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在英特尔至强Ice Lake发布会上，英特尔向数据中心市场投下性能“炸弹”，并且不再沉默，与AMD最新发布的产品“一较高下”。……
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解读世界上最先进的1α DRAM工艺——专访美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran
近年来在DRAM的工艺节点上，美光一直处于先行者的位置。近期在第四代DRAM工艺制程的研发中，美光也率先实现了突破并开始量产1α DRAM产品。……
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疫情后时代新常态下，上云不再是锦上添花，更成为企业生存的关键。……
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在英特尔至强Ice Lake发布会上，英特尔向数据中心市场投下性能“炸弹”，并且不再沉默，与AMD最新发布的产品“一较高下”。……
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解读世界上最先进的1α DRAM工艺——专访美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran
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十年转瞬，Armv9架构终于露出庐山真面目，适用于Arm全系列芯片的Armv9架构，这次的升级瞄准的则是日益强大的安全、人工智能（AI）和无处不在的专用处理的需求。实际上，Armv9架构的推出也与正预示着行业的发展方向。凭借新架构，Arm提出了3000亿的目标。……
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产业链人士预计存储芯片价格四季度环比下滑10%
8月17日消息，据国外媒体报道，研究机构不久前曾预计，DRAM和NAND闪存这两大存储芯片的销售额，今年均会有上涨，后者的同比增长率预计会达到27%。 但与销售额同比增长不相匹配的是，目前的存储芯片市场并不乐观。刚进入下半年，就有外媒预计存储芯片的价格在下半年有可能下滑，一家存储模组供应商的总经理上周也透露，DRAM与NAND闪存供应过剩，将会持续到明年上半年。 而现在，产业链的一名消息人士又透露，由于供应过剩，包括DRAM与NAND闪存在内的存储芯片的价格，在四季度预计会环比下滑10%。 同供应过剩的状况将会持续到明年上半年的预期一样，产业链的这一人士也预计存储芯片价格下滑的趋势，有可能持续到明年上半年。 如果存储芯片价格下滑，DRAM与NAND闪存的销售额，还能否达到预期就存在变数。研究机构预计今年全球DRAM的销售额，将达到645.55亿美元，同比增长3.2%；NAND闪存的销售额预计将达到560.07亿美元，同比增长27.2%。
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研究机构预计今年仅8类集成电路产品销售额同比会有增长
8月10日消息，据国外媒体报道，今年众多行业都受到了影响，需求明显下滑，5G智能手机处理器、NAND闪存、DRAM等半导体产品虽然并未受到影响，但在集成电路领域的产品类别中，多数都受到了影响，大部分产品的销售额预计都会下滑。 从研究机构最新发布的报告来看，在集成电路领域的33类产品中，今年销售额同比增长的预计会有8类，余下25类产品的销售额都将下滑，好于去年的6类上涨，27类下跌。 预计会有增长的8类产品中，增幅最大的是NAND闪存，今年销售额预计同比增长27%，是集成电路领域中唯一一类同比增长率预计超过10%的产品，但其销售额在去年同比大幅下滑26%。 另一类销售额去年同比大幅下滑、预计今年会有增长的是DRAM，其销售额在去年同比下滑37%，今年预计增长3%。 就整个集成电路领域而言，研究机构预计销售额在今年会增长3%，较去年同比下滑15%会有明显好转。
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宇瞻总经理：DRAM与NAND闪存供应过剩将持续到明年上半年
