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瞬态电压抑制器 (TVS) 在系统级 ESD 测试下的 CMOS IC 微电子系统信号完整性
微电子系统必须在接触放电模式下维持 8kV 的 ESD 水平，才能达到系统级 ESD 标准（IEC 61000-4-2）中“4 级”的抗扰度要求。硅片中器件尺寸有限的片上 ESD 保护电路难以承受系统级 ESD 测试的过应力。因此，在微电子系统的印刷电路板 (PCB) 上添加了分立 TVS，以保护 CMOS IC 免受系统级 ESD 测试的过应力。
微电子系统必须在接触放电模式下维持 8kV 的 ESD 水平，才能达到系统级 ESD 标准（IEC 61000-4-2）中“4 级”的抗扰度要求。硅片中器件尺寸有限的片上 ESD 保护电路难以承受系统级 ESD 测试的过应力。因此，在微电子系统的印刷电路板 (PCB) 上添加了分立 TVS，以保护 CMOS IC 免受系统级 ESD 测试的过应力。
