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  • 关于锂离子电池组均衡充电方法以及充电原理解析

    关于锂离子电池组均衡充电方法以及充电原理解析

    在生活中,你可能接触过各种各样的电子产品,那么你可能并不知道它的一些组成部分,比如它可能含有的锂电池组,那么接下来让小编带领大家一起学习锂电池组均衡充电。均衡是解决电池单体差异性的关键技术,针对锂电池成组使用,各节锂电池均要求充电过电压、放电欠电压、过流、短路的保护,充电过程中要实现整组电池均衡充电的问题。 电荷均衡(缩写为相等电荷)是用于平衡电池特性的电荷。它是指在使用电池期间由于电池的个体差异和温度差异而导致的电池端子电压的不平衡。为了避免这种不平衡趋势的恶化,有必要增加电池组的充电电压并激活电池并对其充电,以平衡锂电池组中每个电池的特性并延长电池的维护方法。 常用的均衡充电技术包括恒定并联电阻均衡充电,开关并联电阻均衡充电,平均电池电压均衡充电,开关电容器均衡充电,降压转换器均衡充电,电感均衡充电等。对一组锂充电时串联电池,请确保每个电池均以均衡的方式充电,否则在使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。现有的单节锂电池保护芯片不具有平衡的充电控制功能。多节锂电池保护芯片的平衡充电控制功能需要一个外部CPU。它是通过与保护芯片的串行通信来实现的,这增加了保护电路的复杂性。设计的程度和难度降低了系统的效率和可靠性,并增加了功耗。 锂动力锂电池平衡的含义是利用电力电子技术将锂离子锂动力锂电池单元或锂动力锂离子电池组的电压偏差保持在预期范围内,从而确保每个锂动力锂电池电池在预期范围内。在正常使用期间,请保持相同的状态,以防止过度充电和过度放电。如果不执行平衡控制,则随着充电和放电周期的增加,每个锂动力锂电池的电压将逐渐不同,使用寿命将大大降低。 在使用组装好的锂动力锂电池组装车辆的过程中,由于自放电的程度和部件的温度,也会出现单体不一致的现象。锂动力锂电池单体的不一致性会影响锂动力锂电池组。充放电特性。研究表明,锂动力锂电池组容量的20%差异将带来锂动力锂电池组容量损失的40%。 在用于锂电池组的生产的相对较长的存储时间的情况下,由于保护板的每个电路的静态功耗和每个电池单元的自放电率不同,因此电池组的电池组的电压会降低。整个电池组不一致。均衡具有使锂电池组的电压均衡的功能,从而达到对电池组容量进行完全充电和完全放电的效果,从而使电池组能够发挥最大的作用。 常用的锂电池组均衡充电技术包括恒定并联电阻均衡充电,开关并联电阻均衡充电,平均电池电压均衡充电,开关电容器均衡充电,降压转换器均衡充电,电感均衡充电等。电池串联时,应平衡和充电,否则在使用过程中会影响整个电池组的性能和寿命。 锂动力锂电池单元之间的一致性是对锂动力锂电池容量最直接,最重要的影响,因为锂动力锂电池的容量是无法在短时间内直接测量的参数,但是锂动力锂电池的单体容量与其开路电压一一对应。锂动力锂电池电芯的电压可以实时在线测量,为测量锂动力锂电池电芯的浓度水平提供了有利条件。在电池管理系统的管理策略中,存在放电终止条件,充电终止条件等,其中将锂动力锂电池单元的电压值用作触发条件。 该位置处的参数是锂动力锂电池单元的电压一致性的过度差异直接限制了锂动力锂电池组的充电和放电功率。基于此,使用锂动力锂电池均衡方法解决已投入使用的锂动力锂电池组的电压差过大的问题,是提高锂动力电池容量的有效措施。锂电池组,延长使用寿命。锂动力锂电池的使用寿命。 相信通过阅读上面的内容,大家对锂电池组均衡充电有了初步的了解,同时也希望大家在学习过程中,做好总结,这样才能不断提升自己的设计水平。

    时间:2021-04-20 关键词: 锂离子电池组 均衡充电 过流

  • 关于锂离子电池保护电路的安全设置方法,你知道哪些?

    关于锂离子电池保护电路的安全设置方法,你知道哪些?

    随着全球多样化的发展,我们的生活也在不断变化着,包括我们接触的各种各样的电子产品,那么你一定不知道这些产品的一些组成,比如锂离子电池保护电路。据统计,全球对锂离子电池的需求已达13亿,而且随着使用范围的扩大,这一数字还在逐年新增。正因为如此,随着锂离子电池在各行各业的使用量迅速新增,电池的安全功能也越来越突出,不仅要求锂离子电池具有良好的充放电功能,而且要求其具有更高的安全功能。 单节锂电池的最高充电终止电压为4.2V,不能过充,否则会因正极的锂离子丢失太多而使电池报废。对锂电池充电时,应采用专用的恒流、恒压充电器,先恒流充电至锂电池两端电压为4.2V后,转入恒压充电模式;当恒压充电电流降至100mA时,应停止充电。 自放电也称为电荷保持能力,它是指在开路状态下某些环境条件下电池的存储功率的保持能力。一般来说,自放电主要受制造过程,材料和存储条件的影响。自放电是衡量电池性能的主要参数之一。一般而言,电池的储存温度越低,自放电率越低,但也应注意温度太低或太高,这可能会导致电池损坏且无法使用。比亚迪常规电池的储存温度范围是-20〜45。 首先,我们将了解锂离子电池的组成数据。锂离子电池的功能取决于电池的内部数据结构和功能。这些电池数据包括负数据,电解质,隔膜和正数据。其中,正极数据和负极数据的选择以及锂离子电池的质量直接决定了锂离子电池的功能和价格。因此,廉价,高性能的正负数据一直是锂离子电池业务的重点。 由于锂电池的内部结构,所有锂离子在放电过程中都无法移动到正极,因此一部分锂离子必须保留在负极中,以确保锂离子可以顺利地插入通道中在下一次充电期间。否则会缩短电池寿命。为了确保放电后石墨层中残留一些锂离子,必须严格限制最小放电终止电压,这意味着锂电池不能过放电。单节锂电池的放电终止电压通常为3.0V,且最小值不能低于2.5V。 电池的内阻是指电池工作时电流流过电池的电阻。通常分为交流内阻和直流内阻。由于可充电电池的内阻很小,因此在测量直流内阻时电极容量会极化。 产生极化内电阻,因此无法测量其真实值,而测量其交流内电阻可避免极化内电阻的影响并获得真实内值。 负极数据通常使用碳数据,该数据现在相对较旧。正极数据的发展已经成为限制锂离子电池功能的进一步发展和价格进一步下降的重要因素。在当前的锂离子电池的商业化生产中,阴极信息的成本约占电池总成本的40%,阴极信息的价格直接决定了锂离子电池的价格。对于锂离子电池尤其如此。例如,一个小型手机锂离子电池仅需要约5克正数据,而为总线供电的锂离子电池可能需要多达500千克正数据。 电池的内部压力是在充电和放电过程中产生的气体形成的压力。它主要受电池材料制造工艺,结构和其他使用工艺因素的影响。通常,在过度充电或过度放电的情况下,电池的内部压力保持在正常水平,电池的内部压力可能会增加。 当给锂离子电池充电时,电池的北极和南极的电势会迫使正极化合物释放出锂离子,这些锂离子嵌入负极分子的碳片结构中。在放电过程中,锂离子从层状碳中分离出来,并与带正电的化合物复合。电流在锂离子的运动中发生。原理很简单,但是在实际的工业生产中,还有更多实际问题要考虑:正极的数据需求需要添加剂来维持重复的充电活动,而负极的数据需求则计划在电池中包含更多的锂离子。分子结构水平;正极负极之间的电解质不仅必须稳定,而且还必须具有良好的导电性,以降低电池的内阻。 在研究设计过程中,一定会有这样或着那样的问题,这就需要我们的科研工作者在设计过程中不断总结经验,这样才能促进产品的不断革新。

