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  • ab类功放有什么特点

    ab类功放有什么特点

      ab类功放详解   A(甲)类功放对于B(乙)类功放而言,声音上有明显优点是无庸置疑的,我就从它们的工作原理来谈谈。   晶体管功率放大器是由三极管组成的,而三极管是由几组N-P、N-P结构成的,   这个N-P结,当没有外加电压时是截止的(关闭)只有在上面外加一个偏置电压并且高于它的门限电压(硅管是0.6V,锗管0.2V)这个N-P结才会导通(打开)有电流通过,三极管才开始工作。B类工作状态就是不外加一个固定偏置电压,由信号电压来打开,因此当信号电压小于0.6V时(硅管为例)三极管处于截止状态,输出为零。只有当信号电压大于等于0.6V时三极管才导通,放大器开始工作,输出端才有信号输出。这里很清楚表明小的信号电压被“贪污”了,在输出波形图上,是一小段与X轴重合直线,因此与输入波形不同,也就是失真产生了,这就叫做交越失真,而且输入信号中小信号越多,失真越严重。在听感上,就会出现音乐细节丧失,小信叼变得模糊、微弱,整个乐曲变得不连贯,更不要奢谈什么乐器质感,音乐性了。这就是B类放大器的工作状态。   再说B类功率放大级必须用二只晶体管来组成推挽,由一只管子工作于信号电   压的正半周,另一只工作于信号电压的负半周,这种电路中当一只管子导通工作进,另一只就处于截止状态,当信号电压的另外半周来到时二只管子的工作状态正好交换,这时交越失真自然是免不了。中外B类功放对于扬声器产生的反电动势,没有起到截止作用,反电动势甚至反馈到前一级放大器电路中,这就使得功入的内阻剧增,阻尼系数变坏,甚至丧失,这样听感上就会感到B类功放对音箱控制不好,声音浑浊,推力不足。   但是B类功放也有它的优点,首先它的效率很高,可达到75%以上,因此可以   使用较小的功率管输出较大功率,另外推挽电路对抑制偶次谐波有作用,以减低非线性失真。 针对B类功放存在的缺点设计人员就在三极管的输入板上加上一个预置的固定的略小于门限电压的偏置电压,就使得三极管在静态时输出级电流稍大于零,使得很小的信号电压时三极管也能导通,有电流输出,使得晶体管有大于信号半个周期的时间处于导通,交越失真也就不存在了,这就是AB类,而实际使用中,现在家用音频功放极少用B类,而极大多数是AB类,AB类功放既克服了B类功放存在的问题,而电效率也大大高于A类功放,现在家用音频功放中为求改善声音,常常把偏置电压定得高于门限电压,使晶体管处于导通状态,使其工作状态近A类。这就是被称为高偏流AB类。   A类功放就是把正向偏置定在最大输出功率的一半处,使功放在没有信号输入   时也处于满负载工作状态,使得功放在整个信号周期内都导通都有电流输出。A类功放使三极管始终工作于线性区,因此A类功放几乎无失真,听感上质感特别好,尤其是小信号时,整个声音平衡,润滑,谐波丰富。   但A类功放也有缺点,首先是效率低,一般不大于25%,大量电能变成热能,   在同功率的情况下,电源供应常常比AB类大得多。而且A类功放由于工作电流高,在同样输出功率时它的工作电源电压主   要低得多,因此它的输出峰值电压就受到限制,它的输入电压也受到输出电压的放大器放大系数的限制。因此音乐的大动态表现就受影响。   AB类功放应用   并联应用是AB类功放的应用之一,如图1所示。IC并联时可提高输出电流,增加带载能力,可以带更低阻抗的喇叭负载。为了防止两个放大器输出电流不一致,在输出端分别串联一个小电阻,作为均压和均流。桥接模式应用在相同的电源电压下,桥接的输出压增加了一倍,输出功率是单端模式的4倍。图2为LM3886桥接应用电路。      图1 AB类功放并联应用      图2 AB类功放LM3886桥接应用   稳定性   设计应用的稳定性很重要,设计的不完善容易引起振荡。振荡产生的原因很多。最常见的一种振荡之一是波形的负半周有毛刺产生“(fuzz)”。振荡不只出现在负半周,正弦波上的每个点都有可能产生。   对于震荡的解决方案一般有三种,第一是加入缓冲器的方法,在输出端加入RC消振电路(也叫茹贝尔(zobel)移相网络;第二是放大器增益方法,大多数的AB类功放要求闭环增益大于10倍,在反馈电路中加入反馈电容,增加电路的稳定;第三是改善电源,在靠近器件的位置安装高频滤波电容。   散热因素   所有的IC产品都存在热损耗,AB类功放在运行时会有较大的热量产生。不同的功耗取决于电源电压和输出负载(8Ω或4Ω)。   散热效果取决于IC本身封装的热阻。θja 指的是“结与环境的热阻”,θjc 指的是“结与外壳的热阻”。散热片也是以℃/W为单位的热阻,θCS指的是“外壳与散热片的热阻”,θSA指的是“散热片与环境的热阻”。   PDMax = V2/(2&TImes;2RLoad)+PQ   其中,V为电源电压,PQ为静态功耗。   LM1875的PDMAX值   PDMAX=(50&TImes;50)/(2&TImes;(3.14)2&TImes;8)+(50V×70mA)   PDMAX=15.35+3.5=18.85W   大多数IC的数据手册都有相应的“功耗”曲线,这是找出PDMAX值最简单的方法。不是所有工作条件下的功耗都能从曲线图找到,需要确保喇叭负载与所选的“功耗”曲线图相对应,如图3所示。      图3 LM1875功耗曲线   关于器件温度的计算,首先计算芯片的总热阻,假设散热片热阻为2℃/W。   LM1875(θjc+散热器热阻)=(3℃/W+2℃/W)=5℃/W   考虑到芯片最大承受温度不超过150℃,假如最大的环境温度为50℃,芯片最高温度可能达到的值可以计算得出。   (总热阻) ×PDMAX+T(最大环境温度)=(5℃/W) ×(18.85W)+50℃=144℃   找出散热片规格简单易行的方法如图4所示。首先,在纵轴上找出相应的PDMAX值,然后在横轴上确定最大环境温度,选取适当的散热器热阻,在这里要注意所有的线都相交在150℃,即IC最高承受温度。      图4 功耗与环境温度曲线   PCB走线   地线设计时要关注地线间的电流。从输出信号地到电源地都属于大电流地,输入信号地线与输出信号地线的线宽已经很大,不过还是存在阻抗。地线间的电流使得地线产生杂波波形。   杂波波形的产生是由于输入信号地与输出信号地直接相连。现在输出信号地与输入信号地形成电势差,电流从输出地流向输入地。这将会使得在放大器的输入信号端增加了一个杂波信号。   修改前和修改后的地线走线如图5所示。现在输入信号地与输出信号地已分开走线,两种地线在比较稳定的地线点相连接(电源滤波电容的接地点)。

