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耗尽型模拟开关：无电源也能高性能连接
增强型FET用于当今绝大多数电子产品中，工作模式基于简单的概念。考虑到增强型NFET采用共源极结构(图1，左)-当门极与源在相同的电势，漏源极之间的沟道电阻很高，我们认为晶体管是‘关断’的。这些FET需要一个正的门极到源电压，以导通沟道，并在漏源极之间传导。当没有完全饱和时，这些FET的沟道电阻会有很大的变化。这可能导致模拟信号的问题，需要在整个信号幅度范围的低失真。此外，当采用增强型FET的模拟开关失去电源时，其状态是不确定的;它不会很好地传导，很可能也不会很好地隔离信号。