    时间:2021-02-04 关键词: 锂离子电池 保护电路 过流

  • 电路板调试基本功和找故障的一些方法,你知道吗?

    电路板调试基本功和找故障的一些方法,你知道吗?

    你知道电路板调试基本功和找故障的一些方法吗?作为硬件工程师,工作的日常少不鸟电路板的调试,对于一个新设计好的电路板,要进过测试调试工作。特别是当板比较大、元件比较多时,往往无从下手。但如果掌握好一套合理的调试方法,调试起来将会事半功倍。 对于刚拿回来的新PCB板,我们首先要大概观察一下,板上是否存在问题,例如是否有明显的裂痕,有无短路、开路等现象。如果有必要的话,可以检查一下电源跟地线之间的电阻是否足够大。然后就是安装元件了。相互独立的模块,如果您没有把握保证它们工作正常时,最好不要全部都装上,而是一部分一部分的装上(对于比较小的电路,可以一次全部装上),这样容易确定故障范围,免得到时遇到问题时,无从下手。 一般来说,可以把电源部分先装好,然后就上电检测电源输出电压是否正常。如果在上电时您没有太大的把握(即使有很大的把握,也建议您加上一个保险丝,以防万一),可考虑使用带限流功能的可调稳压电源。先预设好过流保护电流,然后将稳压电电源的电压值慢慢往上调,并监测输入电流、输入电压以及输出电压。如果往上调的过程中,没有出现过流保护等问题,且输出电压也达到了正常,则说明电源部分OK。反之,则要断开电源,寻找故障点,并重复上述步骤,直到电源正常为止。 接下来逐渐安装其它模块,每安装好一个模块,就上电测试一下,上电时也是按照上面的步骤,以避免因为设计错误或/和安装错误而导致过流而烧坏元件。 寻找故障的办法一般有下面几种: ①测量电压法。 首先要确认的是各芯片电源引脚的电压是否正常,其次检查各种参考电压是否正常,另外还有各点的工作电压是否正常等。例如,一般的硅三极管导通时,BE结电压在0.7V左右,而CE结电压则在0.3V左右或者更小。如果一个三极管的BE结电压大于0.7V(特殊三极管除外,例如达林顿管等),可能就是BE结就开路。 ②信号注入法。 将信号源加至输入端,然后依次往后测量各点的波形,看是否正常,以找到故障点。有时我们也会用更简单的办法,例如用手握一个镊子,去碰触各级的输入端,看输出端是否有反应,这在音频、视频等放大电路中常使用(但要注意,热底板的电路或者电压高的电路,不能使用此法,否则可能会导致触电)。如果碰前一级没有反应,而碰后一级有反应,则说明问题出在前一级,应重点检查。 ③当然,还有很多其它的寻找故障点的方法,例如看、听、闻、摸等。 “看”就是看元件有无明显的机械损坏,例如破裂、烧黑、变形等;“听”就是听工作声音是否正常,例如一些不该响的东西在响,该响的地方不响或者声音不正常等;“闻”就是检查是否有异味,例如烧焦的味道、电容电解液的味道等。 对于一个有经验的电子维修人员来说,对这些气味是很敏感的;“摸”就是用手去试探器件的温度是否正常,例如太热,或者太凉。一些功率器件,工作起来时会发热,如果摸上去是凉的,则基本上可以判断它没有工作起来。但如果不该热的地方热了或者该热的地方太热了,那也是不行的。 一般的功率三极管、稳压芯片等,工作在70度以下是完全没问题的。70度大概是怎样的一个概念呢?如果你将手压上去,可以坚持三秒钟以上,就说明温度大概在70度以下(注意要先试探性的去摸,千万别把手烫伤了)。以上就是电路板调试基本功和找故障的一些方法,希望能给大家帮助。

    时间:2020-05-09 关键词: 保护 电路板 过流

  • 电流灵敏IC防止过流损坏

    电流灵敏IC防止过流损坏

    CMOS接口IC用作电子系统之间有线连接的入口。如果那些外部连接被误操作,那么接口IC可能由于短路到地或由于加上导致其锁住的电压而被损坏。但是,在短时间内短路和锁住通常还是安全的。(锁住可以通过把选通门端拉至低于地或高于VCC而触发。)电流灵敏IC防止过流损坏

