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EMC对策元件: 业界最小尺寸汽车以太网共模扼流圈的开发•量产

21ic讯 TDK株式会社针对车载以太网，开发出了实现业界最高水准的高共模变换特性Scd21，且尺寸仅为L:4.5×W:3.2×H:2.8(mm)的业界最小※尺寸汽车以太网共模扼流圈ACT45L系列，并将从2013年11月开始量产。数据传输速率高达100 Mbit/ s的以太网正迅速成为汽车高速多媒体信息娱乐应用的首选网络协议。因为采用了轻量级的非屏蔽双绞线(UTP)线，汽车以太网能够节省空间和重量。新型汽车以太网在共模噪声抑制方面的标准比CAN和FlexRay的要求更加苛刻。噪声衰减越高，共模扼流圈的性能越好。TDK独有技术使ACT45L的平衡参数优于现有产品，在高达100MHz宽频率范围内，提升了15分贝至25分贝。新型ACT45L系列生产过程完全自动化，包括高精度自动卷线过程和用高温度和耐湿性粘合剂对铁氧体磁芯的粘合过程。该新型汽车元件系列符合AEC-Q200标准，可靠性高，品质稳定。除以往的CAN用ACT45B和FlexRay用ACT45R共模扼流圈系列，再加上本次的新产品，形成了一个高度灵活的汽车网络高性能电磁兼容元件阵容。

时间：2013-11-08 关键词：元件汽车以太网尺寸开发最小量产对策业界 •
村田宣布业界最高Q值0603尺寸电感器实现量产

　　随着以手机为代表的小型移动通信设备向多功能化和高功能化发展，这些设备中组装的元件的数量正在不断增加。而与此同时，市场上仍然存在着追求设备的小型化的倾向，因此对片状电感器的小型化和薄型化的要求也越来越强烈。另外，为了提高小型移动通信设备中高频无线电路的灵敏度，则需要使电感器在高频领域中也能获得高Q值。由此可见，开发小型且高Q值的薄膜型片状电感器已经成为一个急需解决的课题。近日，株式会社村田制作所已经实现了最适用于手机等小型便携设备中高频电路的0603尺寸（0.6×0.3×0.3mm）薄膜型片状电感器系列产品的商品化。　　村田制作所利用公司独创的最新微细加工技术，重新研究并设计了电感器的内部结构，最终发现了在极小尺寸的电感器内部绕制线圈的最佳方法，以此成功地开发出能够获得业界最高Q值※1的0603尺寸电感器，并实现了其商品化。　　在片状电感器的制造工艺中，通常有绕制线圈和积层等流程，而在此次开发的电感器的制造过程中，村田制作所则采用了厚膜工艺，并且通过进一步提高这项厚膜工艺的水准，实现了该产品的高性能化。　　村田制作所已经完成了电感量范围从0.6nH到120nH的0603尺寸高Q值片状电感器的系列化。该系列产品的电感量的允许偏差为±0.2nH（±5%），今后村田将计划推出更多允许偏差值小的产品。　　主要特点：　　1、在适用于高频电路的电感器的制造过程中，只有村田一家企业采用了厚膜工艺。通过采用这项工艺，村田成功地推出了小型且高Q值的电感器。　　2、超小型和超薄型：外形尺寸为0.6×0.3×0.3mm　　3、可获得业界最高Q值的0603尺寸电感器：比以前产品的Q值高10%　　4、允许偏差值小：从0.6nH到3.9nH的电感器的允许偏差为±0.2nH，从4.3nH到56nH的电感器的允许偏差为±5%　　5、高频稳定性：在高频领域中，我公司的电感器可获得比原来的0603尺寸电感器更高的Q值和稳定性。　　6、电感量： 0.6～56nH （68～120nH的电感器系列产品已经实现了商品化）　　主要应用领域　　手机中的高频模块（PA、ANT、VCO、SAW等）　　采用GSM、CDMA、PDC等制式的手机　　数字电视中的调谐器模块　　W-LAN模块　　Bluetooth®模块　　各种高频电路　　术语说明　　※1 Q值也称品质因数（Quality Factor），是显示共振锐度的数值。　　Q值越高，其在高频领域的损耗就越少，也就越能获得良好的电感性能。　　系列产品型号　　LQP03TN （1）（2）（3）（4）　　（产品型号的后半部分的数字代表了产品的各种不同的特性。（1）（2）（3）（4）分别显示了以下参数的数值。（1）电感量（2）允许偏差的记号（3）端电极规格（4）封装规格）　　特性图表　　　　

时间：2011-04-22 关键词：尺寸村田量产电感器
莱迪思发运量产的MachXO2 PLD

　　美国俄勒冈州希尔斯波罗市- 2011年4月4日 - 莱迪思半导体公司（NASDAQ： LSCC）今日宣布MachXO2™LCMXO2 – 1200器件已合格并投产。LCMXO2 - 1200是MachXO2 PLD系列六个成员之一，为低密度PLD设计人员提供前所未有的在单个器件中具有低成本、低功耗和高系统集成的特性。LCMXO2 - 1200器件采用低功耗65纳米工艺制造，具有1280查找表（LUT），并提供静态功耗低至70uW。这些器件具有丰富的功能集，包括嵌入式存储器、锁相环、用户闪存（UFM），以及一些深受欢迎的功能，如已固化在器件中的I2C、SPI和定时器/计数器。　　“自 MachXO2系列在市场上推出后，我们很高兴能在短短四个月的时间达到这个重要阶段，”低密度解决方案的高级产品营销经理Shantanu Dhavale说道。 “超低功耗与具有差异化和独特的产品功能集相结合呈现具有竞争力的价格，正在推动各种终端市场的数百家用户对MachXO2器件进行快速评估，这些终端市场包括消费电子、通信、计算、工业和医疗设备。”　　产品选择具有最大的灵活性　　LCMXO2 - 1200器件提供两种选择。 LCMXO2 - 1200ZE器件用额定1.2V的电源工作，并支持高达60MHz的系统性能。功耗低至70uW和封装为2.5mmx2.5mm的 MachXO2 - 1200ZE器件为成本敏感，低功耗的消费电子设计应用进行了优化，如智能电话，GPS设备和PDA。　　LCMXO2 - 1200HC器件用额定3.3V或2.5V的电源工作，并支持高达150MHz的系统性能。提供多达207个用户I / O和强大的设计解决方案（瞬时启动、非易失性、输入滞后和单芯片），这些器件非常适用于终端市场中的控制应用，如电信基础设施、计算、工业和医疗设备。　　免费的设计工具和参考设计加快了开发时间　　今天客户就可以开始用Lattice Diamond™ 1.1版软件进行MachXO2器件的设计，软件可以直接从莱迪思网站上免费下载http://www.latticesemi.com/latticediamond/downloads/　　为了快速，高效的设计和实施在系统和消费电子应用中常用的功能，可以从莱迪思的网站免费下载 20多个使用MachXO2器件的参考设计　　http://www.latticesemi.com/products/intellectualproperty/aboutreferencedesigns.cfm.　　价格和供货情况　　MachXO2 LCMXO2 - 1200ZE和LCMXO2 - 1200HC器件提供商业和工业温度等级的选择。这些器件还有低成本的选择范围广泛的封装，包括100引脚的TQFP、144引脚的TQFP和132引脚的csBGA。在2011年将提供256引脚的ftBGA和25球型的WLCSP。对典型批量的LCMXO2-1200ZE/HC TQFP100售价为每片2.00美元。预计将在2011年年底前批量发运所有MachXO2系列的成员。　　关于MachXO2 PLD系列　　MachXO2器件为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中具有前所未有的低成本，低功耗和高系统集成的特性。与前一代MachXO™ PLD系列相比，MachXO2系列采用嵌入式闪存技术的低功耗65纳米工艺，提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗，低至19uW，并减少了高达30％的成本。这些器件非常适合在终端市场的控制PLD的应用，如电信基础设施、计算、高端产业、高端医疗设备，以及低功耗的应用，如智能手机、GPS设备和数码相机。　　关于莱迪思半导体公司　　莱迪思半导体公司提供创新的FPGA、PLD、可编程电源管理和时钟管理解决方案。要了解更详细的信息，请访问www.latticesemi.com。　　通过RSS了解莱迪思的最新信息。

