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同步整流驱动芯片的10ns级导通延迟选型：MPS MP6924与Silergy SY5875的交叉导通风险评估
同步整流驱动芯片的导通延迟精度已成为决定系统效率与可靠性的核心参数。当导通延迟缩短至10ns级时，MOSFET的开关动作与变压器次级电压的同步误差被压缩至极限，此时交叉导通风险如同悬在工程师头顶的达摩克利斯之剑。本文以MPS MP6924与Silergy SY5875两款典型芯片为样本，从时序控制、驱动能力、保护机制三个维度，解析10ns级延迟下的交叉导通风险评估方法。
同步整流驱动芯片的导通延迟精度已成为决定系统效率与可靠性的核心参数。当导通延迟缩短至10ns级时，MOSFET的开关动作与变压器次级电压的同步误差被压缩至极限，此时交叉导通风险如同悬在工程师头顶的达摩克利斯之剑。本文以MPS MP6924与Silergy SY5875两款典型芯片为样本，从时序控制、驱动能力、保护机制三个维度，解析10ns级延迟下的交叉导通风险评估方法。
