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台积电EUV工艺7+nm投片，明年4月试产EUV 5nm

在工艺技术方面，台积电宣布以N7+工艺节点投片客户芯片，该工艺节点采用可处理4层光罩的EUV。而其N5 EUV则可提高到处理多达14层光罩，并将在明年4月准备好进行风险试产。透过EUV技术可望减少先进设计所需的光罩数，从而降低成本。

单片机
2018-10-09

5nm euv 台积电 7+nm