时间：2011-04-13 关键词：量产发运 machxo2 莱迪
中国首款量产纯电动汽车上市可满足城市代步（图）

　　中国首款纯电动汽车即荣威E50正式上市开卖，其售价为23.49万元，购买该车的用户可以享受到5.4万元的国家补贴，当然还有地方补贴（各个省市有所不同）。这款荣威E50的长宽高分别是3569mm×1551mm×1540mm（轮毂为13寸，轴距为2305mm），其为双门设计（可以坐四个人），内置有一键启动系统和SMART HOLD电子手刹，而该车的中控台还配备了一个不规则的6.5寸触摸屏。　　再来说说这款荣威E50的充电方面，其提供了快充、慢充两个接口：慢充模式可用中国标准的220V的家用电源，在传统的汽车油箱口位置，6-8小时可以充满；快充模式使用专用充电设备，在汽车前脸的E标识位置打开可以看到充电口，30分钟能充满80%。　　顺便说下，这款E50的最高时速为130km/h，匀速测试情况下续航里程最高为180km。PS：满足城市代步是绰绰有余的。

时间：2012-11-15 关键词：电动汽车中国量产代步
支持13节电池的超低功耗锂离子电池保护LSI实现量产

　　21ic电子网讯，罗姆集团旗下的LAPISSemiconductor面向搭载多节串联电池结构的锂离子电池组系统，开发出了以单芯片可控制、保护最多达13节锂离子电池组的LSI"ML5235"。与以往产品相比，实现了仅为1/6的超低耗电量，可以轻松配置通常工作和保管时对电池节负担较小的锂离子电池组用保护电路。而且，可以检测锂离子电池的过充电、过放电状态，直接驱动外置的充放电控制用FET。　　本产品的生产基地为LAPISSemiconductorMiyazakiCo.,Ltd.（日本宮崎市），已经从7月份开始量产。　　近年来，全球性环境保护行动要求有效利用能源，在工控、消费电子领域，能效较高的锂离子电池取代铅蓄电池的速度日益加快。尤其是随着近年来电动自行车的普及，为了减轻对环境的影响和实现电池本身轻量化，以往的铅蓄电池逐渐被锂离子电池取代，电动工具中使用锂离子电池组的产品也在不断增加。　　此前，作为锂离子电池组安全性的电池保护LSI，LAPISSemiconductor为了针对需求较大的最多支持13节电池组的电动自行车市场，已量产了"MK5207"、"MK5208"。产品由模拟前端用IC和微控制器芯片组组成，通过追加、变更微控制器的程序，可以满足每个系统的不同要求，主要用于电动自行车用途。　　另一方面，在电动自行车、电动工具市场，对此类用途需求不断扩大，同时，为了削减零部件个数，降低系统成本，对以单一LSI可检测锂离子电池组的异常并进行保护的电池保护LSI的需求日益高涨。　　为了满足这种需求，此次，LAPISSemiconductor面向搭载5～13节串联锂离子电池组的系统，开发出以单一LSI即可具备异常检测、保护功能的LSI"ML5235"。不仅支持最多达13节锂离子电池组，而且工作时的耗电量仅为以往的1/6，另外，关闭电源时的耗电量接近于零，与原来相比，大大降低了通常工作与长期保管时的电池组负担。　　不仅如此，在"ML5235"的外部连接微控制器，微控制器可以测量每个单元的电压值，可实现高精度的余量显示功能，并且配合客户系统，可实现最佳的二次保护功能和充放电FET控制。　　LAPISSemiconductor今后还会进一步完善面向消费电子、工控设备以及其他车载用途的多节串联锂离子电池组的商品阵容。 1 2 ＜特点＞・支持多达13节串联电池组80V高耐压制造工艺，仅1枚芯片即可支持业界最高级别的5～13节串联锂离子电池组。与其他公司产品相比，可简单轻松的配置更高电压的系统。・高精度的异常检测可高精度地对每节电池的过充电／过放电状态进行异常检测。过充电／过放电电压检测精度分别是±5mV、±10mV (均为typ.值)。・充放电控制用FET的驱动输出由于可以直接驱动充放电控制用FET的栅极端子，因此无需追加驱动IC。・满足各种电池规格的商品阵容根据电池规格可以选择“连接节数、过充电／过放电检测（解除）电压阈值、充电／放电过电流检测阈值”，备有不同掩膜选项下的代码产品。・配备功能扩展用电池节电压监视器输出通过外部微控制器可以监视每节电池的电压。为了对每个系统进行最佳控制，通过微控制器可实现高精度的余量显示功能和2次保护功能等。・耗电量低工作时的电流仅为本公司以往产品的约1/6，另外，关闭电源时的耗电量接近于零，可减少电池组通常使用时和长期保管时的电池负担。通常工作时　25μA (typ), 60μA(max)关闭电源时 0.1μA(typ), 1μA(max) ・安装面积小封装尺寸小，仅为9.7mm×7.6mm×1.85mm，30-pin SSOP封装，因此可实现锂离子电池组用保护电路的小型化。【应用领域】・电动自行车・电动工具・ UPS（不间断电源装置）【销售计划】・商品名：ML5235・样品出货时间：出货中・样品价格：250日元（不含税）・评估板（单体）：供应中（仅限出借）・量产出货计划：9月末开始【主要规格】・绝对最大额定值：86.5V・工作温度范围：-40ºC～+85ºC ・工作电源电压：+7V～+80V・支持电池节数：5～13节・耗电量：通常工作时　25μA(typ), 60μA(max)　　　　　　　　　关闭电源时　0.1μA(typ), 1μA(max)・充放电控制用FET：N-ch FET（直接驱动）・过充电／过放电检测精度：过充电检测精度：5mV(typ),25mV(max) 过放电检测精度：10mV(typ),50mV(max)・过充电／过放电检测延迟时间设定：按外部端子的容量负载设定・封装：30-pin SSOP(9.7mm x 7.6mm × 1.85mm)符合RoHS要求，不含铅，不含卤素 1 2

