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开关电源MOSFET驱动电路的RCD缓冲设计详解
在开关电源设计中，MOSFET作为核心开关器件，其开关过程产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）问题直接影响系统可靠性。RCD（电阻-电容-二极管）缓冲电路通过钳位电压尖峰、抑制振荡，成为保护MOSFET的关键技术。本文从工作原理、参数设计、优化策略三方面解析RCD缓冲电路的核心设计要点。
在开关电源设计中，MOSFET作为核心开关器件，其开关过程产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）问题直接影响系统可靠性。RCD（电阻-电容-二极管）缓冲电路通过钳位电压尖峰、抑制振荡，成为保护MOSFET的关键技术。本文从工作原理、参数设计、优化策略三方面解析RCD缓冲电路的核心设计要点。
