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基于65 nm工艺的SOC物理设计中的关键技术研究
摘 要：随工艺的演进，集成电路发展已经进入超深亚微米阶段，芯片的成本、，性能、功耗、信号完整性等问题将成 为制约SOC芯片设计的关键问题。文章基于65GP工艺的实际项目模块级物理设计，在现超深亚微米下，对芯片的低功耗、 congestion,信号完整，性等后端物理设计等关键问题进行了细致研究，并提出了一些新方法和新思想，从而提高了signoff的交 付质量，完成了tapeout要求。
摘 要：随工艺的演进，集成电路发展已经进入超深亚微米阶段，芯片的成本、，性能、功耗、信号完整性等问题将成 为制约SOC芯片设计的关键问题。文章基于65GP工艺的实际项目模块级物理设计，在现超深亚微米下，对芯片的低功耗、 congestion,信号完整，性等后端物理设计等关键问题进行了细致研究，并提出了一些新方法和新思想，从而提高了signoff的交 付质量，完成了tapeout要求。
