术的不断发展，也推动了功率器件的不断更新，这也需要我们年轻的科研人员更加努力，学好专业知识，这样才能赶得上社会的发展。

时间：2019-08-27 关键词：器件电源技术解析功率 gan
晶科宣布推出新一代大功率LED 器件7070

在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。晶科宣布推出新一代大功率LED 器件7070，达到更高的性能，并且能够以更有效的方式带来比中功率LED更低的系统成本。 7070设计思想是采用支架式封装形式，比之中功率LED器件，能够在更高温度下工作，并且额定寿命不打折扣，同时能够达到COB的相同性能规格，实现成本下降。7070经过优化设计，与中小功率LED相比，可以在器件面积减少的情况下，仍然实现相同水平的系统性能，从而大大简化目前基于多颗中功率LED方案的照明应用系统设计。 7070大功率led系列广州盛亮照明科技有限公司产品总监陈炳泉表示：“晶科再一次提供创新性的照明优化解决方案，帮助我们降低系统成本和缩短制造时间。尽管COB在可靠性和成本方面都是中功率LED不错的替代选择，但它并不与自动化生产相兼容。新款7070终于为我们提供比中功率LED更可靠的替代选择。我们既可以实现降低20%的系统成本，又可以不必冒无谓的风险，从而保护公司品牌和美誉度。” 晶科7070采用专利倒装无金线封装技术，发光面小，能够提供比中功率LED器件更多的照明系统优势，包括更窄的光束角、更简单的光学配套、更好的光色一致性和更符合传统审美的外观形态。7070作为单颗LED器件，能够以阵列形式在要求低系统成本和高可靠性的高流明应用(例如高天棚灯、户外区域照明和筒灯等)中采用。晶科产品总监区伟能表示：“新款7070既拥有晶科大功率LED的可靠性，与成熟产品3030相比，具有更高亮度，能实现更小面积高光通量输出。7070 有9~13W，120lm/W，可以取代COB方案。7070带来了一个新的技术平台，为我们的照明客户提供最佳技术组合，有效地避免了中功率LED的局限性。”技术的不断发展，也推动了功率器件的不断更新，这也需要我们年轻的科研人员更加努力，学好专业知识，这样才能赶得上社会的发展。

时间：2019-08-27 关键词：器件 LED 电源技术解析功率晶科
松下电工推进在华控制机器业务，推出3个MEMS器件系列

松下电工株式会社将在中国的IT、车载、工业机器市场加速推进尖端控制机器事业。北京、厦门、上海的3家工厂已开始生产第四代信号、0.4mm窄间距、小型车载、小型()，并将进一步得到加强。另外，松下电工控制机器事业本部公布将从2005年11月1日在中国发售运用了技术的超尖端产品——3个超小型器件系列。新产品包括世界上首次量产成功的米粒大小的“ME―X”、静电容量式单轴加速度“GS1”、压电阻式3轴加速度“GS3”3个系列。强化尖端控制机器产品在中国的生产在IT基础设施市场，北京松下控制装置有限公司引进最新设备，2005年10月开始生产第四代尖端GN。在IT终端市场，北京松下控制装置有限公司从2005年7月开始增加生产线，增加尖端的窄间距P4的生产。在车载市场，厦门松下电工控制装置有限公司从2005年1月开始生产高可靠性车载CM继电器。而在工业设备和家电市场，开发适合于中国市场的()“FP-XL-type”，并由上海松下电工自动化控制有限公司从2005年10月开始生产。继续推出多功能超小型器件松下电工实现了世界首次MEMS继电器的批量生产，并将继续创造出多功能的超小型复合器件。该公司将这些超小型器件统称为“PIMITES”(PrecisionIntegratedTechnologies&，精密复合超小型技术＆系统)。“PIMITES”将为实现无处不在的网络社会做出贡献。松下电工此次推出的三款MENS器件中，MEMS继电器ME-X融合了MEMS与机械继电器技术。其尺寸为4.0×2.5×1.3mm，具备优异的高频特性(50Ω系列、at6GHz)、100mW的低消耗功率(自保持型)，主要面向IC测试仪、测量仪、BS／地波数字广播、3G/4G移动电话等应用。此外，其单轴加速度GS1实现了高灵敏度、高精度(1V/g　±5%FS)、高可靠性，尺寸仅为6.2×8.5×1.6mm，主要面向汽车导航系统(倾斜检测、振动检测、简易冲击监视器)和车辆控制等应用。而其3轴GS3尺寸仅为4.6×4.6×1.3mm，可分别独立检测X、Y、Z轴的加速度，目标应用是内置HDD的小型移动设备的跌落保护、小型移动设备液晶画面的纵横切换、、安全设备、机器人等。

