1 引言 硫系化合物随机存储器，简称C-RAM。C-RAM单元结构是下电极/相变材料/上电极，其中相变材料是硫系化合物存储介质，较为成熟的是GST(Ge 2Sb2Te5)。其存储的基本原理是通过电极施加不同的脉
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