    时间:2018-12-07 关键词: maxim integrated products 电源技术解析 电流灵敏ic 过流

  • 下一代产品所需的过流和过压电路保护

    防静电、防过电流和过电压冲击是工程师设计电子产品时必须考虑的一个问题。本文集中探讨了目前市场上所有的电路保护技术,并展望了未来电路保护器件的发展方向。过流保护:保险丝设计人员现在可选择几种技术以提供过流保护,这些技术包括传统的熔丝管(玻璃和陶瓷型)、薄膜保险丝和基于聚合物的正温度系数(PTC)器件。表面粘着型保险丝薄膜保险丝属于外形小巧类表面粘着元件,可为下一代电脑和电信/数据通信产品中的昂贵IC提供过流保护。表面粘着型保险丝(SMF)的典型封装尺寸为1206(3.2x1.6mm)和0603(1.6x0.8mm),这些保险丝最大允许电流为:1206型7安培,0603型5安培。这些晶片保险丝可提供与电池组、移动电话、笔记本、LCD监视器、PDA和调制解调器匹配良好的紧凑设计。当前,用薄膜技术设计出的最小保险丝尺寸为0402,允许的电流范围从250mA到2A。通用模组型保险丝(UMF)市场上现有的保险丝均遵循UL248或IEC技术规格。因此粘着这类保险丝的产品在北美可获得销售许可。不过,尽管IEC 127-4标准概述了通用模组型保险丝(UMF)的技术规格,但目前市场上尚无得到任何IEC代理机构认证的表面粘着型保险丝。NANO2通用模型保险丝据称是第一种满足IEC 127-4规范的产品,其额定电压为125V,额定电流可为500mA、1A和1.6A。PTC可复位保险丝PTC可复位的工作原理是:在过流情况下由自身电阻来保护电路免受损害,一旦电流恢复正常,PTC可复位保险丝能自动恢复到正常低阻值。这些特性使得PTC可复位保险丝成为电池供电和数据通信应用的理想选择,因为这些应用在更换电池或热插拔数据连接时可能会出现瞬间电涌。PTC可复位保险丝通常在某些电路中取代传统的玻璃保险丝,并主要用于USB应用。选择PTC可复位保险丝还是普通保险丝这两种保险丝都由感应电路中过电流产生的热量来实现保护功能,普通保险丝由熔化来中断电流,而PTC则通过将低阻转变为高阻来限制电流。在选择过流保护器件时,通常考虑以下4个因素:1)可复位性:两者最明显的差异在于PTC是可复位的,通常过流发生后采取的步骤是先断电,然后使器件冷却下来。2)阻抗:产品技术规格显示,在额定值大致相同的情况下,PTC具有保险丝两倍以上的阻抗。这个特性在设计电池供电设备时尤其突出,高阻抗器件增加的电能消耗不仅会缩短电池的寿命,而且还将导致更频繁的充电作业。3)时间/电流特性:比较PTC和保险丝的时间/电流曲线图,PTC的感应速度比普通保险丝要慢得多,而这一点对保护电路中异常敏感的部份特别关键。4)尺寸:普通保险丝的功率密度比PTC大得多,高达5安培的保险丝已可采用0603封装,2安培的则采用0402封装,目前正在开发1206封装,并致力于增加电流承载能力。过压保护任何电子设备均可能出现瞬态电压。现在已开发出几种提供过电压电路保护的零配件。变阻器金属氧化物变阻器(MOV)专为抑制汽车、电信和交流应用中的过电压而设计。MOV是一种电压钳位元件,如电压超过阀值则其阻抗将变得非常小。MOV具有高度非线性电压阻抗(V-I)特性,反应速度快,能承受很高峰值电流,待机状态下漏泄电流又较低。其主要应用是保护那些必须满足“瞬态电压浪涌抑制器”UL1449所列要求的产品免受雷电损害。邻近着地雷或高空雷都可能在初级和次级电路中产生电压,而直接雷击能够在交流电源和电话线中产生高压电涌。在敏感电路中粘着的MOV器件可以将雷击带来的不利影响最小化。多层变阻器(MLV)较小,是一种适合保护便携式和电脑设备中低电压电路的表面粘着器件,通常应用在移动通信、电脑、医疗和便携式设备中。瞬态电压抑制器瞬态电压抑制器是另一种选择,Surgector就是其中之一,它专为有线通信系统提供二级保护而设计,采用硅闸流管技术以提供变向钳位保护。该器件可用来吸收电信电路的暂态波形和高峰值浪涌电流。ESD抑制器现代电子系统(不论是移动的、机载的,还是陆基的)中的高密度电路,都很容易受到静电或ESD的侵害。因此要求许多新的电子设备必须满足IEC61000-4-2标准。传统的钳位二极管和多层变阻器(MLV)通常用来保护低速高功耗半导体电路。不过,随着半导体制程的进步,市场正向低电压高速IC方向发展,这些具有较大寄生电容的器件可能会导致信号传输失真。目前一种从聚合物正温度系数(PTC)技术发展而来的新器件具有处理常出现在IC之间的较大ESD脉冲所需的性能。静电(ESD)抑制器的聚合物结构使得制造商可生产出各种形状因子和配置的ESD抑制器,以满足各种不同应用的需要。该器件具有小于IPF的电容,可提供良好的限制信号降级和衰减的性能,以保证高速数据(如USB 2.0和下一代电池组线路设计中的数据线)能正常工作。下一代电池组电路保护可控式应用系统的发展使得对电池组和保证电路的需要也不断增加。随着多功能保护IC的出现,电池组设计人员也将研究重点转向采用单个多功能保护器件的安全应用。虽然IC很容易整合多种功能,但它们容易受到ESD和热过载的影响。由于电池组的终端是裸露的,因此ESD对它的影响很大。ESD可导致灾难性损害,它可使电池组失效,或者带来危害更大的潜在故障。从表面来看,潜在故障并未对保护IC造成任何影响,但实际上在某些条件下它将使得保护IC不能正常工作或进行预期的保证。随着市场越来越多地依赖保护IC,对电路来说ESD保护也变得非常关键。分立二极管、多层变阻器或基于聚合物的ESD解决方案对保护IC的ESD结构进行了有效补充,提供最高至15kv的ESD保护。除了ESD,保护IC还容易受到长时间过载条件下的热应力影响。由于IC的击穿特性,因此有可能存在一种故障模式,即电路在安全工作限制之外仍能正常工作。随着对多功能保护IC依赖的增强,保险丝保护方案仅用于冗余保护。在降低下一代便携式应用系统成本和尺寸的设计趋势下,设计人员正致力于用多功能保护IC来替代多个分立元件。为继续保持用户期待的高级别安全性,电池组设计人员正在用多功能保护IC实现的简单电路取代功能差不多的ESD和保险丝保护。这可使设计人员在降低整体系统成本的同时,继续保持便携式设备用户期待的安全保护性能。未来产品随着电子工业界探索更多增加效率和功能、降低产品成本和制造更紧凑便携式产品的方法,新的设计趋势是在单个封装中集成更多不同类型的元件,以提供一个完整的电路保护解决方案。将过压/过流器件、过温/过压器件和ESD抑制器集成在一起的新产品正在开发之中,它们将形成电路保护技术的又一次革命。