时间：2019-04-05 关键词：松下器件嵌入式开发电工在华
如何利用可编程器件设计车用显示系统

汽车电子设备正在迅速发展，尤其是车用显示系统，视频和视频处理正成为汽车应用中增长较快的技术。像车道保持、驾驶监控、夜视以及车载娱乐设备等车用显示系统/FPGA都是典型的应用需求。设计车用视频系统时，需要考虑系统结构的几个方面：首先是系统的功能，应确定这个系统是针对安全系统处理视频信息、还是车载娱乐设备处理流动的视频数据，或者是两者的结合而设计。其次是互联的类型和视频系统器件的速度。此外还应考虑其它因素包括有多少视频源、有多少显示输出、系统中不同的设备相隔多远、采用哪种布线方案，以及整个系统的成本。由于可编程器件具有很高集成度和灵活性，以及低功耗和宽的工作温度范围，且价格不断下降，因此车用显示系统/FPGA该类器件对于从事汽车电子设计的工程师来说越来越具有吸引力。本文将主要介绍如何利用Lattice公司的可编程器件设计车用显示系统。电子设备的互联在汽车电子设备中，各种信息源的互联可采用几种拓扑结构，即星型、总线型和环型结构。这些拓扑结构如图1所示。星型结构是一对一的连接系统，外部的设备连接到视频控制器的一个端口。通信信道可以是双向或者单向的。图1：汽车电子设备互联的几种拓扑结构。总线型结构是车用显示系统/FPGA一点对多点，单个设备可以连接到总线。总线上的设备必须有本地控制器，用来协调总线上的设备何时以及如何进行通信。这种类型的系统易于扩展，因为每个设备都有一个唯一的地址。环型结构中每个设备都有一个唯一的地址，此外还有本地数据控制器和用来连接到环的媒体收发器。当显示设备收发器接收到前一个设备的信息后，在数据包中查看自己的地址，如果地址相匹配的话就处理数据或者命令，如果地址不匹配，就把数据包传送给环中的下一个设备。为使各种设备都能够传送音频和视频包，用于娱乐车用显示系统/FPGA的汽车环型总线都被设计成很高的带宽，以便观众能实时观看。从图1中可以看出，无论哪种结构都需要采用视频控制器。图像捕获与显示有效确保图像的捕获和处理十分重要，以下将介绍几种解决方法。在图2展示的智能图像捕获系统的几个例子中，信息从车辆的多媒体总线传送到视频控制器。通常使用的是MOST和D2B协议的环型或总线结构。图2：采用不同处理器件的三种智能图像捕获系统。在这三个例子中，MT9V111/125是适用于汽车应用的图像传感器。例1采用了基于微处理器的系统，在数据发送到显示子系统的接口之前进行控制和视频数据处理。例2采用基于闪存的低成本CPLD处理视频。例3采用了基于SRAM的FPGA器件。在以上所有例子中，均由处理单元对车用显示系统/FPGA发送的信息进行处理。其中，后两个例子中采用的可编程逻辑器件体现了重构硬件的灵活性。特别是例3在FPGA中使用了Lattice公司的微处理器核LatticeMico8，因而可获得更大的灵活性。发送所捕获图像的一种方法是将并行视频数据转换成串行流，并采用8b/10b编码在单对双绞线LVDS接口上传送。这个接口将时钟嵌入数据流，减少了传送信号到视频控制器所需的导线数目。在接收端，系统需要对数据进行处理，以便返回原来的形式。图3是4个LCD显示的例子。前三个例子均使用SERDES电路转换信号，其中例3采用具有集成SERDES功能的基于SRAM的FPGA。此例中采用的是LatticeECP/ECP2 FPGA，由于该器件中已嵌入了关键时序参数，因此设计者车用显示系统/FPGA不必再花大量时间和精力来完成此任务。图3：LCD显示。 LatticeECP2和LatticeECP2M系列重新定义了低成本FPGA，在更低的成本下拥有更多优秀的FPGA特性。这些器件含有sysDSP块和工程预制的源同步I/O。LatticeECP2M具有高达5.3Mb的RAM块，LatticeECP2具有高达1.1Mb的RAM块。在LatticeECP2M中还具有3.125Gbps嵌入式SERDES，可支持PCI Express、Ethernet(1GbE和SGMII)以及多个其它标准。通过集成以前只有高成本、高性能FPGA才具有的特点和性能，这些系列的产品扩展了低成本FPGA的应用范围。 LatticeMico32是一种针对Lattice FPGA优化的32位RISC软微处理器。如果将LatticeECP2M与开放源代码的LatticeMico32软处理器结合在一起，则LatticeECP2M可以实现完整的视频控制器功能(如图4所示)。内部的外设通过双WISHBONE总线进行通信。定时器、DMA、存储器控制器、通用I/O、串行外围接口和UART均可与LatticeMico32相连。图4：利用LatticeECP2M和LatticeMico32实现完整的视频控制器功能。本文小结由于可编程器件具有可重构的特点，因此特别适合于应对各种变化(例如不断修改的标准和新兴的标准)，并可以快速实现新版标准。此外，可编程器件还具有成本低和生命周期长的优势，能够满足车内电子设备与汽车寿命相匹配的要求，设计者也易于对产品进行升级、维护和更新。