时间：2012-09-03 关键词：电池功耗量产锂离子
台积电南科Fab14第五期动土 20纳米制程明年量产

　　台积电晶圆14厂12寸超大晶圆厂第五期工程昨日举行动土典礼，台积电董事长张忠谋表示，14厂第5期工程是继竹科12厂第6期后，第二座具备20纳米技术12寸晶圆厂，预计20纳米制程明年开始量产，十四厂第五期计划，是为了台积电下一个成长高峰做准备。　　他说，15年前台积晶圆六厂的动土也率先成为南科第一动土的公司，15年前公司许下的心愿，今天也将持续前进并领先同业，目前南科Fab14第五期已投入超过4500亿元，并贡献2011台积电营收1800亿元，约占总体营收42%。　　经济部常务次长黄重球、行政院国家科学委员会主任委员朱敬一、南科管理局局长陈俊伟、台南市政府经发局主秘殷世熙等皆出席动土典礼。　　对于半导体龙头英特尔，最近透露了其涉足晶圆代工市场意图，张忠谋认为，英特尔目前有三个小客户，其策略应为选择性进入代工。　　张忠谋表示，台积电是15年第一批进驻南科的企业，至今已投入逾4500亿元，晶圆14厂是台积电公司继晶圆12厂之后，第2座12寸超大型晶圆厂，在前4期产能陆续开出后，目前单季总产能约55万片，是全球最大的12寸厂，晶圆14厂目前总共约有4600名员工，未来第5期厂房完工后，将可再创造4500个就业机会。　　台积电共同营运长蒋尚义表示，未来南科14厂6期厂房，面积将达20万平方公尺，蒋尚义指出，月产能将达24万片12寸晶圆规模；其中，第5期厂房未来月产能约3万片。南科14厂第5期厂房基地，挖掘发现有陶片，目前已由南科管理局协助处理，若判定为古迹，或评估时间过长，将改由第6期厂房先行兴建，应不会影响扩产计画。　　张忠谋表示，台积电在研发部分正切入进行10纳米以下技术，并保持技术领先。对照过去10年台积电总体产能已增5倍，以8寸晶圆厂运作计算，PFC排放减47%，耗水量减55%，能源消耗减47%，废水回收则已达92%。

时间：2012-04-14 关键词：纳米量产制程动土
Altera交付业界第一款高性能28nmFPGA量产芯片

　　Altera公司（Nasdaq： ALTR）近日宣布，开始交付业界第一款高性能28-nm FPGA量产芯片。Stratix® V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工艺制造的FPGA，比竞争解决方案高出一个速率等级。Altera高端FPGA的性能优势结合其前沿工艺技术和功能优势，使得Stratix V FPGA能够在各类市场上替代ASIC和ASSP，超越竞争FPGA。Stratix V FPGA系列已经有8个型号开始量产。　　Altera于2011年4月开始发售业界第一款高端28-nm FPGA工程样片，在不到一年的时间便推出量产芯片——业界最快的28-nm FPGA产品。Altera仍然是唯一发售具有28-Gbps收发器FPGA的公司。开发高性能系统的客户，包括世界上顶级通信、广播、军事、测试和医疗公司，都在下一代系统中选择了Altera高端FPGA，这是因为器件所具有的性能优势和公司积极的生产计划。　　其中，全球领先的信息与通信技术（ICT）解决方案供应商华为公司，在最新的400G大容量OTN系统中选用了Altera高端产品系列，率先实现Stratix V FPGA带来的性能优势。华为公司在3月5号洛杉矶举办的光纤通信大会暨展览/美国光纤工程师大会2012 （OFC/NFOEC）的展位上展示其基于Stratix V FPGA的系统。通过提供业界第一款高端28-nm FPGA量产芯片，Altera支持400G系统等通信基础设施以及各类市场上其他高性能系统的发展。　　AdvancedIO系统公司总裁兼CEO Mohammad Darwish评论说：“在金融市场上一直需要以最低延时实现最佳性能。AdvancedIO的产品结合Altera最新28-nm FPGA技术，提供了理想的解决方案。在我们的网络卡中采用Altera Stratix V FPGA后，我们能够在市场上推出最可靠的无误码产品。Stratix V系列灵活的密度特性使得FPGA技术能够应用于更复杂的金融服务。”　　Altera提供业界最全面的28-nm FPGA系列产品，可定制满足用户的系统性能、系统功耗和系统成本需求。除了Stratix V FPGA，28-nm系列产品还包括低功耗/低成本的Cyclone® V和Cyclone V SoC FPGA、中端的Arria® V和Arria V SoC FPGA以及开发套件。Stratix V FPGA系列包括含有大量逻辑的E型号，以及含有速率高达28 Gbps集成收发器的GX、GS和GT型号。Stratix V FPGA是唯一具有精度可调DSP模块、高性能浮点DSP功能的FPGA，也是目前发售的唯一具有硬核PCI Express® （PCIe®） Gen3 x8 IP模块和28-Gbps收发器的FPGA。　　Altera公司产品和企业营销副总裁Vince Hu评论说：“我们高端28-nm硅片产品的推出恰逢其时，目前的企业正在积极开发性能更好的系统或者更新现有的基础设施，以满足最终用户的需求。提供第一款高性能FPGA量产芯片，使我们能够处于非常有利的位置来帮助用户突出产品优势，迅速将其最终系统推向市场。我们在可定制28-nm系列产品上的优势使我们能够赢得市场上三分之二的28-nm设计。我们还赢得了光网络、高速数据包处理以及其他通信领域中传统上由ASSP和ASIC实现的应用。”　　供货信息　　现在已经开始发售28-nm Stratix V FPGA量产芯片，由最新版Quartus® II 11.1软件为其提供支持。现在发售28-nm Arria V FPGA工程样片，本月将发售28-nm Cyclone V FPGA工程样片。

