FRD

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揭晓IGBT的开关频率上限

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。

技术前线
2025-04-23

IGBT FRD