    时间:2020-08-04 关键词: 放大器 三极管 ab类功放

  • 三极管的那些你不知道的功能

    三极管的那些你不知道的功能

    什么是三极管,你真的了解吗?三极管是最常见的元器件之一,主要能起到电流放大(模拟电路)和开关作用(数字电路)。那么,我们所说的三极管的特殊功能又是什么?下面我们一起打探个究竟! 三极管的介绍: 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。 三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。(图一) 三极管主要用途: 1.放大,(工作时,三极管工作在放大区)用来组成放大电路。 2.电子开关,(工作时,三极管工作在饱和区和截止区),用来控制电路通断。 三极管的特殊用途: 半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外,还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件。 1. 扩流 把一只小功率可控硅(晶闸管)和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其最大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图1。图2为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点,但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安,因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展,稳定性能可得到较大的改善。 2. 代换 图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管;图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时,三极管的基极均不使用。 3. 模拟 用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅,用图7电路可作模拟品,调节510电阻的阻值,即可调节三极管C、E两极之间的阻抗,此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图8为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是:当加到A、B两端的输入电压上升时,因三极管的B、E结压降基本不变,故R2两端压降上升,经过R2的电流上升,三极管发射结正偏增强,其导通性也增强,C、E极间呈现的等效电阻减小,压降降低,从而使AB端的输入电压下降。调节R2即可调节此模拟稳压管的稳压值,等效为稳压管。以上就是三极管的你不知道的一些功能,希望能给大家帮助。

    时间:2020-05-25 关键词: 数字电路 模拟电路 三极管

  • 三极管放大电路的区分方法,你知道吗?

    三极管放大电路的区分方法,你知道吗?

    你知道三极管放大电路的区分方法吗?三极管单级放大电路在电子电路中是应用最多的单元电路。三极管单级放大电路有共基极放大器、共发射极放大器、共集电极放大器 3 种。区别这 3 种放大器的最简单方法就是查看放大管的交流接地引脚,就可以确认放大器的种类,比如,放大管的发射极交流接地,则该放大器就是共发射极放大器。 共发射极放大电路 共发射极放大器是应用最广泛的放大器。所谓的共发射极放大器就是信号输入和信号输出都要依靠发射极完成的放大器。图 3-1 所示是一种典型的共发射极放大器。在该放大器内,VT 是放大管,C1 是输入信号耦合电容,C2 是输出信号耦合电容,R1、R2 是 VT 基极的直流偏置电阻,R3 是 VT 的集电极负载电阻,VCC 是供电电压,Ui 是输入信号,Uo 是输出信号。 1)直流偏置 供电电压 VCC 通过 R1、R2 分压后,加到 VT 的基极,为基极提供直流偏置电压,基极电压 Ub≈VCCR2/(R1+R2)。流过 R1 的电流分两路到地:一路通过 R2 到地,另一路通过 VT 的发射极到地。 2)信号放大过程 输入信号 Ui 经 C1 耦合到 VT 的基极,使 VT 的基极电流 Ib 随 Ui 变化而变化,致使 VT 的集电极电流 Ic 随之变化,并且变化量为βIb。Ic 在 R3 两端产生随之变化的压降 U3,而 VCC 减去 U3 就是 VT 的集电极电压 Uc。因此,Uc 与 Ui 的相位相反,也就是说,该放大器属于倒相放大器。Uc 经 C2 耦合后得到交流输出信号 Uo。 提示:通过以上分析可知,共发射极放大器不仅有电流放大功能,而且还有电压放大功能。 共集电极放大电路 共集电极放大器也是应用十分广泛的一种放大器。图 3-2 所示是一种典型的共集电极放大器。在该放大器内,VT 是放大管,C1 是输入信号耦合电容,C2 是输出信号耦合电容,R1 是 VT 基极的直流偏置电阻,R2 是 VT 的发射极电阻,VCC 是供电电压,Ui 是输入信号,Uo 是输出信号。 提示:前面我们曾介绍过,放大器哪个极交流接地,该放大器就属于哪类放大器,有的读者可能要问,图 3-2 中的 VT 的集电极并未接地,它怎么就是共集电极放大器呢?这是因为电源 VCC 的内阻较小,并且电源两端都会接有大容量的滤波电容,所以电源在交流状态下相当于短路(交流接地)。因此,VT 的集电极是通过电源 VCC 及其滤波电容接地的。 1)直流偏置 电源电压 VCC 通过 R1 限流加到 VT 的基极,为基极提供直流偏置电压。基极电流 Ib≈(VCC-Ube)/[R1+(1+β)R2],基极电流回路是:VCC→R1→VT 的发射极→R2→地。 2)信号放大 输入信号 Ui 经 C1 耦合到 VT 的基极,使 VT 的基极电流 Ib 随 Ui 变化而变化,致使 VT 的发射极电流 Ie 随之变化,并且变化量为(1+β)Ib。Ie 在 R2 两端产生随之变化的压降 U2。U2 经 C2 耦合后得到交流输出信号 Uo。由于 Uo 与 Ui 的相位相同,所以该放大器也叫射极跟随放大器,简称射极跟随器。 通过以上分析可知,共集电极放大器的输入信号 Ui 是从放大器的基极、发射极之间输入的,输出信号 Uo 取自发射极。由于 U2 等于 Ub−0.6V,所以该放大器仅有电流放大功能,而没有电压放大功能。 提示:由于共集电极放大器具有输入阻抗高、输出阻抗低的优点,所以在多级放大电路中,通常利用共集电极放大器将前级和后级放大器进行隔离,由它对信号进行缓冲放大,以免前、后级放大器互相影响。又因共集电极放大器具有电流放大功能,所以不仅串联稳压电源采用此类放大器,而且有的多级放大电路的末级放大器也采用此类放大器。 共基极放大电路 共基极放大器的应用较前两种放大器要少得多。图 3-3 所示是一种典型的共基极放大器。在该放大器内,VT 是放大管,C1 是输入信号耦合电容,C2 是输出信号耦合电容,C3 是基极的交流接地电容,R1、R2 是 VT 基极的直流偏置电阻,R3 是 VT 的集电极负载电阻,R4 是 VT 的发射极电阻,VCC 是供电电压,Ui 是输入信号,Uo 是输出信号。 1)直流偏置 电源电压 VCC 不仅通过 R3 加到 VT 的集电极,为它供电,而且通过 R1、R2 分压后,加到 VT 的基极,为基极提供直流偏置电压,Ub≈VCCR2/(R1+R2)。流过 R1 的电流分两路到地:一路是通过 R2 到地,另一路是通过 VT 的发射结、R4 到地。 2)信号放大 输入信号 Ui 经 C1 耦合到 VT 的发射极,使 VT 的发射极电流 Ie 随 Ui 变化而变化,致使 VT 的集电极电流 Ic 随之变化。Ic 在 R3 两端产生随之变化的压降 U3,而 VCC 减去 U3 就是 VT 的集电极电压 Uc。因为 Uc 与 Ui 同步变化,所以相位相同。Uc 经 C2 耦合后得到交流输出信号 Uo。 提示:共基极放大器具有高频特性好的优点,但也存在输入阻抗小和输出阻抗大的缺点。因此,该放大器主要应用在高频信号放大电路。以上就是三极管放大电路的分类方法,希望能给大家帮助。