8月13日消息，据国外媒体报道，受疫情影响，众多产品的市场需求都有不同程度的下滑，智能手机等电子产品也不例外，也影响到了存储产品的市场需求，已经出现了供应过剩的情况。 而存储模组供应商宇瞻的总经理张家騉透露，DRAM与NAND闪存供应过剩的状况，将持续到2021年上半年。 从外媒的报道来看，张家騉认为这两类存储产品供应过剩的情况会持续到2021年上半年，是因为疫情对设备市场造成了冲击，进而影响到对存储产品的需求。 虽然众多产品的需求都受到了影响，但也并不是所有电子产品的市场需求都有下滑，仍有部分产品有强劲的需求。 外媒在报道中就提到，居家办公和学习增加对笔记本电脑有强劲的需求，厂商也在大力生产笔记本电脑，但面临零部件短缺，8英寸晶圆厂的产能紧张，被认为是造成笔记本电脑所需集成电路零部件短缺的原因。
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研究机构预计全球NAND闪存销售额今年增至560亿美元 同比大增27%
8月4日消息，据国外媒体报道，研究机构预计，销售额在去年大幅下滑的NAND闪存，在今年将大幅增长，同比增长率将达到27.2%，销售额将达到560.07亿美元。 从研究机构的预计来看，在集成电路的33个产品类别中，NAND闪存今年销售额的同比增长率，将是最高的，是增长最明显的一类。 就预期的销售金额而言，NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场，仅次于DRAM，后者的销售额预计为645.55亿美元，较NAND闪存高85.48亿美元。 在研究机构的预计中，在全球集成电路市场，NAND闪存今年的销售额将占到15.2%，仅次于DRAM的23.6%。 但同DRAM一样，研究机构预计的NAND闪存今年的销售额，也低于创纪录的2018年，但差距还是小于DRAM。2018年全球NAND闪存的销售额达到了594亿美元，研究机构预计的今年的560.07亿美元，较之低了33.93亿美元。DRAM在2018年的销售额为994亿美元，较研究机构预计的今年的645.55亿美元高出了50%。
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外媒：索尼微软新品推动 游戏主机闪存需求三季度将回升
6月17日消息，据国外媒体报道，在索尼和微软将推出的新一代游戏机的推动下，游戏主机对闪存的需求也将增加，产业链人士预计游戏主机对闪存的需求在今年三季度将回升。 索尼新一代游戏主机PS5 产业链人士表示，索尼和微软将推出的下一代游戏主机，高速和大容量的固态硬盘是一大特色，而NAND闪存又是固态硬盘所必须的，因而也将拉升对NAND闪存的需求。 索尼的下一代游戏主机将是备受关注的PS5，索尼已在当地时间6月11日展示了这一款游戏主机的外观，采用了双色“夹心”造型设计，预计年底开始发售。 正如外媒最新报道的一样，索尼PS5将配备超高速固态硬盘，用户将体验到闪电般的加载速度。 不过，外媒在报道中并未指出，游戏主机对NAND闪存的需求在三季度回升，是否会拉升NAND闪存的价格。在此前的报道中，外媒是预计NAND闪存三季度的合约价格，将与二季度持平，二季度较一季度则会上涨15%。
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外媒：存储芯片供应商优先考虑数据中心服务器订单
4月13日消息，据国外媒体报道，市场研究机构上周四发布的报告显示，2019年全球智能手机领域的存储芯片出货393亿美元，同比有下滑，其中NAND闪存的营收同比下滑29%，DRAM内存的营收则同比下滑27%。 外媒援引行业消息报道称，由于智能手机需求下滑，三星电子、SK海力士和美光这几家存储芯片供应商，目前是优先考虑数据中心和其他服务器应用领域的订单，这一部分也是优先出货。 此外，在3月初的报道中，外媒也曾指出，数据中心和服务器领域对DRAM内存和NAND闪存的需求开始飙升，PC和个人消费电子产品领域的需求则是不太理想。 不过，三星、SK海力士等存储芯片供应商优先考虑数据中心和服务器领域的订单，可能只是现阶段暂时的，随着智能手机市场的恢复，他们可能就会增加相应的出货量。
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外媒：NAND闪存四季度出货量环比增长近10% 营收增至125.5亿美元
2月25日消息，据国外媒体报道，NAND闪存芯片去年第四季度的出货量环比有明显增长，整体行业的营收也有提升。 从外媒的报道来看，NAND闪存去年第四季度的出货量，较第三季度增长了近10%，NAND闪存行业的收入则是环比增长约8.5%，达到了125.5亿美元。 外媒在报道中表示，NAND闪存去年第四季度的出货量和收入环比增长近10%，主要是由于数据中心的需求增加，芯片供应商也得以将库存降至正常水平。 对于2020年的第一季度，外媒预计NAND闪存的出货量将环比下滑或者持平，但价格可能会有上涨，有望抵消出货量下滑的影响。在收入方面，外媒是预计至少能与上一季度持平。
时间：2020-03-10 关键词： 闪存芯片 nand闪存闪存出货量 芯片 nand闪存