时间：2019-03-27 关键词：器件系统车用可编程设计教程
XMOS采用eXtended架构的xCORE器件新增成员

XMOS日前发布了采用eXtended架构的xCORE器件产品中的xCORE-XA系列，它将该公司的可配置多核微控制器技术与一个超低功耗ARM -M3处理器结合在一起，掀起可编程系统级芯片（SoC）产品的新浪潮。 xCORE-XA代表了可编程SoC器件演化进程中的一次巨大的飞跃，它是多核微控制器领导者XMOS公司与节能型ARM微控制器技术领导者公司之间合作的成果。 “ARM 处理器是当今SoC器件所采用的领先内核，并得到了一个由各种工具、伙伴以及软件所组成的生态系统的支持，”ARM应用系统市场营销副总裁Nandan Nayampally说道：“ARM相信xCORE-XA代表了嵌入式系统的一个重大的进展，使工程师能够开发一种完全由高级软件配置的集成化SoC。XMOS是这类可配置多核微控制器的领导者，而拥有卓越的低能耗ARM -M3技术，通过把这两种强大的相结合，XMOS创造了一个全新的低功耗可编程的SoC产品种类。” 这种新架构使嵌入式系统设计人员能够使用高级软件去配置一款器件，使它具有其设计确实需要的一套接口和外部设备，同时可以重新使用现有的ARM二进制代码并且利用超低功耗的外设。设计人员还可以添加实时数据背板外加控制处理以及DSP模块，通过使用多个xCORE处理器内核以及它所提供的ARM处理能力，可以运行更大的控制背板处理软件，如通信协议栈、标准图形库或复杂的。 xCORE-XA在同一个低成本、超低功耗且可完全用C代码编程的可编程SoC中实现了上述所有的一切。其开创性在于：嵌入式系统设计师不必需要再在昂贵且耗电的可编程逻辑器件，不灵活的固定功能替代产品，或缺乏计算能力并受制于硬件定义外设集的传统微控制器之间进行选择。可配置的xCORE多核微控制器技术提供了多个时序可确定的、并行执行高级代码的32位处理器内核。它使客户能够使用软件准确地配置其设计所需外设和接口的组合，并利用时序精确的执行支持要求极为苛刻的硬实时需求。它还提供了先进的DSP和安全处理。xCORE-XA扩展了这些功能，成为设计师了进入到丰富的ARM生态系统的桥梁，包括可以大大加速产品设计时间的标准代码库。该系列的第一款器件XA-U8-1024带有八个32位处理器（七个xCORE逻辑内核外加一个ARM Cortex-M3处理器）、192KB 和1024KB的闪存。该器件包括一个低能耗USB接口，各种超低能耗外设以及包括ADC、DAC、运算和电容触摸传感比较器等在内的模拟功能。未来该系列成员还将包括六核和八核产品，其闪存大小将从512KB到1024KB，并提供以及带有或者不带低功耗USB 1.1接口的器件品种。正如所有的xCORE-XA器件一样，XA-U8-1024可以使用XMOS不断扩大的软件库中的一系列多样化的xSOFTip软件外设，并且得到了xTIMEcomposer工具套件的一种集成化设计流的支持，包括对ARM和多个xCORE处理器内核的全部设计输入、编译和调试的支持。 “扩展的xCORE-XA架构重新定义了嵌入式开发人员在使用一种可编程平台时所能实现的成果，” XMOS首席执行官Nigel Toon说道：“通过将公司全球最节能的ARM Cortex-M3技术引入到xCORE-XA中而成为产品的一部分，使客户能够纳入ARM二进制代码，并以最低功耗去开发独特的最终用户产品。我们相信xCORE-XA代表了一类全新的可编程SoC。现在，我们可以将系统级的可编程配置与具有实时性能的硬件功能带入到供电的低功耗应用，并且可以完全通过软件进行配置和编程。” xCORE-XA架构提供了灵活的能耗管理模式。面向快速启动和时间查询模式时，仅需低于1μA的电流就可运行集成的实时时钟和外围设备。在省电模式下，该器件消耗的电流低于100nA，且可通过GPIO或复位输入即可唤醒。没有的可编程SoC能够实现这种等级的低功耗性能。 XMOS已于2013年10月30日，在ARM TechCon大会加利福尼亚州圣何塞站上展示了xCORE-XA。工程样片和初始开发板将于本月起提供给初始客户，全面的量产将在2014年第一季度启动。

时间：2019-03-21 关键词：器件架构 xmos 基础教程成员
V101平台增添针对音频和视频信号器件而设计的混合信号能力

　　惠瑞捷半导体科技有限公司宣布，通过新增混合信号半导体设备测试能力，V101平台的功能进一步得到增强。通用V101平台专为晶圆分类和最终测试生产阶段的低成本、高容量测试而设计，如今又增添了针对音频和视频信号器件而设计的混合信号能力。　　V101的混合信号能力通过一个即插即用模块实现。该模块可简便快捷地安装到V101上，以便对用于汽车、通信、数据处理以及影音消费电子产品的混合信号IC进行测试。微控制器和其他低脚位、低成本IC通常是在高混合制造环境中生产，而V101平台不占空间，可在这种环境下对上述产品进行测试，同时还兼顾成本效益。　　惠瑞捷半导体科技有限公司副总裁暨应用特定测试解决方案（ASTS）事业部总经理魏津表示：“当前的很多电子产品都注重降低成本，半导体设计人员和制造企业所面临的一个重大挑战是如何降低这类产品的测试成本，缩短其量产和上市时间。我们的V101系统现在正满足了混合信号设备市场的这些迫切需求。”　　惠瑞捷V101平台的数据传输速率可达100 MHz，可容纳1024个输入/输出通道，并执行音频和视频段混合信号测试。很大一部分微控制器和IC通常都采用了嵌入式组件并包含了各种技术，而新增的混合信号能力使V101能够更加灵活地对此类产品进行测试，同时还可以降低成本。　　V101平台采用了惠瑞捷独特的tester-on-BoardTM模块架构，可简化测试仪的硬件、配置和系统支持，从而降低成本。该专利架构是直接在测试板上布置数字设备电源和直流资源，使测试资源与数字脚位相匹配。V101架构使用的组件具有高可靠性、易于维护和便于安装等特点，其本身也针对降低混合信号设备等各类应用的晶圆分类和最终测试成本进行了优化。　　V101平台还采用了惠瑞捷经过生产实践验证并荣获大奖的Stylus™操作系统软件。基于STIL的测试编程易于使用，使得程序开发工作迅捷、高效，同时也简化了其他程序测试转换，从而大大缩短了程序开发周期。