    时间:2020-05-24 关键词: 信号 三极管 vcc

  • 三款汽车发电机电路图

    三款汽车发电机电路图

      汽车发电机电路一:   电路工作原理:它由三极管VT、稳压二极管VD4以及普通二极管VD,~ VD3等组成,实际上是一个高门槛晶体管。在这里,VD,一VD3为硅二极管,VD。为7—9 V的稳压二极管,这就是说,只有当P端电压为9.5~ 11.5 V时,三极管VT才能导通。因此,它有很强的抗干扰能力。图b为电压调节器集成电路的管脚图,管脚符号与图a一一对应。该电路的型号有H108型和108型两种:H108的e、b两端已内接l kfl,电阻R;而108型在使用时必须在b、e之间接一只1Ω电阻;由于H108型e、b之间屯阻为扩散电阻,其阻值易随温度变化,因此在使用中要注意H108的散热问题。   汽车发电机电路二

    时间:2020-05-19 关键词: 汽车 发电机 三极管

  • 单片机完成驱动工作的原理,你知道吗?

    单片机完成驱动工作的原理,你知道吗?

    你知道单片机是怎么各自其责完成驱动工作的吗?单片机是个比较复杂的课题,但是如果你找到正确的学习方式你就会觉得单片机一点都不难,下面跟着小编学习下单片机篇之驱动能力的部分相关内容~ 单片机只是一个控制中心,IO的驱动能力是很弱的,只能用于信号处理或者信号控制,最多是驱动一个LED作为指示灯。驱动负载需要加入三极管、场效应管、继电器、可控硅等器件。 如何提高单片机的驱动能力 三极管驱动 如果要驱动LED或者功率不大的直流电机,可以直接用三极管,NPN或者PNP的三极管都可以。控制三极管工作在饱和导通区和截止区就可以实现负载的开和关了。需要设置合适的基极限流电阻,让三极管可以进入饱和导通区。三极管饱和导通时,Vce MOS管驱动 MOS管和三极管的驱动有相似的地方,三极管是电流型的驱动元件,MOS管是电压型的驱动元件。控制电压》Vgs才可以让MOS管导通,MOS导通后内阻很小,适合驱动功率相对较大的直流负载。 如果单片机IO的驱动电压不足以控制MOS管导通,可以加入三极管协助。 继电器驱动 继电器可以用于控制交流或者直流的负载,继电器的线圈工作本身也需要较大电流,所以需要加入三极管协助,不能直接用单片机IO驱动。驱动继电器时,需要加入续流二极管,避免线圈断电时产生的反向电动势击穿三极管。 双向可控硅驱动 双向可控硅可以用于驱动交流负载,比如发热管、交流电机,通过控制双向可控硅的导通角,还可以实现功率控制。继电器是靠触点断开、闭合实现控制的,开关速度不能太高,双向可控硅是电子式的导通和关断,可以实现交流电压斩波控制。当然双向可控硅的控制,需要三极管或者光耦的协助。以上就是单片机是怎么各自其责完成驱动工作的原理,希望能给大家帮助。

    时间:2020-05-12 关键词: 继电器 可控硅 三极管

  • 如何识别变频器电路板上电子元件

    如何识别变频器电路板上电子元件

    学习变频器对变频器的组成和构造一无所知是非常有害的,这就好比盲人摸象,缘木求鱼,老在一个点去寻找答案,并且方向还是错的。学习东西不要害怕错误,更不要害怕折腾,只有无所畏惧,才能勇往之间,只有不断摸索,才能找到事物的脉络和线索。对于PLC学习来说,变频器只是其庞大体系中很小的一部分,但其内部的构造仍让研究它的人费劲心力,才能完全掌握。如果不首先扫除这些障碍,变频器后期的学习将会多花费你1年,甚至更长的时间来弥补之间的遗漏。 大致来看,变频器的电路板主要包括电源板、控制板、驱动板、面板等,而他们又分别由有其他小部件构成,这就需要大家有足够的耐心和信息。 如何识别变频器电路板上电子元件 变频器的电路板主要包括电源板、控制板、驱动板、面板。 一、电阻 电阻在电路板上用字母R表示,单位有:欧姆(Ω)、千欧(K Ω)、兆欧(MΩ) 电阻符号表示: 1.按阻值特性可分为固定电阻、可调电阻、特种电阻 2.按材料可分为碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻,无感电阻,薄膜电阻等 3.按安装方式可分为插件电阻、贴片电阻 4.按功能分为负载电阻,采样电阻,分流电阻,保护电阻等 二、电容 电容式一种具有存储电能能力的元器件,主要用于滤波、耦合、谐振,而我们的变频器电路板也会用到这些功能,自然就少不了电容。 三、电感 电感器(电感线圈)和变压器均是用绝缘导线(例如漆包线、纱包线等)绕制而成的电磁感应元件。 按照用途分类,有振荡电感器、校正电感器、显像管偏转电感器、阻流电感器、滤波电感器、隔离电感器、被偿电感器 四、二极管 二极管是一种具有通断开关能力的电力电子元件,通过将P型半导体和N型半导体结合到一起,当给予正向电压时候导通。 五、三极管 三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。 1):按材质分:硅管、锗管 2):按结构分 :NPN 、 PNP 3):按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等 4):按功率分 :小功率管、中功率管、大功率管 5):按工作频率分 :低频管、高频管、超频管 6):按结构工艺分 :合金管、平面管 7):按安装方式:插件三极管、贴片三极管 六、IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 七、光耦 它是通过光来传输电信号的器件,通常把光源(发光二极管)与光接收单元(光敏半导体管)封装在同一管壳内。 当发光器发出光线,光接收单元接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。 八、晶振 晶振一般叫做晶体谐振器,是一种机电器件,是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。 九、其他的构成有多插脚芯片、数码管、液晶显示管、继电器、蜂鸣器等。

    时间:2020-05-02 关键词: 电路板 变频器 三极管

  • 你能区分三极管开关电路和MOS管开关电路吗?

    你能区分三极管开关电路和MOS管开关电路吗?

    三极管开关电路和MOS管开关电路,你知道吗?通常情况下我们在做电路设计时候,三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别:首先是三极管是用电流控制,MOS管属于电压控制;然后就是成本问题,三极管便宜,MOS管贵;其次是功耗问题,三极管损耗大;最后是驱动能力,MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。 三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。 但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。 三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。 场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。这里对于场效应管的选择来说,我们可以认为一般分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。以上就是三极管开关电路和MOS管开关电路的区别,希望能给大家帮助。

    时间:2020-05-01 关键词: mos管 三极管 开关电路

  • 功率MOSFET的参数选择方法,你知道吗?