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供应链预测：今年NAND闪存产品价格将上涨40%
据DigiTimes报道，台湾内存芯片制造商的消息人士预测，NAND闪存合同价格将在2020年上涨40％。这将包括硬件产品，例如存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器。根据DRAMeXchange的说法，SSD的合同价格已经下降了几年，在生产问题导致NAND产量下降之后，直到2019年第二季度才开始再次上涨。 DigiTimes表示，我们预计2020年NAND闪存的价格将上涨40％，而在短期内，DRAMeXchange表示NAND闪存晶片合同的价格将在第一季度环比增长10％，此前12月份已经上涨了10％。 多种因素导致NAND闪存价格上涨；其中包括数据中心客户准备投入的新项目，从而导致企业SSD的供应短缺。预计在今年上半年，苹果即将上市的新iPhone也给NAND闪存硬件供应施加了压力，从而进一步提高了价格。 此前SSD售价连续七个季度下降，直到2019年第二季度，SSD和其他与NAND闪存相关的硬件近期价格上涨.在最低点时，SSD的价格几乎接近传统HDD的价格。
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三星将向西安芯片厂投资80亿美元
之前曾有消息称，三星计划投资西安闪存芯片80亿美元，以促进NAND闪存芯片的生产，据悉该工厂每月可加工12万片晶圆，扩建后将开始每月加工13万片晶圆。 早在2017年的时候，该公司宣布，计划在未来三年内向其位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。 三星二期项目的总投资为150亿美元，预计于2021年下半年竣工。此前，该公司还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元，这笔投资是三星西安闪存芯片项目的一期投资。 目前，三星在三个地方生产3D NAND：韩国的华城、平泽和中国的西安。自2014年以来，该公司就一直在其位于西安的工厂生产NAND芯片。最近，该公司在其位于平泽的工厂增加了第二条生产线，预计将于明年投产。 有分析人士表示，三星为了打击国产自主内存，正在加大投资，以保证足够的创新。今年9月，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
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新突破：旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货
据悉，台湾非易失性存储厂商旺宏电子(Macronix)将在2020年下半年批量出货3D NAND闪存，成为台湾地区第一家拿出自主设计3D NAND闪存的厂商。 旺宏电子透露，首批出货的3D NAND闪存为48层堆叠，并计划2021年出货96层，2022年再出货192层，逼近世界顶级水平。—;—;Intel将在明年量产144层闪存。 目前，旺宏电子已出货的最先进NAND闪存还是2D平面型，用的19nm工艺，今年2月上市的。 新的3D闪存的架构、工艺、特性、性能等指标均未公布，不过考虑到旺宏电子以嵌入式领域为主，典型产品很多都供应无人机、除颤器、手表等行业产品，这次可能也类似，更强调稳定性和寿命，但不太可能在消费级SSD里见到。 旺宏电子成立于1989年，是全球最大的只读存储器厂商，拥有非常完整的产品线，主要以多种NOR闪存为主，也涉及NAND闪存、eMMC闪存、ArmorFlash闪存、MCP多芯片封装、ROM存储、晶圆代工等。
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继QLC之后，东芝又要研发PLC NAND闪存
8月26日讯，存储大厂东芝近日又有新动作，宣布计划研发第五代和第七代BiSC闪存，此外，东芝还宣布研究5 bit PLC的NAND 闪存，虽然 PLC在速度和读写次数上均不如QLC，但是其成本将进一步降低。 东芝在今年的闪存峰会宣布，东芝已经开始计划其BiCS闪存的第五代到第七代的研发。每一代新产品都将与新一代的PCIe标准相一致，BiCS 5将很快与PCIe 4.0同步上市，但该公司没有提供具体的时间表。BiCS5将具有更高的带宽1200 MT/s，而BiCS6将达到1600 MT/s, BiCS7将达到2000 MT/s。 该公司还开始研究5bit PLC的NAND闪存，新的闪存提供了更高的密度，每个单元可以存储5位，而目前的QLC只能存储4位。PLC将有更少的PE和更慢的性能，但新的NVMe协议特性以及Dram闪存和控制芯片会带来一些性能提升。
