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东芝采用0.13μm工艺的静电放电(ESD)保护器件适用于模拟功率半导体
东芝公司(TOKYO：6502)成功研发出一款适用于模拟功率半导体应用的静电放电(ESD)保护器件，产品采用先进的0.13μm工艺技术制造，优化了晶体管结构，显著提高了静电放电特性。静电放电保护鲁棒性提高多达四倍，标准偏
东芝公司(TOKYO：6502)成功研发出一款适用于模拟功率半导体应用的静电放电(ESD)保护器件，产品采用先进的0.13μm工艺技术制造，优化了晶体管结构，显著提高了静电放电特性。静电放电保护鲁棒性提高多达四倍，标准偏
