基半导体激光器

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硅衬底InGaN基半导体激光器是个啥？

在硅衬底上成功生长了厚度达到6 μm左右的InGaN基激光器结构，位错密度小于6×108 cm-2，成功实现了世界上首个室温连续电注入条件下激射的硅衬底InGaN基激光器，激射波长为413 nm，阈值电流密度为4.7 kA/cm2。

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2016-08-19

ingan 硅衬底基半导体激光器