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净利润暴跌88% SK海力士计划今年削减15% 3D NAND闪存产能
7月27日消息，据国外媒体报道，芯片制造商SK海力士计划今年将3D NAND闪存产能削减15%，以放缓产能扩张速度。这一数据高于此前计划的10%。 这家芯片制造商表示，它将削减主要内存产品的产量，专注于高密度产品，以提高盈利能力。此外，该公司将重新考虑装配其M15和M16晶圆厂的计划，以减少资本支出。 2019年第二季度，由于SK海力士增加了72层3D NAND芯片的产量，而且总体需求有所增长，该公司的NAND闪存芯片出货量与上季度相比增长了40%，但平均售价下降了25%。 除了减少3D NAND晶圆的开工数量，SK海力士还将放缓其位于韩国青州附近的M15工厂洁净室空间的扩建速度。该工厂既能生产DRAM，也能生产3D NAND。 SK海力士还将推迟仁川附近M16工厂的设备安装。此外，该公司还透露，计划从2019年下半年开始，将其位于仁川的M10晶圆厂的部分生产线改造为CMOS图像传感器生产线，从而削减DRAM晶圆产量。 对于NAND闪存，SK海力士将从2019年下半年开始，专注于提高其72层3D NAND芯片的产量，扩大用于高端智能手机和SSD的96层4D NAND芯片的产量，并且还准备大规模生产128层1Tb TLC 4D NAND闪存产品。 日前，SK海力士发布了惨淡的2019年第二季度财报。财报显示，该公司的营收同比下滑了38%，至6.45万亿韩元；营业利润同比下降了89%，至6380亿韩元（合5.419亿美元），为三年来最低水平；净利润从去年同期的4.3万亿韩元降至5370亿韩元（约合4.6亿美元），较上年同期锐减88%。 该公司表示，其业绩不佳，是由于需求复苏弱于预期，以及中美紧张的贸易关系导致内存价格大幅下跌。（小狐狸）
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NAND闪存要涨价了？三星、SK海力士将减少NAND闪存产量
近日，受日本材料出口限制的影响，韩国半导体相关企业多少产生了一些波动，其中，三星电子和SK海力士是遭受日本出口限制最严重的公司。 据路透社报道，韩国存储芯片制造商三星电子和SK海力士股价周三上涨。分析师称，投资者押注因日本对韩国关键材料的出口限制，将会导致他们减产。 BusinessKorea近日发出消息，三星电子计划将其NAND闪存价格提高10%，原因是日本政府对半导体材料出口限制导致生产中断的担忧日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。 今年6月NAND闪存的价格为3.93美元，是自2016年9月以来的最低价格，当时价格为3.75美元。而一年前的NAND闪存单价高达5.5美元。上个月，NAND闪存合约价格变化不大，而DRAM合约价格下跌11.73%。
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紫光集团组建DRAM事业群,“台湾存储教父”担任CEO
7月1日消息 紫光集团宣布组建DRAM事业群，刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。在DRAM领域，紫光旗下西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品(ECC DRAM);此外，在3D NAND闪存领域，紫光旗下长江存储成功研发并已小批量生产了32层3D NAND闪存芯片，其创新的Xtacking TM技术，实现了3D NAND闪存芯片结构的历史性突破。 据中国工业新闻网报道，经过多年的发展，紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础，积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验本次被任命为DRAM事业群董事长的刁石京，现担任紫光集团联席总裁、紫光国微董事长、紫光展锐执行董事长、长江存储执行董事等职务。刁石京在ICT(信息、通讯与技术)领域拥有超过30年的行业工作经验，曾先后担任国家工业和信息化部(以下简称工信部)电子信息司司长、国务院信息化工作办公室综合组副巡视员、信息产业部办公厅部长办公室副主任等职务。 被任命为DRAM事业群CEO的高启全，现担任紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯CEO。从1980年起，高启全便在半导体及DRAM领域从业，先后在美国仙童半导体、英特尔等公司任职。1987年高启全加入台积电任一厂厂长，后创办旺宏电子，高启全还曾任台湾DRAM公司南亚科技总经理、华亚科技董事长等职务，是华人在全球DRAM界最资深的人士之一，有“台湾存储教父”之称。
