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  • 京东发布“京品家电标准”：首批13类家电

    京东发布“京品家电标准”：首批13类家电

    5月27日，京东联合中国标准化研究院等十家权威家电产品标准研究机构，共同发布了“京品家电标准”。 据了解，这是我国第一个由零售平台发起、以消费者需求为导向而制定的团体标准，让家电行业的C2M反向定制有了一个重要的参考标准。 首批家电包括空调、电视机、冰箱、洗衣机、抽油烟机等共计13类，中标院负责人表示，今年内还将有19类产品的“京品家电标准”陆续推出。 而京东家电京品家电负责人则表示，“京品家电”家族今年将会扩容至200余个品牌的上千款产品，也就是说将有更多符合“京品家电标准”的家电产品在京东平台打上“京品”标签。 中标院负责人表示，京品家电标准的制定是真正站在消费者角度，依据现行国家及行业标准，结合消费者痛点，对家电产品进行专业评测后，从产品品质和性能等方面生成的更高一级的产品标准。 以京品空调标准制定为例，在前期的产品评测和数据采集中，除了常规的外观、静音、制冷制热速度、节能性测试外，该标准特别依据消费者痛点升级了舒适性测试和体感测试，这也是首个将舒适性要求列为产品要求的空调标准。

    时间：2019-08-23 关键词： 发布 京东 京品家电标准 首批 13类家电

  • 首批5G城市出炉 专家：5G商用达到规模可能需8至10年

    首批5G城市出炉 专家：5G商用达到规模可能需8至10年

    6月6日，工信部向中国电信、中国移动、中国联通、中国广电发放5G牌照。这意味着，四家运营商将可以正式建设5G网络。标志着中国正式进入5G元年。 按照此前工信部的计划，中国5G应用时间表是2018年试点，2019年预商用，2020年正式商用。与原计划相比，5G商用时间大大提前。 据国内媒体报道，中国工程院院士邬贺铨在接受采访时，5G提速是技术驱动、市场需求和产业成熟度的结果，但目前还有诸多瓶颈。 邬贺铨认为，5G商用达到规模，还需要相当长的一段时间。5G建设周期可能会比4G还要长，如果每年的投资强度还跟以前相同，那么经过8至10年，投1万多亿元，差不多能完成。 据悉，中国电信、中国移动、中国联通今年将分别在至少40个城市覆盖网络，并在部分城市推出5G服务。中国移动与中国联通选择的40城一致。 中国移动/联通首批5G城市名单： 北京、天津、上海、重庆、合肥、福州、兰州、广州、南宁、贵阳、海口、石家庄、郑州、哈尔滨、武汉、长沙、长春、南京、南昌、沈阳、呼和浩特、银川、西宁、济南、太原、西安、成都、拉萨、乌鲁木齐、昆明、杭州、大连、青岛、宁波、厦门、深圳、雄安、张家口、苏州、温州。 中国电信尚未披露40城市完整名单，但鹰潭、琼海是电信独有的首批5G城市。中国电信目前已在北京、上海、重庆、广州、雄安、深圳、杭州、苏州、武汉、成都、福州、兰州、琼海、南京、海口、鹰潭、宁波17个城市进行5G规模测试和应用示范。在此基础上，将迅速扩大到40城市。

