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50Ω vs 1MΩ输入终端，阻抗匹配、噪声优化的理论推导与仿真验证
高速数字电路与射频测量领域，输入终端阻抗的选择直接决定了信号完整性、噪声性能与系统动态范围。50Ω与1MΩ作为两种核心阻抗标准，其物理本质源于传输线理论与噪声抑制机制的差异。本文将从阻抗匹配原理、噪声优化模型、仿真验证方法三个维度，揭示两者在高频与低频场景下的技术边界。
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50Ω vs 1MΩ输入终端，高频与低频测量的终极对决
在电子测量领域，示波器输入终端的阻抗选择(50Ω或1MΩ)是工程师必须面对的核心决策之一。这一选择不仅决定了信号传输的保真度，更深刻影响着高频噪声抑制、低频信号衰减以及系统整体动态范围。从射频通信到电源完整性分析，从纳米级脉冲检测到毫伏级生物电信号采集，不同应用场景对输入阻抗的需求呈现根本性分歧。本文将从阻抗匹配理论、频域特性、噪声机制及工程实践四个维度，揭示这场“高频与低频”技术对决的本质。
