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基础电路学习（6）-- 从深度饱和谈三极管的开关响应
对于温度参数，比较典型的就是三极管的导通电压Ube，Ube会随着环境温度的升高而降低，硅三极管的Ube室温下约为0.7V。资料显示，硅三极管发射结正向压降的变化量是每增加1℃，Ube就降低2.5mV。我经常看到下面这个电路，并联一个二极管来降低三极管的受温度的影响，当Vbe下降或上升时，二极管VD1会有同样的温度特性，这样基级偏置电流Ib变化就很小了。
对于温度参数，比较典型的就是三极管的导通电压Ube，Ube会随着环境温度的升高而降低，硅三极管的Ube室温下约为0.7V。资料显示，硅三极管发射结正向压降的变化量是每增加1℃，Ube就降低2.5mV。我经常看到下面这个电路，并联一个二极管来降低三极管的受温度的影响，当Vbe下降或上升时，二极管VD1会有同样的温度特性，这样基级偏置电流Ib变化就很小了。