时间：2012-03-15 关键词：芯片量产高性能交付
新科尔维特C7.R与新Z06量产车共享技术解析

[摘要] 雪佛兰新科尔维特C7.R赛车与2015款科尔维特Z06在设计与零部件共享方面都到达了前所未有的水平，本文将对两款车的共享技术做全面解析。　　雪佛兰品牌昨日正式发布科尔维特C7.R赛车，该车与全新的2015款科尔维特Z06共同开发，再一次展示了科尔维特赛车和量产车的紧密联系。两款车型在设计与零部件共享方面都到达了前所未有的水平，共享内容包括底盘结构设计、发动机技术以及空气动力学设计。　　通用汽车美国性能车和赛车运动副总裁Jim Campbell 表示：”自从参加耐力赛，科尔维特就在该领域扮演了将近15年成功典范的角色。车队取得的诸多成绩都源于科尔维特赛车与量产车型之间的共生关系。由于共享了科尔维特Stingray的成功设计，2015款科尔维特Z06和新款C7.R赛车将在民用和竞赛领域更具竞争力。而科尔维特Stingray车型本身在很大程度上是基于C6.R赛车开发而来。” 　　2014年，科尔维特车队将以两台C7.R赛车挑战各大赛事，首先将于1月25到26日在第52届劳力士杯北美戴通纳24小时耐力赛上首次参赛，这项耐力赛也将拉开全新的TUDOR United SportsCar Championship冠军锦标赛的序幕。这一新的锦标赛是美国勒芒系列赛与北美劳力士杯跑车系列赛两项赛事合并后的新赛事。科尔维特C7.R赛车将参加在北美各地进行的11场勒芒系列赛GT组的比赛。　　此外，车队还将参加6月份举行的勒芒24小时耐力赛GTE Pro组的比赛。雪佛兰科尔维特车队曾7次夺得该组别冠军。　　科尔维特车队首次亮相赛场是在1999年，当时使用的赛车是C5-R，迄今为止车队已创造了诸多无与伦比的战绩。C5-R和C6.R两款赛车帮助车队征战全球，取得过90场胜利，并且10次赢得美国勒芒系列赛的厂商杯总冠军。2013年，科尔维特车队5次登上最高领奖台，并且连续两个赛季横扫GT组的厂商、车队以及车手三项冠军头衔。　　科尔维特赛车和量产车之间进行的技术共享是车队取得成功的关键因素之一。　　科尔维特首席工程师Tadge Juechter表示：”科尔维特车队为赛车和量产车之间的技术共享设立了黄金标准。我们不断地从比赛中积累技术经验，然后应用在科尔维特量产车型上，这反过来又可以促进赛车的改进。如今，新款科尔维特Z06已成为了最具赛道能力的量产版科尔维特车型，同时，新款C7.R赛车在赛道上也势必更具竞争力。” 　　C7.R赛车的许多结构以及空气动力学特征是基于2015款科尔维特Z06的零部件及技术打造而来的，具体包括：　　全新铝合金车架　　与之前一样，这款新赛车和Z06将共享一个量产的铝合金车架。但与以往不同的是，这款赛车和量产Z06的车架首次都将由位于美国肯塔基州博林格林地区的科尔维特装配厂生产。　　通过采用诸如激光焊接、热熔钻式紧固工艺以及通用汽车专利铝点焊工艺等先进的汽车制造技术，这一量产车架与之前的产品相比，在强度上得到了大幅提升。对于科尔维特车队而言，这意味着为C7.R配置的赛车底盘要比即将退役的C6.R赛车底盘强度要高40%。　　雪佛兰赛事总监Mark Kent表示：”在C7.R赛车的首次赛道测试中，车手们明显感受到了底盘强度的提高。此外，在通过凹凸不平的赛道路段或当地貌特征发生变化时，车手们也立即注意到了赛车在操控性能方面的提升。这一点非常重要，因为赛道并非总是那样平整，而且赛车时常会在赛道的弯道顶端冲上路肩。” 　　燃油直喷发动机　　科尔维特Z06采用了燃油直喷发动机，使得这一技术在2009年GT1时代结束后得以再次回归科尔维特赛车。这项技术能保证更高的燃烧效率，从而减少赛车进站次数，降低时间消耗，这一点对于参加像戴通纳和勒芒这样的长距离耐力赛具有重要意义。　　Mark Kent还指出：”燃油直喷技术能为车队带来两项优势。首先，车手可以更精确地控制油门，因此即使车手对油门进行最细微的调整，发动机都会给以精准的响应。其次，燃油直喷技术通常可以将燃油经济性提升3%。这足以让赛车在24小时耐力赛中减少一次进站加油的停顿。赛事的输赢常常取决于赛车进站的次数，3%的燃油性能提升可以看作是赛道争夺中的一项明显优势。” 　　空气动力学　　科尔维特Stingray的空气动力学设计源自科尔维特C6.R车型，包括前倾式散热格栅、实用的引擎盖功能设计和前顶盖通风口、后置变速箱以及差速器冷却后进风口。　　科尔维特Z06和C7.R将这一套空气动力学设计提高到一个全新的水平，它们均采用了大胆前卫的设计以增强冷却效果，同时增加下压力。具体的组件包括前扰流器、门下围板以及前后制动冷却通道。　　Tadge Juechter表示：”我们和车队并肩合作为科尔维特Z06和C7.R研发了这些空气动力学套件。我们用于两款车测试的建模软件都是相同的，以确保我们能共享数据以及风洞测试的结果。正因如此，在所有曾被测试过的通用汽车公司的量产车型里，量产版Z06的空气动力学设计所能产生的下压力是最大的，其空气动力学性能接近于专用赛车。” 　　当然，C7.R这款赛车和量产的科尔维特Z06还是有一定差异的。例如，由于受GT组赛车最大排量为5.5L这一规则的限制，C7.R继承了C6.R的动力总成系统。相比较而言，Z06则配置一款6.2L机械增压发动机，其最大功率约为460千瓦。不过，这两款发动机均采用经典的小缸体结构。　　针对GT组比赛规则对比赛用宽胎和大尺寸制动器的要求，C7.R赛车的悬挂系统也进行了相应的改良。　　在空气动力学设计方面，一个主要变化就是C7.R赛车不再使用美国国家航空咨询委员会(NACA)的进气导管。C6.R曾使用了两套NACA进气导管，一套位于车身后上方，另一套位于靠近后轮的位置，均用于冷却作用。就新款的C7.R赛车而言，它两侧刹车散热管上的后侧围板上都留有开口，可以通过吸进空气帮助车辆冷却驱动桥差速器。　　此外，C7.R赛车在空气动力学设计细节方面也有变化，包括提升了尾翼在该车的空气动力学套件中的重要性。加大的散热器进气口能带来额外的功效，使通过尾翼上的气流更加平稳，从而使尾翼可以更好地发挥作用，让赛车在高速行驶中具备更好的操控性和稳定性。

时间：2014-01-14 关键词：解析量产维特新科
韩国力争2020年量产续航300公里电动汽车

[摘要] 韩国政府计划截至2020年量产一次充电可行驶300公里、价格为2千万至3千万韩元(约合人民币11万至17万元)的电动汽车。　　韩国政府将于3月公布《实现电动车量产中长期发展规划》，重点研发大容量锂离子电池，解决电动汽车的最大缺点————高费用问题，并大幅提高电动汽车的续航能力。　　在上述规划的第一阶段，韩国政府计划截至2020年量产一次充电可行驶300公里、价格为2千万至3千万韩元(约合人民币11万至17万元)的电动汽车。在现有的电动汽车中去年上市的特斯拉的续航能力最好，达370公里，但价格高达6700万韩元。韩国起亚汽车本月公开的电动车型”秀尔EV”的续航能力大幅提升，达到148公里，但由于韩国缺少电动车充电设施，因此很难实现商业化。　　据悉，在电动汽车的生产成本中，电池所占比重高达60%。因此，研发出便宜高效的电池是实现电动车商业化的重中之重。在完成第一阶段工作后，韩国政府计划展开第二阶段工作，研发出续航能力达500公里的电池。

时间：2014-02-11 关键词：韩国电动汽车量产续航
天津滨海量产第四代油电混合公交车 PM排放降低90%

[摘要] 天津市松正电动汽车技术股份有限公司第四代插电式混合动力系统目前已实现50套系统装车，并初步具备小批量生产能力。　　近日，记者22日众新区企业天津市松正电动汽车技术股份有限公司获悉，该公司依托自主创新研发出的新产品第四代插电式混合动力系统目前已实现50套系统装车，并初步具备小批量生产能力。该系统具有可靠性高、节油效果好、成本低、拓展性好等优点。经第三方检测和用户测试，在12米客车18吨满载情况下，非插电状态下百公里平均油耗为19.7L。在转鼓试验台测量城市工况下，包括颗粒物在内的各种污染物排放显著下降，PM颗粒物更是降低90%以上。

时间：2014-01-24 关键词：量产天津四代滨海
通用汽车明年或量产无人驾驶电动车

熟悉通用汽车公司无人驾驶汽车计划的知情人士透露，通用公司拟于2018年开始生产和部署数千辆无人驾驶电动汽车，并与合作伙伴、拼车公司Lyft共同进行测试。通用方面则强调，暂时不会提供任何有关潜在未来产品或技术推出计划的具体细节。但通用的电动汽车技术将比外界想象的更快，未来将出现在按需共乘网络应用中。业内人士指出，若消息能够确认，将可能是2020年之前由汽车制造商主导的最大规模的全自动无人驾驶汽车测试。上述知情人士表示，通用无人驾驶汽车主要是特别改装的Chevrolet Bolt电动汽车，它们将被Lyft在美国多个州进行拼车测试。目前通用还没有将Chevrolet Bolt无人驾驶电动汽车出售给个人消费者的计划。在过去一年中，通用公司高管多次表示，他们打算大规模量产无人驾驶汽车，并将它们部署到专车服务中。然而这些高管也没有透露有关生产规模或部署无人驾驶汽车时间的详细信息。通用的竞争对手福特公司此前也已经表示，计划在2020年末在底特律郊区工厂开始制造首批无人驾驶汽车，并在2021年部署到按需共乘服务中。