    功率MOSFET的参数选择方法,你知道吗?

    什么是功率MOSFET?它的参数如何选择?使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用。 功率 MOSFET 的分类及优缺点 和小功率 MOSFET 类似,功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势,但实际上大部分功率 MOSFET 都是增强型的。(可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧,看来理论总是跟实际有差距的,哈哈) MOSFET 是电压控制型器件,三极管是电流控制型器件,这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的:优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等;缺点—难以制成高电压、大电流型器件,这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。 言归正传,下面来看看具体如何选型—功率 MOSFET 的选型 1 我的应用该选择哪种类型的 MOSFET? 前面说了,实际应用主要使用增强型功率 MOSFET,但到底该选择 N 沟道的还是 P 沟道的呢?如果你对这个问题有疑问,下面的图和注释会让你一目了然! 负载(Load)的连接方式决定了所选 MOSFET 的类型,这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时,采用 P 沟道 MOSFET;当负载连接电源电压时,选择 N 沟道 MOSFET。 2 确定额定电压与额定电流 选好 MOSFET 的类型后,接下来要做的是确定在你的设计中,漏极和源级间可能承受的最大电压,即最大 VDS 。MOSFET 能承受的最大电压会随温度变化,这是我们工程师在设计时必须考虑到的,必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。 接下来,说点实际的: MOSFET 在关断瞬间,会承受到最大的电压冲击,这个最大电压跟负载有很大关系:如果是阻性负载,那就是来自 VCC 端的电压,但还需要考虑电源本身的质量,如果电源质量不佳,需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载,那承受的电压会大不少,因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律),其方向与 VCC 方向相同(楞次定律),承受的最大电压为 VCC 与感生电动势之和;如果是变压器负载的话,在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。以上就是功率MOSFET的解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-05-01 关键词: 负载 MOSFET 三极管

  • 你不得不了解的MOS 管驱动电路

    你不得不了解的MOS 管驱动电路

    你知道什么是MOS 管驱动电路吗?它有什么作用?现在的 MOS 驱动,有几个特别的需求 1、低压应用 当使用 5V 电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的 be 有 0.7V 左右的压降,导致实际最终加在 gate 上的电压只有 4.3V。这时候,我们选用标称 gate 电压 4.5V 的 MOS 管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用 3V 或者其他低压电源的场合。 2、宽电压应用 输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致 PWM 电路提供给 MOS 管的驱动电压是不稳定的。为了让 MOS 管在高 gate 电压下安全,很多 MOS 管内置了稳压管强行限制 gate 电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。 同时,如果简单的用电阻分压的原理降低 gate 电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS 管工作良好,而输入电压降低的时候 gate 电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。 3、双电压应用 在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的 5V 或者 3.3V 数字电压,而功率部分使用 12V 甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。 这就提出一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效的控制高压侧的 MOS 管,同时高压侧的 MOS 管也同样会面对 1 和 2 中提到的问题。 在这三种情况下,图腾柱结构无法满足输出要求,而很多现成的 MOS 驱动 IC,似乎也没有包含 gate 电压限制的结构。 MOS 驱动有如下的特性: 1、用低端电压和 PWM 驱动高端 MOS 管。 2、用小幅度的 PWM 信号驱动高 gate 电压需求的 MOS 管。 3、gate 电压的峰值限制 4、输入和输出的电流限制 5、通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。 6、PWM 信号反相。NMOS 并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决。以上就是MOS 管驱动电路的解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-05-01 关键词: pwm 三极管 mos

  • MOSFET和三极管的区别在哪?你知道吗?

    MOSFET和三极管的区别在哪?你知道吗?

    你知道MOSFET和三极管的区别吗?MOSFET是一种在模拟电路和数字电路中都应用的非常广泛的一种场效晶体管。三极管也成为双极型晶体管,他能够控制电流的的流动,将较小的信号放大成为幅值较高的电信号。MOSFET和三极管都有ON状态,那么在处于ON状态时,这两者有什么区别呢? MOSFET和三极管,在ON状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。 MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区),与三极管相似,电流Ids由Vgs和Vds决定,但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变,因而Ids可仅受Vds影响,即在Vgs固定的情况下,导通阻抗Rds基本保持不变,所以MOS管采用Rds方式。电流可以双向流过MOSFET的D和S,正是MOSFET这个突出的优点,让同步整流中没有DCM的概念,能量可以从输入传递到输出,也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。 第一点、MOS的D和S既然可以互换,那为什么又定义DS呢? 对于IC内部的MOS管,制造时肯定是完全对称的,定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便。 第二点、既然定义D和S,它们到底有何区别呢? 对于功率MOS,有时候会因为特殊的应用,比如耐压或者别的目的,在NMOS的D端做一个轻掺杂区耐压,此时D,S会有不同。 第三点、D和S互换之后,MOS表现出来的特性,跟原来有何不同呢?比如Vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压Vds。 DS互换后,当Vgs=0时,只要Vds>0.7V管子也可以导通,而换之前不能。当Vgs>Vth时,反型层沟道已形成,互换后两者特性相同。 D和S的确定 我们只是说电流可以从D--to--S ,也可以从S----to---D。但是并不意味着:D和S 这两个端子的名字可以互换。 DS沟道的宽度是靠GS电压控制的。当G固定了,谁是S就唯一确定了。 如果将上面确定为S端的,认为是D。 将原来是D的认为是S ,并且给G和这个S施加电压,结果沟道并不变化,仍然是关闭的。当Vgs没有到达Vth之前,通过驱动电阻R对Cgs充电,这个阶段的模型就是简单的RC充电过程。 当Vgs充到Vth之后,DS导电沟道开始开启,Vd开始剧烈下降。按照I=C*dV/dt,寄生电容Cgd有电流流过 方向:G-->D。按照G接点KCL Igd电流将分流IR,大部分驱动电流转向Igd,留下小部分继续流到Cgs。因此,Vgs出现较平坦变化的一小段。这就是miler平台。 本篇文章主要介绍了在ON状态下,MOSFET和三极管的区别。并对其中的一些细节进行了深入的分析和讲解。希望大家在阅读过本篇文章之后能对着两种晶体管在ON状态下的区别的有所了解。以上就是MOSFET和三极管的区别,希望能给大家帮助。