时间：2019-03-19 关键词：器件信号音频嵌入式开发视频信号
用于汽车HVAC和冷却风扇系统的回流热保护器件

PowerFET 在苛刻环境中的故障在苛刻的汽车工作环境中，功率场效应晶体管（powerFET）常常会暴露于极端温度变化和热机应力之下。间歇短路、冷操作环境、高电弧放电或带噪声电路短路、感应负载及多重短路在经过一段时间后会造成装置疲损，使装置在开路、短路或阻性模式下出现故障。尽管现在的powerFET越来越耐用，但在苛刻的工作环境下仍容易出现故障，尤其是在超出其额定值后，它们会很快出现故障。如果电压超过 powerFET的最大工作电压，那么它很快就会被烧毁。如果瞬时电压所包含的能量高于额定破坏能量水平，那么装置将损坏；形成破坏性热事件，最终可能导致装置冒烟、起火或脱焊。实践证明，与工作环境相对温和的应用相比，汽车的 powerFET 更容易出现疲损和故障。通过对比一段时间内的powerFET故障情况，我们发现用于苛刻环境条件（比如汽车应用）下的装置的 ppm 故障率要高得多。实地使用五年后，这种差别可达 10 倍以上。尽管一个powerFET可能通过了最初测试，但是在某些条件下，装置中的随机薄弱环节可能导致装置在现场使用中出现故障。实践证明，即使powerFET在规定的工作条件下运行，也会在不同的电阻水平下出现随机、不可预测的阻性短路。阻性模式故障尤其值得关注，这不仅仅是相对于 powerFET而言，印制电路板也一样。仅 10W 的功率就可能产生温度在 180摄氏度以上的局部热点，远远高于印制电路板的典型玻璃化转变温度（135摄氏度），造成电路板的环氧结构损坏，并产生热事件。图1 说明一个出现故障的powerFET可能并不会产生一个完全短路过电流条件，而是产生阻性短路，通过I2R受热形成不安全的温度条件。在这种情况下，所形成的电流可能并不是很高，不会使标准保险丝熔断并阻止印制电路板上的热失控。图1：阻性模式下的powerFET故障可能形成不安全的温度条件

