早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加对入射光的吸收,但该方法均需先单独采用热氧化方法生长一层10~20umSiO2使硅片表面非晶化、且对多晶效果不理想。SixNy膜层不仅减缓浆
分享设计槽点,寻找华邦电子为您带来的小确幸
野火F407开发板-霸天虎视频-【大师篇】
正点原子-手把手教你学ALIENTEK STemWin
野火F429开发板-挑战者教学视频(提高篇)
手把手教你学STM32-Cortex-M4(中级篇)
内容不相关 内容错误 其它