时间：2017-02-22 关键词：无人驾驶电动车量产通用汽车
Energy Micro宣布“Wonder Gecko”系列MCU已量产

节能微控器和无线射频供应商Energy 宣布其最新、且最先进的EFM32 微控制器系列-“Wonder Gecko”系列微控制器包括相关开发工具，现已正式发售。挪威，奥斯陆，05/13/2013 -- 节能微控器和无线射频供应商Energy 宣布其最新、且最先进的EFM32 微控制器系列-“Wonder Gecko”系列微控制器包括相关开发工具，现已正式发售。“Wonder Gecko”系列微控制器基于ARM Cortex-M4内核，提供完整的DSP指令集及一个专用的浮点运算单元。为了使得MCU在运行模式和睡眠状态下获得最低的功耗，EFM32 Wonder Gecko系列还融入了eLL(超低漏电流工艺)技术。 Energy 的 CTO(首席技术官)Øyvind Janbu说，“嵌入式设计人员一直希望在较高温度下仍可以获得较低的待机电流。为了满足这一需求，我们和台积电合作利用新的技术使系统在85°C时的功耗降低了一半。将低睡眠电流与Cortex-M4具有的浮点性能及DSP指令集相结合使得MCU可以收集并处理大量的数据-比如读数，运算所需时间仅占类型MCU所需时间的一小部分，而且能更快地进入超低功耗的睡眠模式。” Wonder Gecko系列包括60款产品。可扩展内存具有高达256 KB 闪存及 32 KB RAM。该系列亦具有QFN64，BGA120等多种封装选择。每款产品都包括LESENSE， LETIMER， PRS， USB 及/ 驱动等有自主操作性能的Gecko低功耗外设或接口，构成完整的片上系统。 Energy Micro的免费软件控制台“Simplicity Studio”提供从例程、编码到调试等各阶段所需的相关工具。为减少设计时间，Simplicity Studio还加入了在定点和单精度浮点数(32位)的执行具有超过60种功能的CMSIS-DSP库，以及 DSP算法的相关文档，如复杂的FFT， FIR 、矩阵，向量运算和统计分析等。所有支持的硬件开发工具都配备一个内置的SEGGER的调试器，所以只需要将开发工具插到电脑的USB端口就可以启动。 EFM32 Wonder Gecko系列MCU，的报价为每片2.64美元起。其具有内置调试器的入门套件EFM32WG-STK3800的售价为79美元。产品可以从、Digi-Key以及Energy Micro的特许经销商购买。

时间：2018-12-21 关键词： energy micro 量产嵌入式处理器系列
Altera 40-nm Arria II GX FPGA转入量产

公司今天宣布，开始量产发售40-nm Arria? II GX 系列的第一款器件。Arria II GX器件系列专门针对3-收发器应用，为用户提供了低功耗、低成本和高性能。广播、无线和固网市场等多种大批量应用目前广泛采用了Arria II GX 。 Arria II GX FPGA现在量产发售EP2AGX45和EP2AGX65，它们分别具有45K逻辑单元(LE)和65K LE。对于接入设备、远程射频前端、HD视频摄像机和保密设备等低成本低功耗应用开发人员而言，该器件具有优异的系统带宽和功耗。EP2AGX45和EP2AGX65的8个嵌入式收发器数据速率高达3.75 。Arria II GX FPGA支持主要的关键业界标准串行协议，例如，PCI (PCIe)、千兆以太网(GbE)、CPRI、GPON、XAUI和三速SDI等。 Arria II GX FPGA是 40-nm FPGA系列中量产发售的。这些器件结合已经量产的? IV FPGA，为业界提供了目前为止可供选择最多的40-nm FPGA。Altera预计全系列Arria II GX FPGA将于2010第一季度末全部实现量产。 Altera元器件产品市场资深总监Luanne Schirrmeister评论说：“我们的40-nm FPGA系列产品支持多种性能、密度和价格点，帮助用户将其独特的高性能应用迅速推向市场。通过Arria II GX FPGA产品，我们能够为越来越多的需要更大带宽和更复杂的器件低成本应用提供专门的服务。” Altera Arria II GX FPGA供货信息关于Altera 40-nm Arria II GX FPGA的详细信息，或者需要咨询价格问题，请联系您当地的Altera销售代表。

时间：2019-01-18 关键词： nm Altera 嵌入式开发量产 arria
宏力半导体0.13微米嵌入式闪存实现量产

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)近日宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash(1)上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。闪存单元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技术节点上最小的单元尺寸，其卓越的性能还能支持最大到的SoC设计，在业内十分具有竞争力。这一最小的单元同时还满足了编程效率高和无过度擦除的需求，能让系统设计师设计出更具竞争优势的嵌入式闪存单元。此新技术还具有极高的耐擦写能力和数据保持特性，可重复擦写10万次，数据可保留100年。宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程为客户提供了两种。Dual-gate特别适合SIM 的客户，由于其光罩层数少，模块尺寸小等优势，在市场上已经成为性价比最高的。而Triple-gate适用于通用和低压产品，应用范围广泛，包括MCU、U盘、智能卡以及市场。宏力半导体经过大量生产验证的0.13微米嵌入式闪存制程与其0.13微米通用和低压逻辑制程完全匹配，因此易于迁移。对客户而言，良好的兼容特性保证了现有的标准单元库和IP能够与新制程无缝衔接。 “自2008年起，宏力半导体已经生产了成千上万片0.18微米的嵌入式闪存晶圆，极小的单元尺寸和极少的光罩数，在业内极具优势，也让宏力半导体宏力迅速在智能卡市场占据了份额。与此同时，我们还始终保持着95%以上的良率，因而赢得了客户对我们的信赖。” 宏力半导体销售市场服务单位资深副总卫彼得博士表示，“宏力半导体将于今年年底完成基于0.13微米节点的单元缩小的研发工作，这个全新且极具竞争力的嵌入式闪存制程将针对高容量的产品应用。”

时间：2018-11-23 关键词：半导体闪存嵌入式嵌入式开发量产
Symwave开始量产高性能的USB 3.0存储控制器

Symwave(芯微科技)宣布，已开始量产SW6316，这是一款单芯片USB3.0到SATA存储控制器。SW6316装置是业界性能最高的解决方案，传输速度超过270MB/秒，可达到目前USB2.0技术产品的10倍以上。 Symwave公司总裁暨CEO Yossi Cohen表示，“Symwave的工程和运营团队在提供最高性能SoC方面连番出击，获得优异进展，包括相关软件，以及从产品定义到正式量产，都是在几乎创纪录的短时间内完成。为达到成功目标，你必须有成功的计划。我们准备了大量的SW6316作为发布推出之用，并可随时支持客户大量出货的市场需求。” Symwave受專利保护的SW6316架構为开发领先业界的USB 3.0外接存储设备置、DVD和蓝光光盘产品提供了功能强大且具弹性的平台。Symwave并提供客户完整的软件开发套件(SDK)方案，包括参考设计硬件、固件、软件、文件、开发工具，同时可加速上市时程，并实现具附加价值的硬件与软件客制化。 SW6316设备可完全与USB3.0和SATA-II规格相兼容，并提供与既有USB 2.0主机端口的向后兼容性。此装置可实现与所有Windows®大量存储驱动器的即插即用性能，并同时支持USB Attached SCSI (UAS)和USB 3.0 Stream协议，以获得最大性能。高集成度的SW6316包括一个USB 3.0控制器与物理层(PHY)、SATA-II控制器与物理层、32位高性能CPU与内存缓冲器、具展频时钟(SSC)支持的石英振荡器、集成了稳压器、以及完整的外围I/O接口，使其真正成为一个高速的混合信号系统单芯片(SoC)。Symwave在其自行开发的USB 3.0 PHY中，采用了专属的时钟恢复算法，可得到领先业界的频率抖动性能、较长的线缆容许值、优异的位误码率(BER)与简化的PCB设计。在2010年的消费性电子展(CES)上，Symwave将展示先进存储控制器以及多种以USB 3.0技术为基础的终端产品，包括外接硬盘(HDD)和固态硬盘(SSD)存储方案。