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东芝闪存工厂遭遇停电事故，价格连跌 6 个季度的 NAND 还会再降？
东芝公司宣布旗下3D NAND闪存工厂遭遇停电事故，闪存生产将受到影响，东芝表示将尽快恢复生产，不过目前尚无准确信息，无法评估这次断电事故会带来多大的影响，尤其是这次事故是否会影响NAND闪存价格走向。 由于NAND闪存的价格已经连跌了6个季度，今年Q1季度几家NAND厂商的财报惨不忍睹，三星美光东芝等公司也决定削减NAND产能至少5%，目的是缓解市场上供过于求的局面。 东芝是全球第二大NAND闪存供应商，仅次于三星，但是因为NAND闪存价格暴跌，东芝存储公司的盈利大幅下滑。根据东芝TMC公司之前发布的2018财年年报，全年营收1.26万亿日元，大约是115亿美元，同比增长了2.8%，但运营利润1163亿日元，约合10.6亿美元，同比减少了75%，净利润只有605亿日元，约合5.5亿美元，同比暴跌了92%。
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确定了！英特尔研发第三代傲腾存储 新厂在中国大连
NAND闪存持续供过于求，价格不断走低，消费者们很高兴，厂商们很不爽，Intel就在近日的投资者大会上披¶，可预期的δ来内也不会再建设新的闪存工厂。 最近几年，三星、美光、SK海力士、东芝都在兴建各自的新工厂，或者扩充现有工厂的产能，不断加大NAND闪存的输出量，但是Intel和他们截然不同，短期内不会考虑新厂，反而会不断减产。 同时，Intel傲腾内存、固态硬盘使用的3D XPoint存储芯片都来自与美光合资的、λ于美国犹他州的Ψ一一座工厂，但是随着Intel将此工厂的股份全部卖给美光，生产就必须自己来了。 Intel为傲腾存储选定的新工厂，是λ于中国大连的Fab 68。 该工厂目前专门用于生产Intel 3D NAND闪存，自从2010年开工以来不断增产，但是接下来，Fab 68将负责为Intel生产傲腾存储，不过具体投产时间û有披¶。 今年初，Intel宣布正在研发第三代傲腾存储，量产时间、地点δ定，不过交给Fab 68的可能性也非常大。 当然了，Fab 68仍会继续生产3D闪存，而且堆叠层数会越来越多，以降低成本，比如目前的64层、96层，预计很快就会突破100层。
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SSD硬盘跌到头了？NAND闪存价格跌幅收窄，年底不再跌价了
2019年全球半导体市场凛冬将至，从以往的牛市转向了熊市，主要原因就是存储芯片价格不断下跌，其中DRAM内存芯片去年Q4季度才开始由涨转跌，不过NAND闪存比DRAM内存“倒霉”多了，实际上2018年上半年就开始跌价了，一直跌到了现在。受益于NAND闪存不断跌价，SSD硬盘的价格已经大幅下滑，1TB硬盘也只要七八百块了，部分品牌价格还可以更低。不过NAND闪存价格不会这么一直跌下去，Q2季度跌幅就已经收窄到了10%左右，预计到年底就会停止跌价了。 NAND闪存价格在2016年中与DRAM内存价格一起上涨，持续了一年多时间，不过2018年上半年的时候就开始降价了，主要原因是当时NAND闪存厂商的64层堆栈3D闪存良率解决了，产能大涨，改变了市场上的供需比例，NADN闪存价格大跌。 从去年到现在，NAND闪存价格还是一路下跌，一方面是产能稳定增长，而且业界开始从64层3D闪存向96层3D闪存转变，一旦完成制程转换，NAND闪存产能还会继续增加，但需求端目前并没有明显增加，智能手机销量今年还是会继续下滑，PC也是如此，只有服务器、数据中心等市场的需求是增长的。 此外，NAND上游供应商今年也削减了投资，早前美光发布上季度财报的时候就提到DRAM内存及NAND闪存产能都会削减5%，三星在之前也确定了削减投资、减少产能的策略，其他厂商预计也会跟进。 从产业链的消息来看，NAND闪存价格还在跌，但跌幅已经开始收窄了，美光上季度的财报中提到NAND闪存的ASP均价跌了20%，但Q2季度预计NADN闪存价格跌幅只有10%。随着NAND闪存价格逐渐逼近成本，闪存降价的空间也没多少了，预计今年底NAND闪存价格就会停止下滑了。 值得一提的是，早前三星美光等厂商也预测DRAM内存价格在今年底也会停止下滑，甚至有恢复涨价的可能，这意味着今年底NAND、DRAM两大存储芯片价格有可能再次迎来一个分水岭——在厂商减产的情况下，如果需求反弹了，那么这两种存储芯片价格不会再跌了，最差也是持平，最好的情况则是如厂商所愿而恢复上涨。