    时间:2018-10-11 关键词: 过压 保险丝 电源技术解析 过流

  • 检测LDMOS漏端电压判断是否过流方案

    1 引言 由于电源适配器芯片中内嵌集成或需要外部连接功率LDMOS 管,应用中的LDMOS 管又需要直接和高压相联接并通过大电流(目前的LDMOS 管已经能耐受数百乃至近千伏的高压)。因此,如何保障芯片和LDMOS 管的安全工作是芯片设计的重点之一。 利用片上二极管正向压降的负温度特性来监测芯片的热状态,进而控制功率LDMOS 管的开关是一种可行的安全设计方法。但是由于硅片存在热惰性,故不能做到即时控制。该方法更适宜作安全设计的第二道防线。 从芯片设计看,要确保适配器芯片使用的安全性,比较好的方法应该是直接监测流经LDMOS 管的大电流或LDMOS 管的漏极电压,以实时监控芯片的工作状态。一般采取两种方案:(一)在功率MOS 管源端对地串联一个小电阻用于检测源极电流,如图1(a)所示;(二)是通过检测电路监控LDMOS 的漏端电压,如图1(b)所示。前一种方案至少有以下缺点:(1)由于工艺存在离散性,电阻值很难做到精确(误差在20%左右);(2)源极串入电阻后,使原本导通电阻很大的LDMOS 管的管压降进一步增大,功率处理能力变弱;(3)电阻上流过大电流,消耗了不必要的能量,降低了开关电源的转换效率。 图1(a)串联电阻检测电流图1(b)直接检测漏端电压   而采用后一种方案,因为利用了集成电路的特点(电压采样电路的电阻比精度很容易做到1%),电路处理并不太复杂。重要的是LDMOS 管没有源极串联电阻,可减少能量损耗,不影响LDMOS 管的功率处理能力,提高了电源转换效率。 直接检测漏端电压判断LDMOS 是否过流的设计思想是在LDMOS 管导通时,通过采样电路检测LDMOS 漏端电压,经比较,过流比较器输出一个低电平过流信号以关闭LDMOS 管;而在LDMOS 管截止期间,采样电路不工作,同时为了提高可靠性将比较器窗口电平适度拉高。 图2 是实现上述功能的电路框架图,由过流比较模块、控制逻辑等组成。 图2 过流保护电路框架   2 电路设计 2.1 过流比较模块 过流比较模块主要由前沿消隐Leadedge、采样电路Sample、比较电压产生器ToCompare 和过流比较器Comparator 等组成,如图3 所示。 前沿消隐电路由于存在片上寄生或外接电容和电感的影响,在LDMOS 管开启的瞬间,会在LDMOS 管漏极输出端出现尖峰电压,可能造成过流误判。必须增设前沿消隐电路,即对LDMOS 管栅控电压产生一个时间延迟,使在LDMOS 管开启的瞬间将过流比较器闭锁,等到尖峰通过后,再对LDMOS 管漏极信号进行采样测量和过流判断,从而消除漏电压尖峰的影响。如图3 所示,我们在其中加入一个偏置在固定电压V(BIASN)的NMOS 管,它相当于一个固定电流源,以限制电容放电的时间。 图3 过流比较模块电路图 合理设计相关的器件参数可以控制延迟时间的大小。 采样电路用开关控制电路实现对LDMOS 漏端的周期性电压采样,其中分压电路可采用大阻值有比电路结构。根据集成电路的特点,电阻比值的误差很容易被控制在1%范围之内。 当LDMOS 的栅电压V (GATE) 为高,即LDMOS 管导通时,使图3 中的采样开关管M10(具有较高耐压和较低导通电阻特性)也导通,同时开始采集LDMOS 管的饱和漏极电压;而当LDMOS 管的栅电压V(GATE)为低,即LDMOS 管关闭时(非过流现象),采样电路则不工作。 比较电压产生器的电路工作原理如下:由于过流状态只发生在功率LDMOS 管栅极为高电平状态。故当V(GATEDelayed)为低电平时,I1、I2和I3将同时对电容Ccompare充电, 使比较电压V(Compare) 值升高。考虑到采样电压最大值为2.5V,为避免误操作,可设置比较电压值为2.7 V,以使后继比较电路工作的门限电平增加,提高抗干扰能力;与此同时,采样电容Csample将通过电阻R2快速放电,使采样电压V(Sample)快速变为零,即相应输出为非过流状态。 而当栅极电压V(GATEDelayed)为高电平时,输出比较电压则变为V(Compare)=I1×R3=1.0 V。 过流比较器过流比较器采用常见的NPN 差分对管的输入方式,恒流源偏置。与传统恒流源偏置略有不同的是在偏置电路中增加了MOS 开关,当V(GATE)为高时(此时LDMOS 和该MOS 开关同时导通),电路图左侧恒流源工作,使总偏置电流变大,输出缓冲级的驱动电流增大,比较电路速度加快;在V(GATE)为低时,左侧的恒流源不工作,总偏置电流变小(此时LDMOS 不导通,过流比较器处于闲置状态),为节能模式。 