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首先ALN MOSFET展示承诺和挑战
超宽的带隙(UWBG)材料可以扩大宽带盖(WBG)材料(例如碳化硅)(SIC)和氮化碳(GAN)在电源转换应用中提供的改进范围。在本文中，我们总结了基于UWBG铝(ALN)的MOSFET设备的最初初始演示 。开创性的工作突出了在电力转换应用中使用该材料的一些承诺和挑战。
超宽的带隙(UWBG)材料可以扩大宽带盖(WBG)材料(例如碳化硅)(SIC)和氮化碳(GAN)在电源转换应用中提供的改进范围。在本文中，我们总结了基于UWBG铝(ALN)的MOSFET设备的最初初始演示 。开创性的工作突出了在电力转换应用中使用该材料的一些承诺和挑战。
