导读: 8 MB 的端侧模型放在四线 NOR Flash 上直接执行,出字速度只有每秒 3 个;同样的模型放进片内 SRAM 是每秒 50 个。差距不在读取的字节数,在每次事务要付的地址与空周期:133 兆赫四线接口下,随机读 4 字节要 22 个时钟,有效带宽只剩连续读的 36%。
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