2.2 控制逻辑 控制逻辑模块如图4 所示,该模块直接控制LDMOS 的开关。PULSE 信号的上升沿对应是CLOCK 时钟的开始,PULSE 信号与时钟CLOCK 的关系如图9 所示。当发生过流时,OVERCURRENT信号为低,触发器R 端为高,Q 为低,GateSwitch 信号为低,关断LDMOS,从而实现过流保护功能。 图4 控制逻辑电路图   3 仿真结果 我们利用BCD 高压工艺,在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果如下: 前沿消隐电路的仿真仿真条件:取电源电压为5.8 V,2 pF 的电容在10μA 的放电电流情况下,延迟时间为Tdelay=C*0. 5VDD/I =2p*2.9/10μ= 0.58μs,仿真结果如图5 所示。 图5 前沿消隐电路仿真   采样电路的仿真 设检测端电压一般在10~50 V 之间变化,我们设置V(Detect)=SIN(30,20,50 k);周期为20μS;又设在采样周期内,比较电压为1 V;依据LDMOS管导通特性,设输出漏电压高于某值(本例为20伏)为过流,则分压比设计为K = R4/ ( R3+R4)=5 k/(5 k+95 k)=1/20, 于是得到采样电压值为V(Sample)=V(Detect)*k =SIN(1.5,1,50 k),即最大值为2.5,最小值为0.5。同样地,我们在采样电路输出端加上一个电容以消除电压尖峰影响。该采样电路仿真结果如图6 所示。 图6 采样电路仿真   比较电压产生器的仿真 在比较电压产生器输出端应加上电容Ccompare,以消除由于开关管导通的瞬间在Ccompare端产生的尖峰电压,仿真结果如图7 所示,其中虚/ 实线分别为有无电容存在时的仿真结果。显然,电容Ccompare的存在极大地改善了输出波形。电容Ccompare大小的选择,应该权衡消峰效果、充电速度和芯片面积消耗间关系。 图7 添加电容Ccompare 前后的比较 本例中,取Ccompare为4 pF。 过流保护电路模块的仿真 对图3 进行电路仿真,电源电压VCC 为5.8 V,LDMOS 漏端检测电压在10~50 V 之间,栅端电压脉冲频率为132 kHz,占空比为60%的方波,SPICE仿真条件设置为VCC=5.8 V,V (Detect)= SIN(30,20,50k),V (Gate)=PULSE(0,5.8,0.5u,0.5u,0.5u,3u,7u),仿真结果如图8 所示。在1.26 uS~4.17 uS 和8.25 uS~11.2 uS 这两个采样区间内,采样电压V(Sample)较比较电压V(Compare)大,输出为低电平(过流保护,低电平有效);在15.2 uS~18.2 uS 采样区间内,采样电压V (Sample) 较比较电压V(Compare)小,输出为高电平,对应不发生过流情况;其他时间段内栅电压处于低电平,对应LDMOS处于关断态,不可能发生过流,故过流输出信号OverCurrent 为高电平。仿真结果表明,该电路确实能很好地实现过流保护的功能。 图8 过流保护电路仿真结果   控制逻辑电路的仿真 在图4 所示的控制逻辑中,设置时钟CLOCK为PULSE (0,5.8,0,0,0,4u,7u), 过流信号OVERCURRENT 在15us 时从高电平跳变为低电平,进行仿真。PULSE 信号记录了CLOCK 信号的开始, 并周期性检测过流信号。当过流信号OVERCURRENT 低电平有效时,R 为高电平,将RS触发器输出Q 复位为低电平,此时FC 为高电平,栅控信号GateSwitch 输出为低电平,关断LDMOS。仿真结果如图9(b)所示。 图9 控制逻辑电路的仿真   闭环控制电路的整体仿真 如图10 所示,图3 电路和外接LDMOS 形成一个闭环控制系统。仿真结果如图11 所示:在没有发生过流时,栅极电压的占空比最大;有过流发生时,过流信号OverCurrent 将栅极电压强制设置为低电平,关断LDMOS,从而达到了过流保护效果。 图10 闭环总体仿真原理图 图11 闭环总体仿真波形   3 结论 本文阐述了几种过流检测方法,分析了每种方法的优缺点。设计了一款闭环控制型的过流保护电路,它采用直接检测LDMOS 管漏端电压的方法,可以克服采用电阻检测时消耗能量,芯片容易发热的缺点,同时提高了开关电源DC/DC 的能量转换效率。另外,采取有比采样电路设计,克服了工艺偏差的影响,提高了采样精度。 基于3μm高压BCD 工艺,我们在Cadence 设计环境中利用电路模拟器Spectre 对该控制电路进行了分模块和整体模块的仿真,结果表明该电路可以较好地实现实时过流保护功能。

