虽然目前市面上的应用主要以硅基器件为主,但在一些高功率、高电压应用中,硅基器件有些捉襟见肘,而氮化镓和碳化硅却能很好地满足这些应用场景。这主要是因为,他们属于宽禁带半导体材料,与硅等传统的半导体材料相比,具有更宽的带隙。其中硅的带隙是1.1电子伏特,氮化镓是3.4电子伏特。
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