时间：2014-05-21 关键词：量产存储技术 usb3.0 symwave 存储控制器
2016或是涂布型氧化物半导体TFT量产元年

1. 前言本文介绍亚洲最大的显示器国际会议“22th International Display Workshops（IDW ‘15）”上，关于氧化物半导体TFT的脱真空、脱光刻“绿色工艺”，以及TFT特性的主题演讲。过去，此类主题的演讲大都来自研究机构，这次还出现了厂商。所以估计不久就会应用于量产。另外，关于不使用光刻、溶剂不蒸发即可形成亚微米图案的技术“Nano-Rheology Printing（n-RP）”的演讲也吸引了众多目光。　　2. 试制涂布型氧化物半导体TFT，性能良好2.1 掌握关键的材料，制造装置厂商的反应趋于明朗现在，氧化物半导体成膜使用的是溅射法。而德国的化学企业Evonik Industries介绍的则是涂布法。该公司经营在空气中涂布成膜使用的材料。现在，使用这种材料需要在空气中涂布整枚基板，今后，该公司还将争取开发出只印刷必需部位的墨水，并将其投入实用。该公司这次与德国雅各布大学（Jacobs University）共同发表了题为“Development of All Solution Processed TFT in ESL Configuration”的演讲（论文序号：AMD4-2）。图1是TFT的结构与各部分对应的Evonik材料“iXsenic”的关系。该公司的独到之处，是除电极材料外，能够涵盖TFT的所有构成材料，而且提供为评测材料而试制TFT的环境。如图所示，这些材料包括了半导体材料、钝化材料、绝缘层、栅极绝缘膜材料及蚀刻终止层（ES）材料。图1：Evonik公司的成膜材料“iXsenic” （根据该公司网页制作）该公司在基板上使用硅晶圆作为栅极电极、厚度为230nm的Si热氧化膜作为栅极绝缘膜。氧化物半导体使用槽膜涂布机涂布，在空气中进行了350℃的热处理。在氧化物半导体层上涂布作为ES层的负性光刻胶，使用曝光机形成了有效沟道区域的图案。另外，ES层使用PGMEA溶液显影后，在空气中进行了220℃的热处理。在形成厚度为100nm的钼（Mo）薄膜后，制作出了源漏电极的图案。样品检测是在不附着钝化膜的情况下，在空气中进行的。沟道长10μm、宽200μm，栅极绝缘膜厚度为230nm的TFT特性良好，载流子迁移率为13.59cm2/Vs，S值为0.6V/dec.，没有迟滞现象。为了查明TFT移动度与沟道长度之间的依赖关系，该公司检测了5μ～400μm的TFT。结果显示，移动度基本固定，平均值为14cm2/Vs。受曝光机的限制，5μm以下的沟道长度未能试制。经确认，iXsenic半导体与Mo源漏极的接触电阻为10Ωcm，电阻较低。栅极电压为-20V、漏极电压为5V、时间为400秒的负偏压应力（NBS）测试的结果比较稳定，ΔV=-0.2V。而栅极电压为20V、漏极电压为5V、时间为4000秒的正偏压应力（PBS）测试的结果则出现了变化，ΔV=3.2V。在演讲中，该公司介绍说：“槽膜涂布机在170mm×300mm的基板上涂布iXsenic的厚度分布均匀，为±2.5nm”，“16个TFT特性均匀，移动度良好，全部为10cm2/Vs。”而且，这种涂布方法容易升级成为支持第10代大型基板的技术。iXsenic是溶液合成可以使用的无机金属氧化物半导体，可以在常温常压下使用。如表1所示，因为制造过程无需真空环境，所以制造工艺简单、成品率高，而且成本低廉。表1：对非晶Si（a-Si）TFT生产线进行改造后的特征比较“++”代表非常好，“+”代表好，“o”代表普通，“-”代表差，“--”代表非常差。表中的数字是需要增加的制造装置的种类等。“1”为缝模涂布机、UVO系统、烤箱。“2”为溅镀设备和烤箱。“3”为准分子激光设备、烤箱、更换全部掩模。（根据Evonik的演讲幻灯片制作）具有以上特点的iXsenic，最适合使用缝口模头涂布（狭缝涂布）的方法成膜。通过组合使用SCREEN Finetech Solutions（SCREEN FT）的狭缝涂布装置（线性涂布机）等，可以实现简单、成品率高，而且成本低的制造工艺。Evonik与SCREEN FT用几年的时间，使用线性涂布机进行了iXsenic的涂布试验。为使iXsenic半导体材料与制造装置，以及制造工艺实现最佳匹配，签署了战略合作协议。不过，作为实用化的前提，氧化物半导体TFT的元件结构，正在从交错结构向自对准的顶栅结构转变。韩国LG显示器已经投入了量产。因此，材料开发很可能会出现变数。2.2 无需光刻形成亚微米图案从强介电体的极化-电场特性来看，强介电体材料具备非易失性存储功能，在低电场下可以诱导产生大量电荷。硅MOSFET的栅极绝缘膜使用的SiO2在加载10MV/cm的电场时，诱导产生的电荷量为3.5μC/cm2，而强介电体在加载0.5MV/cm左右的电场时，能够诱导产生50μC/cm2的电荷量。在本次IDW上，北陆先端科学技术大学院大学以“Invited Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film　Transistors Prepared by Solution Process”为题发表演讲，提出了利用强介电体巨大电荷控制能力控制导电沟道的晶体管新概念（论文序号：AMD6-1）。为了证明这个新概念，该校试制了使用透明导电膜ITO（Indium Tin Oxide）作为沟道的晶体管。晶体管的通态电流达到1mA，移动度为4cm2/Vs，电荷量达到了15μC/cm2。作为使印刷的分辨率达到几十nm的方法，该校开发出了Nano-Rheology Printing（n-RP）法。使用有机金属化合物制成的氧化物前驱体墨水，在特殊结构的簇凝胶上进行压印加工，凝胶会在温热的环境下发生塑性变形，从而实现压印加工。图2是n-RP的流程。该校开发出适合n-RP的半导体材料、导电材料、绝缘材料、强介电体材料用凝胶，单独使用n-RP法，不借助以往的光刻，成功制作出了亚微米TFT。图2：Nano-Rheology Printing（n-RP）法的流程图（液体工艺的缺点是溶剂蒸发会导致薄膜“变薄”。为了解决这个问题，n-RP法会在不使用溶剂的塑性变形区域进行纳米加工。这就是该校自主开发的n-RP法。2.3 理光试制涂布型氧化物半导体TFT理光以“Highly Reliable All-Printed Oxide TFT of High　Work-Function Metal Electrodes with Low Contact Resistance by Doped Oxide Semiconductor”为题发表演讲，介绍了涂布型氧化物半导体TFT的试制结果（论文序号：AMD6-3）。试制的TFT的元件结构为底栅、顶部触点，沟道宽30μm、长10μm。制作流程如下：（1）在玻璃基板上喷涂金（Au）作为栅极电极；（2）旋涂栅极绝缘膜（Ricoh LSXO墨水：La Sr类氧化膜，介电常数～12）；（3）喷涂氧化物半导体（Ricoh IOX：Y墨水：In类氧化物半导体+掺杂剂）；（4）喷涂Au（功函数5.1eV）作为源电极和漏电极；（5）旋涂钝化层PSV1（Ricoh PSV1墨水：碱土金属硅酸盐类氧化物）；（6）旋涂钝化层PSV2（Ricoh PSV2：稀土和碱土类氧化物）；（7）旋涂平坦化膜PLN（PLN墨水：有机无机混合材料）。在不附着钝化膜的情况下检测TFT的特性，移动度为10.9cm2/Vs，阈值电压为3.6V，S值为0.27V/dec.。这是因为氧化物半导体优化了成分，与金（Au）的漏源电极之间接触良好。另外，掺杂的氧化物半导体的载流子浓度（ne）达到了1018/cm3。通常情况下，无掺杂的氧化物半导体与金（Au）的接触不佳，掺杂起到了明显的改善效果。在形成平坦化膜后，TFT的移动度约为10cm2/Vs。在偏压热应力试验（BT试验）及光照射试验中，也得到了非常可靠的结果。这些结果与真空成膜的特性相同。因此，试制器件具备的可靠性，完全可以满足有机EL显示器的需要，证明了这项技术有望应用于未来的印刷及柔性显示器。3. 结语涂布型氧化物半导体TFT与利用真空成膜方法、在相同的基板温度下制作的TFT相比，特性和可靠性已经毫不逊色。将这项技术投入量产的重点，在于涂布材料的供应与涂布装置，通过本次的演讲，厂商的反应已经明朗。在今后，笔者衷心希望真空成膜的课题得到解决，使发挥氧化物半导体TFT特色的显示器实现商品化。本文介绍的由日本开发的n-RP技术，还是不使用挥发性有机化合物（VOC：Volatile Organic Compounds）的工艺，在这一方面也将受到关注。（特约撰稿人：鹈饲育弘，Ukai Display Device Institute）0次