    时间:2018-08-15 关键词: ldmos 漏端电压 过流

  • 开关电源过流保护方式比较分析

    开关电源过流保护方式比较分析

    电源作为一切电子产品的供电设备,除了性能要满足供电产品的要求外,其自身的保护措施也非常重要,如过压、过流、过热保护等。一旦电子产品出现故障时,如电子产品输入侧短路或输出侧开路时,则电源必须关闭其输出电压,才能保护功率MOSFET和输出侧设备等不被烧毁,否则可能引起电子产品的进一步损坏,甚至引起操作人员的触电及火灾等现象,因此,开关电源的过流保护功能一定要完善。1 开关电源中常用的过流保护方式过电流保护有多种形式,如图1所示,可分为额定电流下垂型,即フ字型;恒流型;恒功率型,多数为电流下垂型。过电流的设定值通常为额定电流的110%~130%。一般为自动恢复型。图1中①表示电流下垂型,②表示恒流型,③表示恒功率型。 图1过电流保护特性 1.1 用于变压器初级直接驱动电路中的限流电路在变压器初级直接驱动的电路(如单端正激式变换器或反激式变换器)的设计中,实现限流是比较容易的。图2是在这样的电路中实现限流的两种方法。图2电路可用于单端正激式变换器和反激式变换器。图2(a)与图2(b)中在MOSFET的源极均串入一个限流电阻Rsc,在图2(a)中, Rsc提供一个电压降驱动晶体管S2导通,在图2(b)中跨接在Rsc上的限流电压比较器,当产生过流时,可以把驱动电流脉冲短路,起到保护作用。图2(a)与图2(b)相比,图2(b)保护电路反应速度更快及准确。首先,它把比较放大器的限流驱动的门槛电压预置在一个比晶体管的门槛电压Vbe更 精确的范围内;第二,它把所预置的门槛电压取得足够小,其典型值只有100mV~200mV,因此,可以把限流取样电阻Rsc的值取得较小,这样就减小了 功耗,提高了电源的效率。(a)晶体管保护(b)限流比较器保护 图2在单端正激式或反激式变换器电路中的限流电路 当AC输入电压在90~264V范围内变化,且输出同等功率时,则变压器初级的尖峰电流相差很大,导致高、低端过流保护点严重漂移,不利于过流点的一致 性。在电路中增加一个取自+VH的上拉电阻R1,其目的是使S2的基极或限流比较器的同相端有一个预值,以达到高低端的过流保护点尽量一致。1.2 用于基极驱动电路的限流电路在一般情况下,都是利用基极驱动电路把电源的控制电路和开关晶体管隔离开来。变换器的输出部分和控制电路共地。限流电路可以直接和输出电路相接,其电路如图3所示。在图3中,控制电路与输出电路共地。工作原理如下: 图3用于多种电源变换器中的限流电路 电路正常工作时,负载电流IL流过电阻Rsc产生的压降不足以使S1导通,由于S1在截止时IC1=0, 电容器C1处于未充电状态,因此晶体管S2也截止。如果负载侧电流增加,使IL达到一个设定的值,使得ILRsc=Vbe1+Ib1R1,则S1导通,使 电容器C1充电,其充电时间常数τ= R2C1,C1上充满电荷后的电压是VC1=Ib2R4+Vbe2。在电路检测到有过流发生时,为使电容器C1能够快速放电,应当选择R41.3 无功率损耗的限流电路上述两种过流保护比较有效,但是Rsc的存在降低了电源的效率,尤其是在大电流输出的情况下,Rsc上的功耗就会明显增加。图4电路利用电流互感器作为检测元件,就为电源效率的提高创造了一定的条件。图4电路工作原理如下:利用电流互感器T2监视负载电流IL,IL在通过互感器初级时,把电流的变化耦合到次级,在电阻R1上产生压降。二极管D3对脉 冲电流进行整流,经整流后由电阻R2和电容C1进行平滑滤波。当发生过载现象时,电容器C1两端电压迅速增加,使齐纳管D4导通,驱动晶体管 S1导通,S1集电极的信号可以用来作为电源变换器调节电路的驱动信号。 图4无功耗限流电路 电流互感器可以用铁氧体磁芯或MPP环型磁芯来绕制,但要经过反复实验,以确保磁芯不饱和。理想的电流互感器应该达到匝数比是电流比。通常互感器的Np=1,Ns=NpIpR1/(Vs+VD3)。具体绕制数据最后还要经过实验调整,使其性能达到最佳状态。1.4 用555做限流电路图5为555集成时基电路的基本框图。 图5555集成时基电路的基本框图 555集成时基电路是一种新颖的、多用途的模拟集成电路,有LM555,RCA555,5G1555等,其基本性能都是相同的,用它组成的延时电路、单稳态振荡器、多谐振荡器及各种脉冲调制电路,用途十分广泛,也可用于直接变换器的控制电路。555时基电路由分压器R1、R2、R3,两个比较器,R-S触发器以及两个晶体管等组成,电路在5~18V范围内均能工作。分压器提供偏压给比较器1 的反相输入端,电压为2Vcc/3,提供给比较器2的同相输入端电压为Vcc/3,比较器的另两个输入端脚2、脚6分别为触发和门限,比较器输出控制R- S触发器,触发器输出供给输出级以及晶体管V1的基极。当触发器输出置高时,V1导通,接通脚7的放电电路;当触发器输出为低时,V1截止,输出级提供一 个低的输出阻抗,并且将触发器输出脉冲反相。当触发器输出置高时,脚3输出的电压为低电平,触发器输出为低时,脚3输出的电压为高电平。输出级能够提供的 最大电流为200mA,晶体管V2是PNP管,它的发射极接内部基准电压Vr,Vr的取值总是小于电源电压Vcc,因此,若将V2的基极(脚4 复位)接到Vcc上,V2的基—射极为反偏,晶体管V2截止。图6为用555做限流保护的电路,其工作原理如下:UC384X与S1及T1组成一个基本的PWM变换器电路。UC384X系列控制IC有两个闭环控制回路,一个是输出电压Vo反馈至误差放大器,用于同基准电压Vref比较之后产生误差电压(为了防止误差放大器的自激现象产生,直接把脚2对地短接);另一个是变压器初级电感中的电流在T2次级检测到的电流值在R8及C7上的电压,与误差电压进行比较后产生调制脉冲的脉冲信号。当然,这些均在时钟所设定的固定频率下工作。UC384X具有良好的线性调整率,能达到0.01%/V;可明显地改善负载调整率;使误差放大器的外电路补偿网络得 到简化,稳定度提高并改善了频响,具有更大的增益带宽乘积。UC384X有两种关闭技术;一是将脚3电压升高超过1V,引起过流保护开关关闭电路输出;二 是将脚1 电压降到1V以下,使PWM比较器输出高电平,PWM锁存器复位,关闭输出,直到下一个时钟脉冲的到来,将PWM锁存器置位,电路才能重新启动。电流互感 器T2监视着T1的尖峰电流值,当发生过载时,T1的尖峰电流迅速上升,使T2的次级电流上升,经D1整流,R9及C7平滑滤波,送到IC1的脚3,使 IC1的脚1电平下降(注意:接IC1脚1的R3,C4必须接成开环模式,如接成闭环模式则过流时555的脚7放电端无法放电)。IC1的脚1与IC2的 脚6相连接,使IC2的比较器1同相输入端的电压降低,触发器Q输出高电平,V1导通,IC2的脚7放电,使IC1的脚1电平被拉低于1V,则IC1输出 关闭,S1因无栅极驱动信号而关闭,使电路得到保护。若过流不消除,则重复上述过程,IC1重新进入启动、关闭、再启动、再关闭的循环状态,即“打嗝”现 象。而且,过负载期间,重复进行着启振与停振,但停振时间长,启振时间短,因此电源不会过热,这种过负载保护称为周期保护方式(当输入端输入电压变化范围 较大时,仍可使高、低端的过流保护点基本相同)。其振荡周期由555单稳多谐振荡器的RC时间常数τ决定,本例中τ=R1C1,直到过载现象消失,电路才 可恢复正常工作。电流互感器T2的选择同1.3的互感器计算方法。 图6用555做限流保护电路 图6电路,可以用在单端反激式或单端正激式变换器中,也可用在半桥式、全桥式或推挽式电路中,只要IC1有反馈控制端及基准电压端即可,当发生过流现象时,用555电路的单稳态特性使电路工作在“打嗝”状态下。1.5 几种过流保护方式的比较几种过流保护方式的比较如表1所列。 表1 几种过流保护方式的比较 2 结语作者经过长期的研发与生产,比较了开关电源中所使用的各种过流保护方法,可以说,几乎没有一种过流保护方式是万能的,只有用555的保护方式性能价格比 是较好的。一般来说,选择何种过流保护方式,都要结合具体的电路变换模式而做出相应的选择。只有经过认真的分析,大量的实验才能找到最适合的过流保护方 式。保护方式设计的合理、有效,意味着产品的可靠性才可能更高。