    时间:2020-04-30 关键词: MOSFET 晶体 三极管

  • 三极管的倒置状态的来由

    三极管的倒置状态的来由

    学过电流的人都知道三极管,那么它有时候也会倒置,三极管的倒置状态是怎么形成的,又是怎么一回事?想了解相关知识的赶紧往下看! 1、什么是三极管的倒置状态? 集电结正偏,发射结反偏,为倒置状态;集电结正偏,发射结正偏,为饱和状态;集电结反偏,发射结反偏,为倒截止态;集电结反偏,发射结正偏,为放大状态; 2、对三极管倒置状态的分析 实际上,当NPN型三极管的三个电极电位关系为UE>UB>UC 时,三极管内两个PN结的状态为be结反偏,bc结正偏。这时三极管工作在“倒置”状态。倒置状态的三极管其工作原理与放大状态相似,bc结正偏时,集电区发射电子,一部分自由电子在基区和空穴复合形成基极电流,另一部分电子被反偏的发射结“收集”形成发射极电流。倒置时由于三极管集电区掺杂浓度不高,发射的电子少,同时由于发射区面积小,最终收集的电子也少,形成的电流很小,因此三极管没有放大能力。倒置状态的三极管β是小于1的。当增大“倒置”三极管的基极电流时,倒置的三极管也可以进入饱和状态,但这时基极电流较大,同时管子的导通压降比正接时要小得多。 3、对三极管倒置放大的理解 ①三极管工作于倒置状态时相当于把发射极与集电极对调使用(即集电极当作发射极使用,发射极当作集电极使用),倒置时的三极管同样具有三种工作状态。但是等效集电极电流(IE)与基极电流的比值即β要比正接时小得多,所以要使倒置的三极管进入饱和区,所需的基极驱动电流要比正接时大得多,但是倒置时的管压降要比正接时的小。 4、三极管倒置状态的应用 ①TTL 数字集成电路中作为信号输入用的多发射极三极管, 当输入为高电平1 时,就是一个倒置使用的三极管。三极管在倒置使用时,它的两个PN 结的偏置情况与工作在放大状态时是相反的:发射结反向偏置,集电结正向偏置。因此,集电结可能烧毁,而发射结可能击穿。但是,由于工作于倒置状态的三极管的电压放大倍数β通常很小, 如平面三极管倒置使用时的β值约为0.1~0.5,因此一般不会出现烧坏的情况。目前已经很少使用三极管作倒置状态。 ②在使用万用表检测判断三极管的三个电极时,可以通过“三颠倒”方法找到基极和并判断三极管的管型,而集电极和发射极的判断就需使用三极管的倒置状态。以NPN型三极管为例,万用表选择欧姆档的R×100 或R×1K量程,按照图1所示,用手指捏住三极管的基极和未知电极,将万用表黑表笔接未知电极Y,红表笔接X极,观察表针偏转角度。再按照图2所示连接,观察表针偏转角度。 比较两次指针偏转角度,偏转大的那一次黑表笔接的是集电极。这种判断方法的两种接线方式对应了三极管的两种状态:放大状态和倒置状态。其中指针偏转小的那次,黑表笔(万用表内直流电源正极)接三极管的发射极。此时,三极管三个电极的电位关系为UE>UB>UC ,三极管工作在倒置状态,万用表表针偏转所通过的电流为发射极电流,因为这个电流较小,所以指针偏转较小。另一种接线方式对应为三极管的放大状态,通过指针的电流为集电极电流这个电流较大,对应万用表的指针偏转也较大。以上就是三极管倒置的一些可能的原因,相信能给大家一些帮助。

    时间:2020-03-17 关键词: 电路 三极管 倒置状态

  • 详解三极管

    详解三极管

    三极管在我们日常生活中几乎随处可见,它是电路当中一个基本元器件,关于它你了解多少呢?本文主要是关于三极管的介绍,详细描述了关于三极管的型号介绍,并探讨了三极管的选型问题。 "晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件",在电子元件家族中,三极管属于半导体主动元件中的分立元件。 三极管 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。 什么是三极管  (也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能是 如图所示的几种器件。 可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。 电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨地说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇! 放大原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。 三极管封装及管脚排列方式 关于封装: 三极管设计额定功率越大,其体积就越大,又由于封装技术的不断更新发展,所以三极管有多种多样的封装形式。 当前,塑料封装是三极管的主流封装形式,其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。 关于管脚排列: 不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的,一般地,有以上规律: 规律一:对中大功率三极管,集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连,多处于基极和发射极之间; 规律二:对贴片三极管,面向标识时,左为基极,右为发射极,集电极在另一边; 三极管型的选择 应根据电路的实际需要选择三极管的类型,即三极管在电路中的作用应与所选三极管的功能相吻合。 三极管的种类很多,分类的方法也不同,一般按半导体导电特性分为NPN型与PNP型两大类;按其在电路中的作用分为放大管和开关管等。各种三极管在电路中的作用如下: 低频小功率三极管一般工作在小信号状态,主要用于各种电子设备的低频放大,输出功率小于1W的功率放大器; 高频小功率三极管主要应用于工作频率大于3MHZ、功率小于1W的高频率振荡及放大电路; 低频大功率三极管主要用于特征频率Fr在3MHz以下、功率大于1W的低频功率放大电路中,也可用于大电流输出稳压电源中做调整管,有时在低速大功率开关电路中也用到它; 高频大功率三极管主要应用于特征频率Fr大于3MHz、功率小于1W的高频振荡及放大电路; 低频大功率三极管主要用于特征频率Fr在3MHz以下、功率大于1W的低频功率放大电路中,也可用于大电流输出稳压电源中做调整管,有时在低速大功率开关电路中也用到它; 高频大功率三极管主要应用于特征频率Fr大于3MHz、功率大于1W的电路中,可作功率驱动、放大,也可用于低频功率放大或开关稳压电路。 选用三极管需要了解三极管的主要参数, 主要了解三极管的四个极限参数:Icm, BVCEO, Pcm及fT即可满足95%以上的使用需要: • Icm是集电极最大允许电流,三极管工作时,当它的集电极电流超过一定数值时,他的电流放大系数β将下降。为此规定三级电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为Icm。所以在使用中当集电极电流Ic超过Icm时不至于损坏三级管,但会使β值减小,影响电路的工作性能; • BVCEO是三级管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加载集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电电流,这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降; • Pcm是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作是,集电极电流集电在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大,三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于Pcm下长时间工作,将会损坏三极管。需要注意的是大功率的三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。 • 特征频率fT。随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。 部分三极管型号 名 称 封装 极性 功 能 耐 压 电 流 功 率 频 率 配对管 D633 28 NPN 音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放 开关 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放开关 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放 开关 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W   3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ

