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三星860 EVO固态硬盘曝光：QLC闪存，最高存量高达4TB
资料显示，850 EVO发布于2015年，是三星首款三代V-NAND的产品，也就是48层TLC闪存，性能方面，持续读写540MB/s、500MB/s，QD32 4KB随机读写97000 IOPS、89000 IOPS。
资料显示，850 EVO发布于2015年，是三星首款三代V-NAND的产品，也就是48层TLC闪存，性能方面，持续读写540MB/s、500MB/s，QD32 4KB随机读写97000 IOPS、89000 IOPS。