时间：2019-03-18 关键词：器件汽车系统风扇技术教程
FPGA：65nm器件上量低功耗市场兴起

随着65nm工艺的应用以及更多低功耗技术的采用，拥有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗电量，具备进入更广泛市场的条件。FPGA从业者表示，今年FPGA快速增长，而预计明年仍将是一个增长年。比拼65nm器件加快45nm研发就像两三年前，可编程逻辑器件领域的两大厂商在90nm器件上进行大比拼一样，2007年，这两家企业和又在新一代技术节点65nm器件上开始了竞赛。一方面宣称他们比竞争对手领先推出了65nm器件，另一方面则在宣布推出低成本CycloneIIIВ系列65nm产品后表示，对手还没有推出低成本的65nm产品。的65nm器件集中在它高端的产品Virtex-5中。它于2006年推出首款采用65nm工艺的Virtex-5后，在2007年5月宣布，该系列的四个平台中有三个平台的 15款器件实现量产。据Xilinx介绍，65nm工艺与90nm生产的FPGA相比，速度平均提高了30%，容量增加了65%，与此同时，动态功耗降低了35%，静态功耗保持相同的低水平，而使用面积减少了45%。在65nm产品有高性能和低成本两个系列的器件。2006年11月，Altera发布了高性能Stratix ВIIIFPGA系列65nm器件。与前一代Stratix ВII器件相比，新产品的功耗降低了50%，性能提高了25%，密度提高了一倍。在2007年3月，Altera又发售 65nm低成本FPGA——— CycloneВIII系列。CycloneIIIFPGA比前一代产品每逻辑单元成本降低20%，含有5K至逻辑单元(LE)，288个数字信号处理(DSP)乘法器，存储器达到4Mbits。它使设计人员能够更多地在成本敏感的应用中使用FPGA。除此之外，在今年，45nm也提到了两家FPGA厂商的研发及提供样片的日程上。据Altera公司技术开发副总裁MojyChian介绍，45nm相对于65nm的优势，比65nm相对于90nm的优势要更大，不仅密度要提高两倍，每个晶体管成本每年要降低25%～30%，器件还具有更低的功耗和更快的速度。有如此的优势，两家企业都在加紧研发。记者了解到，45nm器件最早将在2008年推出，而从以往的规律看，应该先在高性能FPGA上实现。从通用器件向平台方案转变除了新工艺外，2007年FPGA业还有一个重要的变化就是，FPGA厂商从通用器件提供商向平台化方案商转变。Xilinx在今年4月推出了DSP平台，11月又推出了嵌入式，并与安富利联合提供系统级，拓展了高性能DSP、高性能嵌入式处理和高性能串行连接。以DSP平台为例，Spartan-DSP系列将XsremeDSP产品线扩展为针对DSP优化的平台。此外，Xilinx还在通信、消费、汽车、存储/服务器、工业应用和国防行业这六大垂直行业中，致力于与生态系统合作伙伴合作，提供系统。另一家企业Actel重点推广他们的一个方案——用于功率管理的PSC。该智能功率混合信号技术能构建出针对、MicroTCA、和标准的系统级解决方案，有助于系统功率环境的管理。低功耗FPGA崭露头角今年各厂商都研发出并推广针对便携应用的有突破性的新的低功耗技术产品。实际上，低功耗FPGA市场才刚刚开始。Altera在今年12月宣布即将推出针对便携式应用的零功耗产品MAXIIZ。该器件采用一种名为自对复位电路低电压电源的创新设计技术，实现了业界最低的动态和静态电流(29微安)。而Altera今年发售的StratixIIIFPGA中，采用了可编程功耗技术，降低功耗。而今年发售的CycloneIII系列，也是低功耗产品，在逻辑单元时，静态功耗低于0.5W。与此同时，Actel公司于今年推出了低功耗的IGLOOFPGA，它的静态功耗只有5μW。五领域应用是热点对于明年的市场情况，几大FPGA企业都抱有非常大的信心，他们都认为FPGA增长率应该高于整个半导体行业发展。就热点应用市场，大家认为有：一是消费领域市场上，平板显示市场是增长最快的市场之一，而FPGA是最新显示器后一个关键的器件，为此，FPGA企业都看好这一领域的增长。二是监控领域，各国“反恐”的需求推动了高性能监控视频平台持续增长。这要求DSP不仅要录像，还要实时的分析数据，对具有高性能DSP处理能力的FPGA产品有较大需求。三是在汽车领域，根据市场调研公司的预测，汽车的需求在2012年将是2007年的五倍。四是便携产品是FPGA的一个非常好的机遇。相比于和，FPGA允许设计者设计差异化产品、易用性，并具有快速上市的优点。五是在通信市场，大家相信无线应用将仍然推动FPGA的需求。展望2008年，FPGA将以更快速的发展速率渗透到更加广泛的应用领域，应用到现在已知或未知的领域。

时间：2019-03-08 关键词：器件 FPGA 低功耗嵌入式开发市场
数字集成电路器件双列直插封装特点

;;; 中、小规模数字集成电路最常A198S10TDC用的是TFL电路和CMOS电路。TTL器件型号以74(或54)作前缀，称为74/54系列，如74LSOO、74F181、54S86等。中、小规模CMOS数字集成电路主要是4XXX/45XX（X代表0—9的数字）系列、高速CMOS电路HC( 74HC)系列、与TTL兼容的高速CMOS电路HCT( 74HCT)系列。TTL电路与CMOS电路各有优缺点，TTL速度高，CMOS电路功耗小、电源范围大、抗干扰能力强。由于TTL在世界范围内应用极广，在数字电路教学实验中，主要使用TI'L74系列电路作为实验用器件，采用+5V作为供电电源。;;; 数字集成电路器件有多种封装形式，包括双列直插式和PLCC封装等。为了实验教学方便，实验中所用的74系列器件封装选用直插式。;;;;;;;;;;;;;; ;;; 双列直插封装有以下特点：;;; (1)从正面看，器件一端有一个半圆形的缺口，这是正方向的标志。缺口右边的引脚号为l，引脚号按反时针方向增加。图F．1中的数字表示引脚号。双列直插封装lC引脚号14、16、20、24、28等若干种。PLCC封装正面示意图如图F.2历示。这种封装的引脚号不便直接看出，只能看产品使用说明书。;;; (2)双列直插器件有两列引脚。引脚之间的间距是2.54 mm。两列引脚之间的距离有宽(15.24 mm)、窄(7.62 mm)两种。两列引脚之间的距离能够少做改变，引脚间距不能改变。将器件插入实验台上的插座中去或者从插座中拔出时要小心，不要将器件引脚搞弯或折断。;;; (3) 74系列器件一般右下角的最后一个引脚是GND，左上角的引脚是Uc：c。例如，14引脚器件引脚7是GND，引脚14是Uc（20引脚器件引脚10是GND，引脚20是U。但也有一些例外，例如16引脚的JK触发器74LS76，引脚13（不是引脚8）是GND，引脚5（不是引脚16)是Ucc。所以使用集成电路器件时要先看清它的引脚图，找对电源和地，避免因接线错误造成器件损坏。

