目前工业、医疗、天文和军事对近红外探测和成像有大量需求,本文介绍了一种响应近红外的新型高增益GaAs/InGaAs量子光电探测器。首先测试和讨论了探测器的I-V特性,探测器偏压为-1.5V时响应率大于10A/W,响应率随光照功率增大减小。
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