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Qorvo采用全新GaAs工艺技术提高光带宽
最新TQPHT09 90 nm pHEMT完全适用于下一代高频放大器21ic讯 Qorvo, Inc.日前宣布推出一项全新的砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺技术，与竞争对手的半导体工艺相比，该技术能够提供更高的增益/带宽
最新TQPHT09 90 nm pHEMT完全适用于下一代高频放大器21ic讯 Qorvo, Inc.日前宣布推出一项全新的砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺技术，与竞争对手的半导体工艺相比，该技术能够提供更高的增益/带宽