时间：2019-02-27 关键词：集成电路器件数字电路设计双列直插
便携式设备充电电路的分立器件保护方案

便携式电子系统往往需要通过一个墙体适配器(交流－直流转换子系统)利用外部电源为其内部电池充电。如今的电池组大都采用了锂技术，因为锂技术能减小便携式产品的总重量。但另一方面，这种产品必须遵守严格的充电规则。需要注意的是，充电步骤如果出现问题可能会导致锂离子温度升高、热量失控而产生爆炸，威胁人们的生命。要避免出现此类事故，首选的安全措施之一就是从外部来保护负责管理电池组充电的内部充电器。过压现象产生的根源为保证充电电压不超出系统所能承受的最大额定电压，便携式设备和移动设备供应商一般都会随设备提供专用的墙体适配器。使用此类适配器就能保证AC-DC转换器的输出电压得到很好的控制，输出纹波受到较好的抑制。然而，尽管设备供应商明确建议用户只能使用原装充电器，后装配件仍然有它的市场，为旅行方便，或仅为在原装配件坏掉后保证设备的继续使用，用户可能会使用第二个或者第三个墙体适配器。根据适配器复杂度的不同，其瞬时输出电压有可能远远超出制造今天这些小型便携式产品所采用的敏感电子器件的额定电压。导致墙体适配器输出电压增大的另一个可能的原因是光偶反馈的损耗(SMPS充电器)，这一故障即便在高端AC-DC市场也可能出现。此时，输出电压可能增大至20V，如果使用过压保护器件(OVP)，可以避免系统中直接面对如此危险的电压。由于适配器电缆中的串联电感，热插拔AD-DC转换器也可能导致过压现象出现。此时的最大纹波电压取决于移动设备的输入电容和电缆的寄生电感。而如果在该移动设备上增加一个OVP器件，OVP的软启动特性就会消除热插拔所带来的过冲效应。 OVP的设计考虑与前几代过压保护器件不同的是，为了节省PCB空间，新的OVP中如今集成了旁路元件(N MOSFET或 P MOSFET)。在计算双芯片方案的PCB面积时，必须考虑器件的封装尺寸和两个器件之间的布线宽度。新一代OVP的PCB空间与老一代驱动＋MOSFET方案相比最多可节约60%。但是，考虑到改善因充电电流引起的散热问题，仍必须仔细设计PCB布线。安森美半导体的数据手册文档中给出了焊接点到空气的热阻Rθ曲线。此外，为了降低与芯片内部焊盘相连的焊接点温度，还必须再增加额外的铜表面。由于这个芯片内部焊盘与NMOS的漏极相连，因此添加的额外铜表面应连接到IN管脚或连到一个独立的平面，而且这个铜表面绝对不能接地。此外，过压阈值的定义也很重要。OVLO和UVLO阈值由内部比较器决定，当出现过压或欠压时，内部比较器会切断旁路元件。 OVLO所定的电平必须高于AC-DC的最大输出工作电压并低于系统首个元件的最大额定电压。图1所示为一个基于全集成OVP器件的典型便携式设备的结构(此处的OVP采用的是NCP347MTAE)。图1：基于全集成OVP器件的典型便携式设备的结构为保证工作的稳定性，还必须在器件前方尽可能靠近IN管脚的地方放置一个输入电容。该电容的特性必须与保护器件的特性一致。首先要检查的是该电容的直流偏置曲线，以保证其工作时所能承受的电压高于UVLO到 OVLO这个电压范围。例如，假设保护器件前方需要一个1µF的陶瓷电容。考虑到陶瓷电容的击穿电压(200V以上)高于保护器件的最大额定电压(30)，因此在此类产品上可以使用一个10V/1 µF或16V/1µF的电容。每个电容的具体击穿电压取决于所用陶瓷材料的品质。图2给出了0603/X5R/1µF/16V这款电容的直流偏置和直流击穿电压。图2：陶瓷电容0603/X5R/1µF/16V的直流偏置和直流击穿电压。主要产品特性今天，我们已经可以在很小的产品封装内实现极低的Rdson。例如采用2×2.5mm WDFN封装的NCP347，其Rdson只有110mΩ，但却能承受高达2安培的直流电流。25℃室温下墙体适配器到充电器之间的典型压降为52mV。由于损耗极小，因此此类产品可支持低输出电压的墙体适配器。适配器到充电器之间的压差越小，便携式器件的散热越少，对墙体适配器负载调节不佳的承受能力也越强。而新型充电器结构的出现，使得内部开关能在很低的功耗下实现快速关断。一般情况下，下游系统中不会出现瞬态过压。在上面提到的例子中，典型的关断时间是1µs，最长也只有5µs。新器件上可能会增加一个用于启动器件，或在我们希望将系统与墙体适配器隔离开时将其拉高就能切换到电池供电方式的“使能”管脚。另外，还可以用一个状态管脚来监控电压值。当该管脚处于开漏极输入状态时，必须通过一个最小为10kΩ的上拉电阻将其上拉到电池电压。如果将状态管脚连到一个微控制器的输入，并将“使能”管脚连到微控制器的输出，就可以在器件输入管脚上的电压持续出问题时完全切断OVP器件。而微控制器又可以根据状态管脚的情况，在合适的时候接通OVP。为新标准设计新方案 IC制造商们为解决过压问题以及有效保护他们的器件，提供了新颖的解决方案，例如安森美公司的NCP347和NCP348。由于能承受2安培的充电电流并提供高达28V的保护，而且关断速度极快，因此这些全集成的方案基本上能满足大多数应用的要求。为了满足不同AC-DC输出电压的要求，我们提供了一些OVLO阈值不同的产品版本。它们的Rdson、关断时间和耗电情况都能满足最严苛的要求。值得一提的是，其中有一款产品兼容USB充电，特别适合新的中国充电标准。事实上，现在已经有越来越多的便携式设备开始配备USB连接器，能通过USB连接器与带USB接口的主机或墙体适配器相连实现充电。