    时间:2019-12-09 关键词: 三极管 三极管型号 三极管选型

  • 三极管测量进阶篇,三极管测量之数字万用表使用技巧

    三极管测量进阶篇,三极管测量之数字万用表使用技巧

    三极管测量并非无章法可循,随着对三极管测量技术的应用和研究,大家均可总结出一些三极管测量经验抑或技巧。为帮助大家更快掌握三极管测量方法,本文将对使用数字万用表进行三极管测量的技巧加以总结,并传授大家采用万用表判别三极管好坏的方法,以缩短大家熟练掌握三极管测量的时间。 一、数字万用表测量三极管的技巧 (1)用数字万用表的二极管档位测量三极管的类型和基极b 判断时可将三极管看成是一个背靠背的PN结。按照判断二极管的方法,可以判断出其中一极为公共正极或公共负极,此极即为基极b。对NPN型管,基极是公共正极;对PNP型管则是公共负极。因此,判断出基极是公共正极还是公共负极,即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。 (2)发射极e和集电极c的判断 利用万用表测量β(HFE)值的档位,判断发射极e和集电极c。将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中,把其于管脚分别插入c、e孔观察数据,再将c、e孔中的管脚对调再看数据,数值大的说明管脚插对了。 (3)判别三极管的好坏 测试时用数字万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结、集电结的正、反偏是否正常,正常的三极管是好的,否则三极管已损坏。如果在测量中找不到公共b极、该三极管也为坏管子。 (1)检查三极管的两个PN结。我们以PNP管为例来说明,一只PNP型的三极管的结构相当于两只二极管,负极靠负极接在一起。我们首先用万用表R×100或R×1K挡测一下e与b之间和e与c之间的正反向电阻。当红表笔接b 时,用黑表笔分别接e和c应出现两次阻值小的情况。然后把接b 的红表笔换成黑表笔,再用红表笔分别接e和c,将出现两次阻值大的情况。被测三极管符合上述情况,说明这只三极管是好的。 (2)检查三极管的穿透电流:我们把三极管c、e之间的反向电阻叫测穿透电流。用万用表红表笔接PNP三极管的集电极 c , 黑表笔接发射极 e,看表的指示数值,这个阻值一般应大于几千欧,越大越好越小说明这只三极管稳定性越差。 (3)测量三极管的放大性能:分别用表笔接三极管的c和e看一下万用表的指示数值,然后再c与b间连接一只50--100K的电阻看指针向右摆动的多少,摆动越大说明这只管子的放大倍数越高。外接电阻也可以用人体电阻代替,即用手捏住b和c。 二、万用表检测三极管好坏时的两种测量方法 用万用表检测三极管好坏时,可采用在路测量和非在路测量的方法进行。 (1)在路测量 将数字型万用表置于二极管挡,在测量NPN型三极管时,红表笔接三极管的b极,黑表笔分别接c极和e极,所测的正向电阻在显示屏上显示在0.665左右。用黑表笔接b 极,红表笔接c极时,阻值为无穷大(显示1),而be结的反向电阻在显示屏上显示为1.974;而 c、e极间的正向电阻在显示屏上显示为1.209,反向电阻的阻值为无穷大(显示1)。若测得的数 值偏离较大,则说明该三极管已坏或电路中有小阻值元件与它并联,需要将该三极管从电路板上取下或引脚悬空后再测量,以免误判。 (数字型万用表在路判别三极管好坏图) 注意:PNP型三极管的测量跟NPN型三极管正好相反,黑表笔接在b极,红表笔接在c和e极上。 如下图(指针型万用表在路判别三极管好坏图),将指针型万用表置丁‘R*1挡,在测量NPN型三极管时,黑表笔接三极 管的b极,红表笔分别接c极和e极,所测的正向电阻都应在20Ω以内;用红表笔接b极,黑表笔接c极和e极,无论表笔怎样连接,反向电阻都应该是无穷大。而c、e间的正向电阻 的阻值应大于200Q,反向电阻的阻值为无穷大。否则,说明三极管已经坏了。 (指针型万用表在路判别三极管好坏图) PNP型三极管的测量跟NPN型三极管正好相反,红表笔接在b极,黑表笔分别接e极和e极。 (2)非在路测量 采用数字型万用表在非在路测量NPN型三极管时,其方法和在路测量的方法一样,但反向阻值必须是无穷大。下面以常见的NPN型三极管2SC1815为例进行介绍。 如图(用指针式万用表非在路判别三极管好坏图),采用指针型万用表判别2SC1815好坏时,首先将万用表置于R*1K档, 黑表笔接b极、红表笔接另两个引脚时阻值应为15KΩ以内。调换表笔,并且将万爪表置于R*xlOK档,红表笔接b极,黑表笔接c、e极,阻值应大于500KΩ, c、e极间正向电阻的阻值 大于500KΩ,而反向电阻的阻值应为无穷大,否则说明该三极管已损坏。 (用指针式万用表非在路判别三极管好坏图) 以上便是小编此次为大家带来的“三极管测量”相关内容,希望大家喜欢。

    时间:2019-11-07 关键词: 万用表 三极管 三极管测量

  • 秒懂三极管测量(十二),形形色色的三极管测量方法

    秒懂三极管测量(十二),形形色色的三极管测量方法

    三极管测量是很多朋友google的关键词之一,该现象表明三极管测量在现实生活中具备很强的应用能力。对于三极管测量,虽然方法众多,但每种三极管测量方法较好掌握。本文中,将为大家带来四大类三极管测量方法,以帮助大家在三极管测量方面更进一步。   一、大功率晶体三极管的测量 利用万用表测量中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法,对测量大功率三极管来说基本上适用。但是,由于大功率三极管的工作电流比较大,因而其PN结的面积也较大。PN结较大,其反向饱和电流也必然增大。所以,若像测量中、小功率三极管极间电阻那样,使用万用表的R×1k挡测量,必然测得的电阻值很小,好像极间短路一样,所以通常使用R×10或R×1挡测量大功率三极管。   二、普通达林顿管的测量 用万用表对普通达林顿管的测量包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的E-B极之间包含多个发射结,所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10k挡进行测量。   三、大功率达林顿管的测量 测量大功率达林顿管的方法与测量普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件,所以在测量量应将这些元件对测量数据的影响加以区分,以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行: 1、用万用表R×10k挡测量B、C之间PN结电阻值,应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。 2、在大功率达林顿管B-E之间有两个PN结,并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡测量时,当正向测量时,测到的阻值是B-E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果;当反向测量时,发射结截止,测出的则是(R1+R2)电阻之和,大约为几百欧,且阻值固定,不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是,有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管,此时所测得的则不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。   四、带阻尼行输出三极管的测量 将万用表置于R×1挡,通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值,即可判断其是否正常。具体测试原理,方法及步骤如下: 1、将红表笔接E,黑表笔接B,此时相当于测量大功率管B-E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值,由于等效二极管的正向电阻较小,而保护电阻R的阻值一般也仅有20 ~50 ,所以,二者并联后的阻值也较小;反之,将表笔对调,即红表笔接B,黑表笔接E,则测得的是大功率管B-E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值,由于等效二极管反向电阻值较大,所以,此时测得的阻值即是保护电阻R的值,此值仍然较小。 2、将红表笔接C,黑表笔接B,此时相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的正向电阻,一般测得的阻值也较小;将红、黑表笔对调,即将红表笔接B,黑表笔接C,则相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的反向电阻,测得的阻值通常为无穷大。 3、将红表笔接E,黑表笔接C,相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻,测得的阻值一般都较大,约300 ~∞;将红、黑表笔对调,即红表笔接C,黑表笔接E,则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻,测得的阻值一般都较小,约几欧至几十欧。   五、集成电路的测量常识 测量前要了解集成电路及其相关电路的工作原理。 检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要电气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。如果具备以上条件,那么分析和检查会容易许多。测试不要造成引脚间短路。 以上便是小编此次带来的“三极管测量”所有相关内容,十分感谢大家的认真阅读。

