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三菱电机与东京大学合作，提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制。
在该项机制中，在SiC中适量的硫离子和分布在一定程度上阻挡了界面附近的电子，因此在不影响导通电阻的情况下可以增加阈值电压。人们目前正积极寻求能够提供这种电特性的合适原子来实现抵抗外部电磁噪声的影响而不易发生故障的装置。在这方面，新机制比传统机制更优异，并且可以保持低导通电阻。
在该项机制中，在SiC中适量的硫离子和分布在一定程度上阻挡了界面附近的电子，因此在不影响导通电阻的情况下可以增加阈值电压。人们目前正积极寻求能够提供这种电特性的合适原子来实现抵抗外部电磁噪声的影响而不易发生故障的装置。在这方面，新机制比传统机制更优异，并且可以保持低导通电阻。
