-
X波段GaN基微波功率放大器的设计
摘要：给出了一种X波段GaN基功率放大器的设计方法。研究了相关的偏置电路、匹配网络以及稳定性网络，实现了6个GaNHEMT器件的功率合成。该方法在偏置VGS=-3.2V,VDS=6V,/DS=200mA,频率为8GHz时，可以仿真得到的放大器增益为20.380dB,饱和输出功率可以达到35.268dBm(约为3.36W)。
摘要：给出了一种X波段GaN基功率放大器的设计方法。研究了相关的偏置电路、匹配网络以及稳定性网络，实现了6个GaNHEMT器件的功率合成。该方法在偏置VGS=-3.2V,VDS=6V,/DS=200mA,频率为8GHz时，可以仿真得到的放大器增益为20.380dB,饱和输出功率可以达到35.268dBm(约为3.36W)。