    时间:2018-06-14 关键词: 方式 开关电源 电源技术解析 过流

  • 过流短路保护对逆变电源的重要性

    过流短路保护对逆变电源的重要性

    现实生活中的负载大多数是冲击性负载,例如炽灯泡在冷态时的电阻要比点亮时低很多,像电脑,电视机等整流性负载,由于输入的交流电经过整流后要用一个比较大的电容滤波,因而冲击电流比较大。还有冰箱等电机感性负载,电机从静止到正常转动也需要用电力产生比较大的转矩因而起动电流也比较大。 如果我们的逆变器只能设定一个能长期工作的额定输出功率的话,在起动功率大于这个额定输出功率的负载时就不能起动了,这就需要按照起动功率来配备逆变器了,不过这显然是一种浪费。实际中,我们在设计过流短路保护电路时我们会设计两个保护点,额定功率和峰值功率。一般峰值功率设定为额定功率2-3倍。时间上额定功率是长时间工作不会保护的,峰值功率一般只维持到几秒就保护了。下面进行举例说明:     如图1所示,R5为全桥高压逆变MOS管源极的高压电流取样电阻,可以这么理解,高压电流的大小基本上决定了输出功率的大小,所以用R5检测高压电流的大小。图1中LM339的两个比较器单元我们分别用来做过流和短路检测。 先看由IC3D及其外围元件组成的过流保护电路,IC3D的8脚设定一个基准电压,由R33、VR4、R56、R54分压决定其值U8=5*(R33+VR4)/( R33+VR4 +R56+R54)。当R5上的电压经过R24,C17延时后超过8脚电压14脚输出高电平通过D7隔离到IC3B的5脚。4脚兼做电池欠压保护,正常时5脚电压低于4脚,过流后5脚电压高于4脚,2脚输出高电平控制后级的高压MOS关断,当然也可以控制前级的MOS一起关断。D8的作用是过流短路或电池欠压后正反馈锁定2脚为高电平。 再看IC3C组成的短路保护电路,原理和过流保护差不多,只是延时的时间比较短,C19的容量很小,加上LM339的速度很快,可以实现短路保护在几个微秒内关断,有效地保护了高压MOS管的安全。顺便说的一点是短路保护点要根据MOS管的ID、安全区域和回路杂散电阻等参数进行设计。一般来说电流在ID以内,动作时间在30微秒以内是比较安全的。

    时间:2015-09-15 关键词: 负载 逆变电源 短路保护 电源逆变电源 过流

  • 综合过流保护电路

    综合过流保护电路

        图中是利用IGBT(V1)过流集电极电压检测和电流传感器检测的综合保护电路,电路工作原理是:负载短路(或IGBT因其它故障过流)时,V1的Vce增大,V3门极驱动电流经R2,R3分压器使V3导通,IGBT栅极电压由VD3所限制而降压,限制IGBT峰值电流幅度,同时经R5C3延迟使V2导通,送去软关断信号。另一方面,在短路时经电流传感器检测短路电流,经比较器IC1输出的高电平使V3导通进行降栅压,V2导通进行软关断。