    时间:2019-10-14 关键词: 三极管 三极管测量 普通达林顿管

  • 秒懂三极管测量(十一),中小功率三极管测量

    秒懂三极管测量(十一),中小功率三极管测量

    三极管测量方法包罗万象,对于不同的三极管,往往采用最适宜的三极管测量方法,但这并不意味着无法完全掌握三极管测量方法。对于三极管测量而言,通常单种三极管测量方法可解决某类三极管问题。而本文中,将为大家带来中小功率三极管测量方法,一起来看看吧。 一、已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏 (a) 测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b) 三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下: 万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于PNP管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管子的性能不稳定。 (c) 测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。 另外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值,其颜色和β值的对应关系如表所示,但要注意,各厂家所用色标并不一定完全相同。   二、测量判别电极 (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管。 (b) 判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1k挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。   三、判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz,而低频管的截止频率则小于3MHz,一般情况下,二者是不能互换的。   四、在路电压测量判断法 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在测量时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测三极管各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断其好坏。 以上便是小编此次带来的“三极管测量”所有相关内容,希望大家对本文内容感到满意。最后,十分感谢大家的阅读。

    时间:2019-10-14 关键词: 三极管 三极管测量 中小功率

  • 秒懂三极管测量(十),三极管测量之管脚判别口诀

    秒懂三极管测量(十),三极管测量之管脚判别口诀

    谈论三极管测量问题,小编总会乐此不疲。对于三极管测量,包含很多知识、内容,但每掌握一项与三极管测量相关技能,可使人充满成就感。本文中,将为大家讲解三极管测量管脚识别问题,并为大家带来相关口诀,以帮助大家更好理解三极管测量。 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功, 为了帮助读者迅 速掌握测判方法,小编总结出四句口诀: “三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺 箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。   一、三颠倒,找基极 大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方 式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,测试三极管要 使用万用电表的欧姆挡,并选择R× 100或R× 1k挡位。假定我们并不知道被测三极管是NPN 型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。   二、PN结,定管型 找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。   三、顺箭头,偏转大 找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们 可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 (1)对于NPN 型 根据穿透电流的测量电路原理, 用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce 和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→ c极→ b极→ e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 (2)对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN 型,其电流流向一定是: 黑表笔→ e 极→ b 极→ c 极→ 红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e, 红表笔所接的一定是集电极c。   四、测不出,动嘴巴 若在“顺箭头,偏转大”的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转 均太小难以区分时,就要“动嘴巴”了。具体方法是: 在“顺箭头,偏转大”的两次 测量中,用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住) 基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。 其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果更加明显。 以上便是小编此次带来的“三极管测量”相关内容,通过本文,希望大家可熟练掌握判别三极管管脚的4句口诀,并理解其内容。最后,十分感谢大家的阅读。

    时间:2019-10-14 关键词: 三极管 三极管测量 判别口诀

  • 关于恒流电路在电源模块中的作用解析

    关于恒流电路在电源模块中的作用解析

    在科技高速发展的当下,产品快速开发已成常态化。嵌入式系统的强大的处理能力,对电源模块的要求越来越高,对输入电压范围也越来越宽。宽电压输入就会导致供电电流随输入电压变化而变化,为了全电压输入范围的情况下,保证电源模块启动能力的一致性,增加一个恒流电路给控制芯片供电。 一、理想的恒流源 理想的恒流源是电流不随输入电压的变化而变化,不受环境温度的影响,内阻无穷大。但是,实际中的恒流电路跟理想的还是存在差距,所以要根据实际应用选取合适的恒流源电路。 二、几种简单的恒流源介绍 由两个三极管组成的恒流源电路,如电路图1。 图1 由两个同型号的三极管,根据三极管Vbe电压相对稳定,以及三极管的基极电流相对集电极电流较小的特点,组成一个电流相对恒定的恒流源,电流Io=Vbe/R1;这个恒流源没有用到特殊器件,两个三极管和两个电阻组成,成本低,电流Io可调;缺点是Vbe的大小会随电流及温度的变化而变化,电流大Vbe大,温度低Vbe大,所以不适合用在精度要求高的地方。 由稳压管组成的恒流源电路,如电路图2。 图2 此恒流电路主要是运用了稳压二极管上的电压较稳定特性,以及三极管Vbe的稳定性,组成的恒流电路,Io=(Vd-Vbe)/R3;此电路优点是成本低,电流可调,缺点是温度特性差,稳流精度不高,适用于对精度要求不高的场合。 由三端稳压器组成的恒流源,如电路图3。 图3 三端稳压器提供一个恒定电压Vout,组成一个恒流源,Io=Vout/R1。 以上都是一些比较常见的简单的恒流源,而且有一个共性,稳压精度都不高,电流Io也不大。除了以上列举的几个,还有其他类似的恒流源,但万变不离其宗,都是以一个恒压源为基准组成,在此就不一一列举。 在应用过程中,如果需要高精度、大电流的恒流源,可以使用一个运放,组成一个高精度、大电流的恒流源,如电路图4。 图4 使用运放组成的恒流源,Io=Vref/R1。

    时间:2019-10-11 关键词: 恒流 三极管 电源其他电源电路

  • 秒懂三极管测量(九),吃透开关三极管测量教程

    秒懂三极管测量(九),吃透开关三极管测量教程

    三极管测量技能​具备很强的现实意义与应用,但完全掌握三极管测量知识并非能一朝促成,其原因在于三极管测量内容较广。而在本文中,将为大家介绍开关三极管测量的相关内容,希望本文对大家的学习有所帮助。 一、开关三极管工作原理 截止状态 当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,即为三极管的截止状态。开关三极管处于截止状态的特征是发雕,集电结均处于反向偏置。 导通状态 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并且当基极的电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的増大而増大,而是处于某一定值附近不再怎么变化,此时三极管失去电流放大作用,集电极和发射级之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态,即为三极管的导通状态。开关三极管处于饱和导通状态的特征是发射结,集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的三极管的特征是发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。这也是可以使用电压表测试发射结,集电结的电压值判定三极管工作状况的原理。开关三极管正是基于三极管的开关特性工作的。 工作模式 三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是表示电流的方向。 双极面结型晶体管两个类型:NPN和PNP。 NPN类型包含两个n型区殿口一个分隔它们的p型区域;PNP类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域。   二、开关三极管如何测量好坏 下面我们就来测试三极管的好坏,万用表在1K电阻档,假定三极管其中一个脚为b极,b极在测量中的特点就是:要么和另外两个脚都会导通,要不就全不导通,这样很容易我们就能找到基极b了,如果不能满足以上结果,换脚再试,三个脚都假定为b极试过,没有一次满足要不和另外两脚全导通要不全不通的,该管子坏了,假定某次发现红表笔接假定的b极时,另外两个脚分别接黑表笔都导通有读数,那证明该三极管为PNP管子,此时换红表笔接b将不会导通有读数,否则也是击穿(某些带保护二极管的管子除外,比如行管);如果黑表笔接b极,红表笔接另外两个脚都导通有读数,那就是NPN硅管,粗略判断出三极管的b 极后,利用手指捏住b和假定的c两极,然后黑表笔接c,红表笔接e,这个是利用手指充当一个电阻给基极注入电流,然后ce结就会有放大的电流产生,记下这个电流,然后表笔互换再测,比较两次电流的大小,大的一次就是正确的电极连接方法,对于PNP管子此时黑表笔接的就是发射机e,红表笔为集电极c,对于NPN管子刚好相反。 判断出三个脚后就可以用万用表的测试放大倍数的功能能粗略测试三极管的放大倍数了。 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代桂,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的。 如果购置了一款开关三极管,它的质量方面没有什么清楚的了解,那么不妨参考上文学习开关三极管测量好坏的方法和步骤,除此之外,如果一起要尽可能发挥最大化的价值,还应该了解它的工作原理,包括开关三极管为什么能够起到控制的效果以及在后期的操作过程中有什么值得注意的事项等等,这些都有利于我们的使用。而且合格的开关三极管应该是使用寿命长,安全有所保障的配件,大家可以参考这个标准进行产品的选购。 以上便是小编带来的所有相关内容,希望大家喜欢。