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全国产！国科微发布首款固态硬盘控制芯片：读写速度500MB/s
据腾讯科技报道，今日下午，国科微与龙芯中科战略签约并发布了国内首款全国产固态硬盘(SSD硬盘)控制芯片。 报道称，国科微全新的GK2302系列芯片，搭载龙芯嵌入式CPU IP核，成为国内首款真正实现全国产化的固态硬盘控制芯片。SSD硬盘最核心的部分就是NAND闪存和主控芯片，目前主控芯片市场主要被国外公司垄断，如Marvell、东芝等。 GK2302系列芯片采用高速SATA 6Gbps接口与主机通讯，单芯片容量最大支持4TB，读写速度达到500MB/s。相比上一代产品，GK2302CPU性能提升15%，功耗降低6.5%，全硬盘性能提升18.4%，达到国际先进水平。 据悉，GK2302系列重新定义了国产化的4个标准：第一，搭载国产嵌入式CPU IP核;第二，从芯片设计到流片再到生产封装等各个环节全部在国内完成;第三，与国产整机品牌实现全面适配;第四，集成国密加解密算法，安全可信。 另外根据协议，龙芯中科在后续主板方案上将国科微作为首选国产固态硬盘供应商，国科微则在后续芯片产品中将龙芯中科作为嵌入式CPU IP核首选供应商。
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长江存储今年将量产64层3D NAND闪存
紫光集团旗下的长江存储YMTC是国内三大存储芯片阵营中主修NAND闪存的公司，也是目前进度最好的，去年小规模生产了32层堆栈的3D NAND闪存，前不久紫光在深圳第七届中国电子信息博览会(CITE2019)上展示了企业级P8260硬盘，使用的就是长江存储的32层3D NAND闪存。长江存储并不打算大规模生产32层堆栈的3D NAND闪存，该公司CTO程卫华在接受采访时表示今年下半年量产64层堆栈的3D NAND闪存，目前计划进展顺利，û有任何障碍。 韩国Businesskorea网站报道称，长江存储公司CTO程卫华在接受日本ý体日经新闻亚洲版采访时表示“我们已经制定了大规模量产的计划。”，目前在中国政府的支持下，长江存储在武汉建造了价值240亿美元的半导体工厂，日经报道称该工厂将量产64层堆栈3D NAND闪存。 在采访中，CTO程卫华表示“长江存储公司的计划进展顺利，û有任何障碍。”他并û有正式宣布今年量产64层堆栈的3D NAND闪存，但专家分析称一旦该公司的量产计划实现，他们今年就能够推出64层堆栈的3D NAND闪存。 目前三星、SK Hynix正在使用90层堆栈的3D NAND闪存，去年完成开发之后，SK Hynix今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存，三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。如果长江存储今年能够量产64层堆栈的3D NAND闪存，那ô他们与三星等公司技术差距就可以缩小到2年左右。 最重要的是，人们担心一旦长江存储进入NAND闪存领域所带来的的影响，因为NAND闪存降价会比预期更多。 一些专家依然怀疑长江存储今年是否能够量产64层堆栈3D NAND闪存，因为这家中国半导体制造商还û办法量产32层堆栈的NAND闪存。 但总体而言，与DRAM领域不同，长江存储在NAND领域似乎取得了进展。如果今年下半年量产64层堆栈的NAND闪存，中国政府可能要求中国智能手机及PC制造商采用国产NAND闪存。如果发生这种情况，将严重影响NAND业务的盈利能力，这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题。
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96层3D闪存产量增加，市场将出现严重供过于求的阶段
和其他电子产品涨价不同的是，SSD的价格还过去一段时间内一直呈现下降的趋势，而有消息表示这种下降的情况还将继续出现，甚至会愈演愈烈。有业界人士指出，随着第二季度96层3D闪存的全球产出增加，未来NAND闪存市场会出现严重供大于求的阶段。 根据报告，从2018年开始闪存价格一直在下跌，主要原因是64层和72层3D芯片的供应增加。而业界人士表示由于NAND闪存的大量供应，预计到年底每GB闪存的售价将会低于0.1美元也就是0.67元人民币。 虽然包括三星、海力士在内的闪存制造商已经宣布未来将会降低闪存产量，但是由于96层3D闪存的大规模投产，NAND闪存供大于求的状态将会一直存在。目前三星已经率先推出512GB UFS 3.0，而东芝以及美光这些闪存制造商也将在第二季度大量投产96层3D闪存。