    时间:2015-08-24 关键词: 电源电源保护 综合保护 软关断 过流

  • 常用过压、过流、过温保护器件之选型技巧

    中心议题: 过压保护器件的选型要点 过流保护器件的选型技巧 过温保护器件的选型考虑 随着电子系统的复杂性和集成度越来越高,而工作电压越来越低,电子系统对可靠性、稳定性和安全性的要求也越来越高,电路保护设计的重要性也越来越强。在电路保护设计中,电路保护器件的选择和应用是否合理,将直接影响电子系统电路保护方案的保护效果。为了帮助工程师正确选择电路保护器件,合理应用电路保护器件设计高效的电路保护解决方案,本期大讲台将分三部分进行介绍:第一部分介绍常见的电路保护器件之选型技巧;第二部分重点分析保险丝、瞬态电压抑制器、ESD保护器件、防雷保护器件等的实际应用方案;第三部分将结合电子元件技术网论坛和电路保护与电磁兼容研讨会中关于选用电路保护器件的讨论,整理出电路保护设计过程中较常遇到的难题Q&A。 电路保护主要有三种形式:过压保护、过流保护和过温保护。选择适当的电路保护器件是实现高效、可靠的电路保护设计之关键的第一步,那么,如何合理选择电路保护器件?不同的保护器件其保护原理也各有不同,选择的时候应结合其保护原理、工作条件和使用环境来考虑。本文将介绍常用的几种过压、过流和过温保护器件之选型技巧,帮助工程师正确选择电路保护器件。 1. 过压保护器件的选型要点 过压保护器件(OVP)用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏,常用的过压保护器件有压敏电阻、瞬态电压抑制器、静电抑制器和放电管等。过压保护器件选型应注意以下四个要点: 1)关断电压Vrwm的选择。一般关断电压至少要比线路最高工作电压高10% 2)箝位电压VC的选择。VC是指在ESD冲击状态时通过TVS的电压,它必须小于被保护电路的能承受的最大瞬态电压 3)浪涌功率Pppm的选择。不同功率,保护的时间不同,如600w(10/1000us);300W(8/20us) 4)极间电容的选择。被保护元器件的工作频率越高,要求TVS的电容要越小 1.1 ESD抑制器 选择合适的ESD保护器件,最大的难点在于如何最容易地明确哪种器件可以提供最大的保护。系统供应商一般是通过数据手册上的ESD额定值(或标称值)来比较ESD保护器件的好坏。事实上,从这些额定值根本看不出器件保护系统的能力有多强,关键取决于其二极管参数。主要的参考系数应该是: 快速响应时间 低箝位电压 高电流浪涌承受能力 AEM(苏州)科技有限公司副总经理郑索平介绍,选择ESD器件应该遵循下面的要求: (1)选择静电保护器件注意:         • 箝制电压不要超过受保护器件的最大承受电压         • 电路电压不超过保护器件工作电压         • 低电容值、漏电流尽可能的减少干扰及损耗 (2)静电保护器件尽量安装在最接近静电输入的地方,远离被保护器件 (3)静电保护器件一定接的大地线,不是数字地线 (4)回地的线路尽量的短,静电保护器件与被保护线路之间的距离尽量的短 (5)尽量避免被保护与未被保护线路并排走线 1.2压敏电阻 压敏电阻是一种用得最多的限压器件。广泛的应用在汽车电子、通迅、计算机、消费类电子产品、军用电子产品等方面,特别是在LCD、键盘、I/O 接口、IC、MOSFET、CMOS、传感器、手机、DVD、AV、ABS、马达控制板、MP3、PDA、USB接口及高速数据信号线路上进行保护等。 压敏电阻选用时应注意的是:连续施加在压敏电阻两端的电源电压,不能超过规格表中列出的¡°最大持续工作电压¡±值。还要充分考虑到电网(或电路)工作电压的波动幅度, 选取压敏电阻的压敏电压值时,要留有足够的余量。国内一般的波动幅度为30%。通过压敏电阻的最大浪涌电流不应超过技术规格书中的¡°最大冲击电流¡±值 (也就是最大通流量)。考虑到要耐受多次冲击时,应该选用能耐受10次以上冲击的浪涌电流值。 压敏电阻的箝位电压必须小于被保护的部件或设备能承受的最大电压(即安全电压)。 1.3 瞬态电压抑制器TVS 瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10-12秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。 瞬态电压抑制二极管(TVS)广泛应用在半导体及敏感的电子零件过电压、ESD保护上,主要包括:消费类产品、工业产品、通讯、电脑、汽车、电源供应品、信号线路保护及军事、航天航空导航系统及控制系统上。最大箝位电压VC不可大于被保护设备最大的安全电压,以及反向工作电压(反向断态电压)须大于线路正常工作电压,是使用TVS管时必须注意的问题,另外, 交流电压只能用双向TVS。 TVS管的选用应注意以下几点: 确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。 TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。 TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。 在规定的脉冲持续时间内,TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。 对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。 根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵列更为有利。 温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度 工作,由于其反向漏电流IR是随增加而增大;功耗随 TVS结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温 度变化对其特性的影响。 1.4 陶瓷气体放电管 陶瓷气体放电管属于开关组件,用于电源防雷器共模电路中将雷电流泄放入地,也可用在差模电路中与压敏电阻串联而阻断其漏电流。在信号防雷器中常用于第一级泄放浪涌电流,由于其反应速度慢,还要用第二级作限压保护。 在选择陶瓷气体放电管时应注意: 陶瓷气体放电管不能直接用在电源上做差模保护; 击穿电压要大于线路上最大信号电频电压; 耐电流不能小于线路上可能出现的最大异常电流; 还有脉冲击穿电压须小于被保护线路电压。 2 过流保护器件的选型 过流保护器件主要有一次性熔断器、自恢复熔断器、熔断电阻和断路器等,其中,最重要的过流保护器件是熔断器,也叫保险丝。它一般串联在电路中,要求其电阻要小(功耗小),当电路正常工作时,它只相当于一根导线,能够长时间稳定的导通电路;由于电源或外部干扰而发生电流波动时,也应能承受一定范围的过载;只有当电路中出现较大的过载电流(故障或短路)时,熔断器才会动作,通过断开电流来保护电路的安全,以避免产品烧毁的危险。 在熔断器分断电路的过程中,由于电路电压的存在,在熔体断开的瞬间会发生电弧,高质量的熔断器应该尽量避免这种飞弧;在分断电路后,熔断器应能耐受加在两端的电路电压。熔断器受脉冲损伤会逐步降低承受脉冲的能力,选用时需要考虑必要的安全余量;这个安全余量是指熔断器的总熔断(动作)时间,它是预飞弧时间和飞弧时间之和。所以在选择的时候需要留意它的熔断特性和额定电流这个基本条件;另外安装时要考虑熔断器周边的环境,熔断器只有达到本身的熔化热能值的时候才会熔断,如果是在环境较冷的状况下,它的熔断时间会变化,这是使用时必须留意的。 总的来说,保险丝的选型应注意以下十个要素: 额定电流; 额定电压; 环境温度; 电压降 / 冷电阻; 熔断特性:   过载能力,时间 / 电流特性; 分断能力; 熔化热能值; 耐久性(寿命); 结构特征:  外形 / 尺寸,安装形式; 安全认证 结合以上的十个保险丝选用注意要素,保险丝的选用可根据下图所示的流程来进行。 3 过温保护器件的选型 过温保护器件主要有热敏电阻、温度开关和温度熔断器等。在电源设计中经常使用NTC热敏电阻型浪涌抑制器作过温保护,因为其抑制浪涌电流的能力与普通电阻相当,但在电阻上的功耗则可降低几十到上百倍。 NTC热敏电阻,即负温度系数热敏电阻,其特性是电阻值随着温度的升高而呈非线性的下降。NTC热敏电阻的选型要考虑以下几个要点: 1)最大额定电压和滤波电容值 滤波电容的大小决定了应该选用多大尺寸的NTC。对于某个尺寸的NTC热敏电阻来说,允许接入的滤波电容的大小是有严格要求的,这个值也与最大额定电压有关。在电源应用中,开机浪涌是因为电容充电产生的,因此通常用给定电压值下的允许接入的电容量来评估NTC热敏电阻承受浪涌电流的能力。简单来说,就是输入电压越大,允许接入的最大电容值就越小,反之亦然。NTC热敏电阻产品的规范一般定义了在220Vac下允许接入的最大电容值。 2)产品允许的最大启动电流值和长期加载在NTC热敏电阻上的工作电流 电子产品允许的最大启动电流值决定了NTC热敏电阻的阻值。产品正常工作时,长期加载在NTC热敏电阻上的电流应不大于规格书规定的电流。

    时间:2012-01-11 关键词: 保护 器件 技巧 电源技术解析 常用 选型 过流

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