时间：2018-06-01 关键词：量产技术前沿元年氧化物
罗姆半导体正式量产碳化硅MOSFET模组

该模组采用了将功率半导体元件内建于碳化硅的结构，将额定电流提高至，如此一来，应用范围更广，还能有效协助各种装置达到低功耗及小型化。产品制造地点为总公司工厂(位于日本京都市)，目前已经开始样品出货，并预定自12月开始正式量产及出货。于2012年3月正式投入「全碳化硅功率模组」(额定规格1200V/)的量产，此一产品完全使用碳化硅作为功率半导体的元件结构，虽然目前还在工业装置应用领域推广中，但市场上极度期盼此类产品既能够维持小体积同时又能产生大电流，因此本产品的研发备受期待。要产生大电流，通常会采取增加的配置数量等方式，此外，还必须在装置上加装二极体等整流元件，因此要维持小型体积十分困难。为解决本体(Body )的通电劣化问题，採用了第2代的碳化硅，成功地研发出不需以作为整流元件的碳化硅功率模组(碳化硅MOSFET模组)，藉由增加碳化硅MOSFET的配置面积，让模组的体积维持不变，并同时达成大电流的目标。内建碳化硅MOSFET可改善结晶缺陷相关的制造与元件结构，因此能成功地克服本体(Body )等元件在可靠性上的问题。相较于一般转换器所使用的硅质，可减少损耗达50%以上，除了降低损耗外，还能达到50kHz以上的高频，也能使用较小型的周边零件。该款MOSFET单体仍维持切换特性，同时创造出无尾电流、低功耗之切换品质，即使不使用，仍能达到和传统产品同级的切换特性，而且不会产生在硅质上所常见的尾电流，因此可成功降低损耗达50%以上，有效为装置的节能化带来助益。此外，高达50kHz以上的切换频率，也是硅质所无法达成的，因此就连周边装置也能一举实现小型化与轻量化的目标。 ROHM表示，一般来说，硅质IGBT元件无法被逆向导通，而碳化硅MOSFET因为是本体二极管，因此随时可逆向导通。此外，加入闸极讯号后，即可让MOSFET进行逆向导通，相较于只使用二极体的方式，更能够达到低电阻目标。利用此种逆向导通特性所衍生出来的高效率同步整流技术，让产品即使在1000V以上的电压时，也能创造出高于二极管整流方式之绝佳效率。本体二极管具有通电时会使缺陷扩大的特性，因此ROHM由製程及元件结构两方面着手，成功地解决发生缺陷的塬因。一般产品只要超过20小时，导通(ON)电阻就会大幅增加，不过，本产品即使通电时间超过1000小时，导通(ON)电阻也不会增加。