时间：2019-02-25 关键词：方案设备器件电路设计电路
California Micro Devices推出超低电容的ESD器件CM1227

推出超低电容的ESD器件CM1227，PicoGuard CM1227 ESD器件超低通道输入电容为0.35pF，适合用于高速数字消费电子应用中。该器件可提供4个通道的±15kV接触ESD保护，超过了 4级标准。该器件还提供通道输入匹配电容为0.02pF典型值，采用10引脚microUDFN (2.5x1.0mm) RoHS-兼容封装。电容随工作电压范围变化最小，每个I/O引脚可承受超过1，000 ESD冲击。（现可供货，样品价格为$0.30）

时间：2019-02-15 关键词：器件 micro 电容嵌入式开发超低
FET是电压控制器件

;;; 双极晶体管是由基极电流LF444CN控制集电极与发射极之间电流流动的器件，是由电流控制输出的，所以叫做电流控制器件；FET是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流流动的器件，是由电压控制输出的，所以称为电压控制器件。;;; FET的栅极上没有电流流过（实际上，只有极小的电流流过，比双极晶体管基极电流小得多）。因此在图2.1的电路中，认为漏极电流如与源极电流i。的大小完全相等。;;; 如果换一种理解方法，可以认为图2.1的电路是将如图2.5所示的输入信号vi的电压变化量Avi(这时为±0.5V)作为漏极的电流变化量A/d(这时为±0.25mA)输出的可变电流源。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;

时间：2019-02-14 关键词：器件嵌入式开发电压 fet
Microchip单片机系列再添12位ADC器件

microchip technology inc.（美国微芯科技公司）宣布推出12款全新的高性能、8位闪存单片机，其中包括该公司首款集成片上高速12位模数转换器外设的usb及lcd单片机系列。三个新产品系列共备有16种集成高分辨率片上模数转换器的高性能pic18 单片机，扩展了microchip通用pic18f4523系列产品线并极大地丰富了客户的选择。　　在这三个新产品系列中，pic18f8723大容量存储器通用系列提供丰富的外设集以及高达10 mips的卓越性能；pic18f4553系列提供集成全速usb收发器和12 mips性能；而pic18f8493 lcd单片机系列则可提供低功耗显示应用所需的集成lcd驱动能力。　　这些集成的模数转换功能可满足高速、高分辨率传感器测量所需的精度，在医疗、工业和公用仪表等应用中大派用场。此外，上述单片机系列还融合纳瓦技术特性，为设计工程师提供多元化的选择，以有效管理功耗并延长电池寿命。　　microchip先进单片机架构部副总裁mitch obolsky表示：“今天，越来越多的嵌入式应用需要高精度的模拟设计，以及更优越的网络连接和更完善的显示选择。新单片机系列集上述关键功能为一体，有助节省电路板空间，降低系统总成本。”　　12款新单片机均适用于精确测量及控制，涵盖广泛的应用领域，包括：工业 (数据记录、数据整理、压力传感器、温度传感器和流率传感器)；医疗 (血液气体分析器、血压监测仪、心率监测仪、血糖计和家居监控传感器)；电力 (公用电表、电源变换和电池充电器) 以及家电 (触摸屏界面、远程诊断、温度控制器、湿度传感器、距离传感器和rtd炉传感器)。开发工具　　microchip标准的高性能开发系统均支持三个单片机系列，以缩短产品上市时间，其中包括：具有可视化器件初始化程序的免费mplab®集成开发环境（ide）、mplab c18 c编译器和mplab icd 2在线调试器。此外，pic18f8723通用系列还由picdem hpc explorer评估板（部件编号：dm183022）提供支持；pic18f4553系列则通过picdem fs usb演示工具包(部件编号：dm163025) 提供代码开发支持；而pic18f8493 lcd系列则可配合picdem lcd 2演示板 (部件编号：dm163030)简化开发流程。存储器/封装及供货情况pic18f4553 usb

时间：2019-02-12 关键词：器件嵌入式开发单片机系列再添
模拟电路今后也将采用( CMOS) FET器件

;;; 如果将目光投向IC世界，就会发现LM1881N最近被称为CMOS IC的器件多起来了。;;; 以前的IC-TTL或普通的OP放大器等叫做双极lC。它的内部是双极晶体管的集合体。但是，最近在数字IC中，TTL不断地被CMOS数字IC-MOS晶体管的集合体所替代。;;; 众所周知，CMOS IC的特点是低功耗。发展到规模大的IC-LSI，由于消耗功率的缘故人们不得不采用CMOS，这一点已经成为现实。同时，面对模拟电路与数字电路一体化LSI的发展趋势，人们也很自然地趋向于使用CMOS构成模拟电路。;;; 当然CMOS是FET的同类。如图1.4所示它是P沟MOS FET与N沟MOS FET的组合。目前，CMOS模拟电路已经不再是难以获得的器件。这是因为已经能够利用FET有条不素地设计模拟电路，从而解决了大部分问题。;FET器件中还有利用IC化技术开发出的功率MOS FET。这种器件作为不易损坏的大功率开关器件受到人们的关注。;;;;;;;;;;;; ;;; 所以晶体管、FET的灵活运用日益成为非常重要的技术。在下面的章节中将观测FET和晶体管的实际工作波形，并说明它的工作过程。

