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能耗远低于 DRAM，英特尔已悄悄在产品中采用MRAM技术？
英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在200℃下实现长达 10 年的记忆期，并可在超过 106 个开关周期内实现持久性。并且英特尔在其 22 FFL 工艺中，描述 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋转移力矩) 非易失性存储的关键特性。英特尔称之其为“首款基于 FinFET 的 MRAM 技术”。
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MRAM技术的硬盘容量只有1-2GB，但150万IOPS随机性能炸裂
在新一代存储芯片技术中，MRAM被业界看好，因为它同时具备SRAM的快速及非易失性闪存的特点，只不过目前的MRAM闪存大部分还处在研发阶段，并没有真正上市。