    时间：2019-08-06 关键词： 名单 专家 首批

  • TI针对对恶劣环境打造首批LDO

    日前，德州仪器(TI)宣布推出首批针对恶劣环境的均流低压降(LDO)线性。3-A TPS7H1101-SP与0.5-A TPS7H1201-HT的均流特性允许设计人员并行使用两个器件实现双倍输出电流。此外，上述器件还可提供优异的噪声性能，并可最大限度降低热耗散，提高电源效率，确保理想的系统可靠性。 TPS7H1101-SP LDO通过QML V认证，支持高可靠、卫星以及海底布线等温度高达125摄氏度的恶劣环境，而TPS7H1201-HT LDO则通过认证，能支持井下钻井等高达 210摄氏度的高温应用。 TPS7H1101-SP与TPS7H1201-HT LDO的主要特性与优势： ●双倍的电流性能：两款TPS7H1101-SP LDO并行使用，支持高达6A的电流输出，而两款TPS7H1201-HT LDO则支持高达1A的电流输出。匹配LDO之间的均流不但可降低组件压力，满足更高电流需求，而且故障间隔也可缩短一半； ●业界最佳的热性能：提供比当前类似高80%的热性能。增强型散热封装可最大限度减少散热温度，提高可靠性； ●支持宽泛的输入电压：1.5V至7V的输入电压支持3.3V以下的电源轨； ●极低的压降：1A 75mV的低压降可实现最小的输入至输出转换，支持更低功耗； ●增强型电源与噪声抑制：17 uVrms的极低输出噪声加上1 kHz 45 dB的高电源抑制比，支持以及油气勘探设备等噪声敏感型应用。 封装与供货情况 采用16引脚散热增强型陶瓷扁平封装(CFP)的TPS7H1101-SP与TPS7H1201-HT现已开始供货。 工具与支持 TPS7H1101-SPEVM与TPS7H1201-HTEVM评估板(EVM)可用来测试不同输入输出电压及各种负载条件下的性能。 TPS7H1101-SP与TPS7H1201-HT归属TI面向恶劣环境的产品系列。TI提供6-A TPS50601-SP与3-A TPS50301-HT单点负载转换器，这两款产品均支持从1.6V至6.3V的宽泛输入电压，可为LDO供电。 此外，模型也可用来设计和测试基础及高级电路（包括各种复杂架构）并为其排除故障，没有任何器件节点及数量限制。

    时间：2019-02-20 关键词： TI 环境 嵌入式开发 恶劣 首批

  • TI推出首批用来集成MIPI联盟射频前端数字控制接口规范的RF电源转换器

    TI推出首批用来集成MIPI联盟射频前端数字控制接口规范的RF电源转换器

    TI宣布推出业界首批用来集成 MIPI 联盟射频前端 （RFFE） 数字控制接口规范的 RF 电源转换器，帮助简化多频带多无线电通信。高效率 LM3263 降压转换器和 LM3279 升降压转换器可显着降低 RF 功率放大器的散热及功耗，不但可延长电池使用寿命，而且还可延长通话时间，充分满足 2G、3G 以及 4G LTE 智能手机、平板电脑以及数据卡的应用需求。欢迎观看Engineer It视频，了解如何满足 RFFE 接口的电源需求。LM3263 2.5A 降压转换器的平均功率跟踪特性可帮助其满足快速输出电压瞬态条件下多模式多频带功率放大器的严格 RF 要求。此外，该器件还包含工作电流辅助与旁通功能，可在不影响输出稳压的情况下，最大限度缩小电感器尺寸，从而可实现比同类竞争解决方案小一半的 10 平方毫米解决方案。LM3279 1A 升降压稳压器支持 3G 与 4G LTE 所需的快速输出电压瞬态。该器件有助于放大器支持高输出功率和高数据速率，即便在低电池电压下也是如此。LM3263 与 LM3279 的主要特性与优势：·MIPI RFFE 数字控制接口可实现与新一代 RF 前端芯片组、功率放大器以及参考平台的兼容。2.5A LM3263 符合 2G、3G 以及 4G 的电压及电流要求，而 LM3279 则支持 3G 及 4G 的 1A 负载；·最小的解决方案尺寸：2.7MHz LM3263 降压转换器可实现 10 平方毫米的整体解决方案尺寸，而 LM3279 则为 13 平方毫米的解决方案；·可延长电池运行时间：效率高达 95%,不但可降低热耗散，而且还可使用动态可调输出电压下的平均功率跟踪技术来降低电池流耗；·高性能，低噪声：LM3279 升降压旨在满足 RF 及 3GPP 的要求，即便在低电池电压下，也支持高线性及高输出电源。此外，TI 还推出了支持 MIPI RFFE 主机接口的 LM8335 通用输出扩展器，这是 LM3263 及 LM3279 的有力补充。该扩展器不仅可减少通用输入输出引脚分配，而且还可帮助设计人员更灵活地支持多达 8 个额外模拟输出，使用符合非 MIPI RFFE 标准的模拟控制组件。简单易用的评估板设计人员可使用 LM3263、LM3279 以及 LM8335 评估板为 3G 与 4G RF 功率放大器测试电源与性能。这些模块包含比较模拟与 RFFE 数字控制工作模式所需的全部基本有源及无源组件。TI 面向消费类电子的模拟产品TI 种类繁多的电源管理及模拟信号链产品可为设计工程师创建创新型差异化消费类电子产品提供所需的高性能、低功耗以及高集成度。TI 正通过手势识别、触摸反馈、高级电池充电、音频以及健康技术等构建美好未来。供货情况与封装LM3263 采用 2 毫米 x 2 毫米 x 0.6 毫米、16 凸块无引线 DSBGA 封装，LM3279 升降压转换器采用 2 毫米 x 2.5 毫米 x 0.6 毫米、16 凸块无引线 DSBGA 封装，而 LM8335 则采用 2 毫米 x 2 毫米 x 0.6 毫米、16 凸块无引线 DSBGA 封装。