时间：2019-03-15 关键词：半导体模组碳化硅量产基础教程
病人监护仪&血氧仪高速量产解决方案

一场新型冠状病毒感染的肺炎疫情，让血氧饱和度，血氧仪，病人监护仪等专业名词频繁走入大众视线，民用医用需求的短时间迅速攀升，使得众多医疗类厂家出现产能不足的问题，除了传统的日夜开工外，选择高效稳定的量产工具成了医疗类厂家普遍采用以提高产能的重要方式。但是在实际替换执行上，很多厂家却遇到了不良率居高不下的问题，这究竟是为什么呢? 其根本原因在于：目前大部分医疗类厂家一边在血氧仪，病人监护仪上批量采用Nandflash方案，一边又不够了解Nandflsh量产烧录的复杂性，所以只好一直采用芯片原厂提供的专烧方案，导致产能始终不高。说到这里，就涉及到了3个关键问题： 1. 为何芯片原厂提供的专烧工具不适合量产? 2. Nandflash究竟有何量产烧录复杂性? 3. 为什么有些医疗类厂家吐槽曾经买了量产烧录器依旧无法提高产能? 先看第一个问题：为何芯片原厂提供的专烧工具不适合量产? 原因很简单，专烧工具的原始定位就是给研发人员做调试验证使用的工具，并非针对工厂产线现场复杂工况而设计，有些甚至直接引出内部控制芯片的IO口或FPGA管脚作为编程信号的输入与输出，驱动能力很弱，而且原厂编程工具多数存在编程失败率高的问题，都会严重制约产能，加之产线现场要烧录的芯片种类较多，通常建议选用专业的通用型量产编程器。再看第二个问题：Nandflash究竟有何量产烧录复杂性?导致传统拷贝式烧录方式不好用了，实际中甚至只有半数成功率? 答案就在Nandflash的工艺特性：NandFlash存储结构，它由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，每个Page又包含主区(Main Area)和备用区(Spare Area)两个域。其次NandFlash是有坏块的，由于NandFlash的工艺不能保证Nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠。因此在Nand的生产中及使用过程中会产生坏块的。因为坏块影响了数据的存放地址，用户就不能按常用方法那样，把母片的数据全部读取出来，然后再把数据原原本本拷贝到其他芯片上了，也就产生了传统拷贝机无法量产Nandflash的问题! 接着看第三个问题：为什么很多医疗类厂家吐槽曾经买了量产烧录器依旧无法提高产能? 答案：多数因为错买了老式量产烧录器(拷贝机)，或者采用了传统拷贝式烧录方式。由于很多医疗类厂家对于烧录器/编程器行业并不了解，原来使用较多的又是原厂专烧工具，所以在刚刚采用量产工具时，会思维定式直接采用最简单直接的方法，即用一颗能正常运行的NandFlash芯片作为母片，在连接编程器之后，点击烧录软件上的“读取”按钮，把数据从芯片里面完整读取出来，再找几颗空芯片，把数据重复写进去。本以为可达到量产的目的，但实际上生产出来的产品却达不到品质的要求，往往会出现批量的产品异常开机或启动的状况! 既然NandFlash有坏块是无法避免的问题，那就要想办法避开那些坏块;接下来我们就看解决方案，究竟要如何量产烧录NandFlash 解决建议最简单、最常用的方法就是：跳过。使用“跳过坏块”，可以让原本写到坏块的数据，安全转移到下一个块里面!这是一种常用而有效的方法，但是实际上，根本问题还依然存在，细心的人会发现，数据存放的地址也发生了变化! 实际应用中，很多用户会把多个文件数据同时存储到NandFlash上(比如uboot、uImage、Logo、rootfs等烧录文件)，并给每个文件在NandFlash存储单元中划分了一定大小的存储空间区域，指定了每个文件存储的起始物理地址块;如果某个区域出现了坏块，为了避开它，势必需要把数据安全往下一块转移，而引起的后果就是后续烧录文件的起始物理地址也随着发生了偏移，这将会导致主控MCU无法通过固定的地址，准确、完整地获取到每个文件的数据，最终造成的结果就是产品异常启动。建议小技巧这里，给出的建议技巧就是分区烧录，用户提前设置好每个文件烧录的起始块地址，无论坏块出现在哪个空间区域，都可以确保每个文件起始块地址都不会发生偏移变化，数据也将根据客户预设方案存放在NandFlash存储区域内，主控MCU也能准确完整读取到每个文件的数据，那么产品就正常跑起来了! 量产方案演示最后，我们来进行血氧仪/病人监护仪等通用高速量产方案演示：这里就选用医疗行业常用的血氧仪/病人监护仪方案芯片MT29F4G08ABADAW，搭配行业专用的P800高速量产烧录工具做步骤演示。 (如采用的是其它芯片方案可以留言联系获取需求方案，行业常用方案芯片P800均已支持) 步骤一：创建工程步骤二：选择需求芯片型号步骤三：进行烧写配置，根据分区情况，依次调入烧录文件。步骤四：保存工程，计算工程文件校验和：步骤五：开始量产 ZLG致远电子的P800系列编程器支持按分区烧录(并可支持多种分区格式)，可按照每个用户方案需求，设置每个文件的起始块地址和烧录块长度，即可达到高效率烧录，又可提高芯片烧录良品率，同时P800系列搭载独立操作系统，还可满足二次开发，工厂全脱机，一键批量的烧录要求。

时间：2020-03-02 关键词：量产监护仪血氧仪
台积电5nm芯片量产概况

在科技高度发展的今天，电子产品的更新换代越来越快，LED灯的技术也在不断发展，为我们的城市装饰得五颜六色。3月12日消息，台湾积体电路制造股份有限公司(台积电)会在4月大规模量产5nm(纳米)芯片，台积电在业界领先的7nm和5nm工艺有着很大的需求，将有力的支撑台积电的业务发展。有消息称，台积电的5nm芯片，已经有客户全部预订，台积电5nm工艺可能会用于苹果的A14处理器，苹果的iPhone 12系列将会全系搭载A14处理器，有业内人士指出，台积电或许已经将三分之二的5nm产能给了苹果，除了苹果，还包括华为海思新款5G规格麒麟手机芯片，以及高通5G数据机芯片X60及新一代Snapdragon 875手机芯片。 5nm芯片在去年四季度增加了36亿新台币，2018年率先量产的7nm工艺，在去年就为台积电带来了93亿美元的营收，台积电预计在移动设备和高性能计算机的推动下，5nm的产能在下半年将有快速且平稳的增长，预计能贡献台积电10%的营收，台积电CEO、副董事长魏哲家表示，“目前移动、高性能计算机、物联网和汽车四大平台的芯片需求都有强劲的增长趋向。”。在2019年第四季度的财报分析师电话会议上，魏哲家对台积电的2020年进行了展望，透露他们的计划，在5nm芯片先行大规模投产的情况下，研发的重点就将转向更先进的3nm工艺，魏哲家透露台积电正与客户就3nm工艺的设计进行合作，对3nm的设计方案决定是基于技术及成熟度、性能和成本，目前这一工艺研发进展顺利，3nm工艺在性能、功耗、面积及晶体管的密度方面比5nm更有优势，预计将在2022年实现初期生产。其实台积电的5nm在去年就已经开始试产，在这方面已研发多年，2019年4月台积电就宣布推出5nm设计架构的完整版本，实现5nm芯片的设计，目标锁定在5G与人工智能(AI)市场。据媒体报道，5nm工艺是台积电第二项应用极紫外光刻技术的芯片工艺，有更好的良品率和成像能力，并表示，5nm将使晶体管的理论密度提升80%，芯片的速度提升20%，目前主要目标是降低功耗并增加晶体管密度，继续通过5nm工艺解决方案提高芯片的性能，其5nm工艺将成为一个大型的长期制程。台积电是在2020年成为全球唯一量产5nm芯片的半导体厂，处于领头羊的位置，其它芯片代工企业中芯国际也在奋力直追。在2019 年 Q4 财季的财报会议上，中芯国际表示N+1于 2019 年第四季进入 NTO(New Tape-out)阶段，目前正处于客户产品认证期，预计 2020 年第四季可以看到小量产出，N+1相当于台积电的第一代 7nm 工艺，7nm 是中芯国际目前能量产的最先进制程，今年年初，华为海思就将旗下的14nm芯片大单，从台积电手中转交给了中芯国际，可见未来几年，7nm芯片以及5nm芯片的市场都将是竞争的战场。做到在LED显示屏产品上符合高可靠的要求，生产厂家还需要发更多时间，更多精力去往这方面发展，我相信，未来的LED显示屏行业技术将越来越精湛，发展将无可限量.

时间：2020-03-15 关键词：芯片台积电量产
10.3万辆！特斯拉创造有史以来最好季度表现！

特斯拉上海工厂于2020年2月10日开始复工复产，是国内最早启动复工复产的大型企业之一。4月3日，美国电动车制造商特斯拉公布了2020年一季度的产量数据。数据显示，该季特斯拉生产了近10.3万辆电动车，交付了约8.84万辆。这是特斯拉有史以来最好的第一季度表现。其中，Model 3和Model Y车型共计生产87282辆，交付76200辆;Model S与Model X车型共计生产15390辆，交付12200辆。相比之下，2019 年第一季度特斯拉生产了7.71万辆电动车，当时特斯拉还在交付上遇到了巨大的挑战，大量车辆延期到2019年第二季度交付。时隔一年，特斯拉产量同比增长33%，交付的车辆比历史同期生产的车辆还多了近15%。根据中国汽车流通协会的数据，2020年2月，特斯拉中国的新车交付量占全国新能源车总销量的30%。特斯拉还指出，一季度交付量统计稍微偏向保守，因为特斯拉只在车辆已经真正交至客户手中，并且所有相关文件都已经正确完成之后，才将其计入交付数量。最终的发货数字可能会有0.5%或更多的差异。特斯拉表示，今年1月以来，特斯拉的最新车型Model Y也开始生产，并于3月份开始交付，进度远超计划。此外，在目前的大环境下，特斯拉上海超级工厂的生产依然持续创造新高。

时间：2020-04-04 关键词：特斯拉量产上海工厂