第五代v-nand闪存芯片

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提速40%、电压降低至1.2V，三星第五代V-NAND闪存芯片开始批量生产

近日，三星电子正式宣布已开始批量生产其第五代V-NAND 3D堆叠闪存芯片，采用96层堆叠设计，与前一代产品相比容量和速度都有大幅提升。它还业内首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面。

消费电子
2018-07-11

三星闪存第五代v-nand闪存芯片