    时间：2018-08-28 关键词： 射频 接口 电源技术解析 首批

  • IDT 首批 QDR-II 双端口器件

    IDT 公司（Integrated Device Technology, Inc）推出其广泛的多端口器件系列的又一新产品。新系列中包括业界首批可提供 x36 QDR-II 或 x18 LA-1 QDR-II 接口的真正双端口器件，以及 x72 同步双端口器件系列。利用两个端口集成的存储和逻辑控制，双端口产品可加速多处理器间的通信，保证处理器同时操作通用中央存储器。这些产品特别适合无线架构、网络、存储、高速图像处理和超级电脑如多核计算。 领先业界的新型 QDR-II 双端口器件 IDT QDR-II 双端口器件同时具备 9Mb 和 18Mb 密度，可提供 250 MHz 的时钟速度和 36 Gbps 的吞吐量。这些特点使这些产品可实现通常 10 Gbps 应用所必需的互传带宽，同时可满足网络设备和模块设计者实现多处理器间更快通信的要求。该产品还有一个 1.8 V 内核和1.4 V和 1.9 V I/O 的两个选择，以实现两个分离域之间的电压匹配。HSTL I/O 选择还可支持不同时钟频率。联合测试行动组织（JTAG）接口有助于设计者利用增强型电路板调试工具和产品诊断提高生产能力。“突发-2”能力可保证产品在所有接入上的缓冲两字脉冲。“突发-2”数据传输能力可创造更低的总线延迟，从而为主控制器提供比使用更长脉冲的数据传输更多的灵活性。QDR-II 接口适合数据通道加速，因为它可以为每个端口的读写提供独立的总线。读写可以同时发生，这在需要一定“死区”时间进行的读写之间转换的单双工总线是不可能的。这种优化使 IDT QDR-II 双端口成为实现 ASIC 之间高速互连的低延迟的理想选择。 IDT量产完全同步 x72 双端口器件产品系列 IDT x72 18Mb （256K x 72）和 9Mb (128K x 72)双端口器件可提供 166 MHz 的性能，利用单芯片解决方案支持下一代数字信号处理器（DSP）64 位存储接口，从而减少了设计成本、复杂性和元件数量。该器件可提供许多同步功能，如全边界计数器、多个独立芯片和字节使能、冲突检测信号和同步中断。两个端口均具有可选休眠模式，有助于通过没有任何输入限制的完全待机模式将功耗降至最低。此外，设计者可通过对一个引脚的编程激活产品休眠模式功能。

    时间：2006-05-09 关键词： 器件 idt qdr-ii 双端口 电源新品 首批

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