时间：2019-02-11 关键词：器件 cmos 电路设计电路也将
Altera FPGA器件具低功耗、多吉比特串行互联特性

公司的Stratix II GX 经过广大开发人员在系统中的验证，能够可靠应用于有线/无线通信、计算机、网络、军事以及医疗等领域。据介绍，这些器件为客户提供了性能可靠的多吉比特收发器，具有极低的功耗和优异的信号完整性。亚太区营销总监梁乐观说：“客户发现Stratix II GX 的低功耗、多吉比特串行互联以及优异的抖动特性能够帮助他们获得很大的竞争优势。这些带有嵌入式收发器的高性能90nm 按计划发售，达到了功耗、抖动、线路编码和运转周期等规范要求，从此设计人员可以轻松的将多吉比特收发器集成到系统中。” AG, Computed Tomography研发主任Stefan Pflaum说：“我们在产品上选择Stratix II GX FPGA的一个重要原因是Altera能够按时、按要求交付功能完善的器件，他们在这方面一直保持了良好的记录。在我们的系统中，Stratix II GX器件每通道数据速率超过4Gbps，缩短了产品的图像生成时间，而不会影响诊断细节，使我们能够继续在医疗成像领域保持世界领先地位。”Tehuti 公司CTO Haim Bar-David说：“Altera及时交付功能完善、无缺陷的Stratix II GX芯片，帮助我们按时完成了网络流量加速产品的开发。Stratix II GX具有多种优点，使其成为实现2.5Gbps FPGA PCI x8接口的唯一可行的方案。这些优点包括最低的收发器功耗，支持热插拔，需要很少的外围元件，减小了电路板面积等。”Altera称，各行业中的不同客户，包括Crossbeam 、Doremi 、Lockheed和等都在验证Stratix II GX FPGA在其产品中的性能。Altera全套的开发工具、评估版、完整的协议、仿真模型以及特征报告等，都为Stratix II GX器件提供全面支持。

时间：2019-01-18 关键词：器件互联低功耗嵌入式开发特性
赛灵思SPARTAN-3A DSP平台FPGA又添低功耗器件

赛灵思公司(xilinx)日前宣布其xtremedsp信号处理解决方案产品系列新增功耗优化的spartan-3a dsp器件。这个目前业已投入量产的fpga新器件，为低成本且低功耗fpga领域的应用如军事通信战术无线电系统、无线接入点和便携式医疗设备等，提供了高性能的数字信号处理(dsp)能力。与标准器件产品相比，spartan-3a dsp低功耗(lp)器件的静态功耗降低了50%，而在待机模式下静态功耗的降低更是高达70%。同时，spartan-3a dsp低功耗器件还具有工业额定等级。降低的功耗与spartan-dsp系列固有的因集成专用dsp电路而拥有的动态功耗优势互为补充、相得益彰。事实上，与竞争fpga产品相比，spartan-3a dsp 3400a lp具有25%的功耗效率优势，最低成本的器件在250mhz时钟速度下性能高达每毫瓦 4.06 gmacs。高性能、低功耗的spartan-dsp dsp功效(power efficiency)是指完成信号处理计算时所消耗的功率。dsp功效指标适用于系统、功能、构建模块和通用操作。执行通用乘法累加操作时，spartan-3a dsp lp器件在250mhz时钟速度下功效达每毫瓦4.06 gmacs。 spartan-3a dsp fpga平台不需消费额外逻辑资源就能完成信号处理功能，因此设计人员可以在获得更高的功效的情况下达到性能和成本目标。用来构成专用dsp电路的xtremedsp dsp48a逻辑片包括专用18×18乘法器和18位预加法器(pre-adder)和48位后加法器/累加器(post-adder/accumulator)，能够以低成本提供良好的dsp性能。新器件能够实现高功率效率的另一个原因是spartan-3a dsp fpga平台采用了高级静态功率管理(待机模式)功能，可以在保持fpga配置数据和应用状态的情况下大幅降低fpga功耗。这意味着在应用中器件可以根据需要快速进入和退出待机模式(suspend mode)。 spartan-3a dsp lp可用于超级便携式超声设备等应用。在超级便携式超声设备中数字波束赋形(digital beamforming)是关键的dsp应用，而根据系统需要通道数量从16至128不等。spartan-3a dsp fpga平台的待机模式还可帮助延长此类应用中电池的寿命。能够从这一业内功率最低的高性能fpga平台中受益的其它应用还包括军用通信(milcom)便携和移动战术无线设备以及便携式夜视设备。价格和供货情况 xc3sd1800a-4li(低功耗、工业温度级)和xc3sd3400a-4li器件的价格分别为us$34.80和us$50.00(批量为25k时，到2008年底时的价格)。

时间：2019-01-18 关键词：器件低功耗平台嵌入式开发又添