    时间:2019-09-09 关键词: 三极管 开关三极管 三极管测量

  • 秒懂三极管测量(八),三极管测量方法最详讲解

    秒懂三极管测量(八),三极管测量方法最详讲解

    三极管测量在现实中有诸多用处,因为三极管测量技能受到众多朋友的关注。对于三极管测量,小编作为大佬之一,自然会将自己的三极管测量经验分享给大家。本文中,将对三极管测量做出详细讲解,大家准备好笔和纸哟!​ 首先将万用表打到测试二极管端,用万用表的红表笔接触三极管的其中一个管脚,而用万用表另外的那支表笔去测试其余的管脚,直到测试出如下结果: 1、如果三极管的黑表笔接其中一个管脚,而用红表笔测其它两个管脚都导通有电压显示,那么此三极管为PNP三极管,且黑表笔所接的脚为三极管的基极B,用上述方法测试时其中万用表的红表笔接其中一个脚的电压稍高,那么此脚为三极管的发射极E,剩下的电压偏低的那个管脚为集电极C。 2、如果三极管的红表笔接其中一个管脚,而用黑表笔测其它两个管脚都导通有电压显示,那么此三极管为NPN三极管,且红表笔所接的脚为三极管的基极B,用上述方法测试时其中万用表的黑表笔接其中一个脚的电压稍高,那么此脚为三极管的发射极E,剩下的电压偏低的那个管脚为集电极C。 另一种方法是使用 hFE 挡来进行判断。在确定了三极管的基极和管型后,将三极管的基极按照基极的位置和管型插入到卢值测量孔中,其他两个引脚插入到余下的三个测量孔中的任意两个,观察显示屏上数据的大小,找出三极管的集电极和发射极,交换位置后再测量一下,观察显示屏数值的大小,反复测量四次,对比观察。以所测的数值最大的一次为准,就是三极管的电流放大系数卢,相对应插孔的电极即是三极管的集电极和发射极。 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。   一、三颠倒,找基极 大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图1是它们的电路符号和等效电路。 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R&TImes;100或R&TImes;1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。   二、 PN结,定管型 找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。   三、顺箭头,偏转大 找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。   四、测不出,动嘴巴 若在“顺箭头,偏转大”的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时,就要“动嘴巴”了。具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果更加明显。 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了,它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时,它不如指针式的万用表,如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验,我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确,如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管,假设不知它是PNP管还是NPN管。 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极(B极)。 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点,NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极。对于PNP管,当黑表笔(连表内电池负极)在基极上,红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8),如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1)。对于NPN表来说则是红表笔(连表内电池正极)连在基极上。 找到基极和知道是什么类型的管子后,就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌,可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三?彻?hFE档(hFE 测量三极管直流放大倍数)去测就方便多了,当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上,B极对上面的B字母。读数,再把它的另二脚反转,再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母,这时就对着字母去认BC337的C,E极。学会了,其它的三极管也就一样这样做了,方便快速。 以上便是小编带来的全部内容,希望大家喜欢。

    时间:2019-09-09 关键词: 测量 三极管 三极管测量

  • 秒懂三极管测量(七),三极管测量之放大倍数测量+好坏测量

    秒懂三极管测量(七),三极管测量之放大倍数测量+好坏测量

    三极管测量为当前的热门主题之一,学好三极管测量需具备一定的耐心与韧力。小编作为精通三极管测量人员之一,将在本文中为大家讲解三极管测量知识之测量三极管放大倍数以及三极管好坏测量。下面,便跟着小编一起来了解下吧。   一、认识三极管 三极管又称晶体三极管、半导体三极管、双极型晶体管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。 简单的说,三极管是一个电流放大器件,即输入很小的电流便可以放大输出很大的电流,当然这个大电流不是三极管产生的,是电源提供的,三极管起到了一个放大转换的作用。三极管有三个电极,基极、发射极、集电极,通常情况下三个电极都可以作用公共端,从而组成共基极、共射极、共集电极三种不同的电路,其中共射极电路使用做多,因为它不仅输出电流大,输出电压也大;而共基极则输入输出电流相等,只有输出电压大,共集电极则是输出和输入电压相等,输出电流大,恰好与共基极相反。 三极管应用的地方就很多了,从小功率方面说很多小功率的扬声器就是它来驱动的,以及LED指示的驱动,从大功率方面说功放电路中音频放大电路就是由大功率三极管来完成的。   二、万用表测量三极管好坏 这里以常用的NPN型硅三极管为例(锗三极管现在几乎不再使用了),进行三极管测量时,将数字万用表调至二极管挡,用万用表的红表笔接触三极管的b极,然后,用黑表笔分别接触三极管的e极和c极,此时万用表显示的读数是PN结的正向压降,其值一般都在“.500-.700”之间,然后用黑表笔接触三极管的b极,红表笔发表接触三极管的e极和c极,此时万用表显示的读数为PN结的反向压降,其显示读数皆为“1”,这样就可以基本认为该三极管是好的。 测量时,若出现某个结的读数为“.000”或正反向压降皆为“1”,那么该管的这个结已损坏,这个管子就不能用了。 对于一个好的三极管,用万用表的二极管挡测量其c-e极之间的压降,不论正向压降还是反向压降,万用表的读数皆应显示为“1”,若读数显示为“.000”,则该管已被击穿,是坏的,不能使用。若显示有一定的数值,则说明该管的穿透电流Iceo较大,虽然能用,但工作稳定性较差,不建议使用。   三、三极管放大倍数误差 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 三极管的放大倍数和你的电路组态有关,它的β值一般在100以上。误差和三极管9013的参数,外围元件的参数误差有关,很复杂,这里讲不清楚。受温度的影响和电路的形式有关,分压式放大电路,再加温度补偿元件可以减小温度对电路的影响。   四、三极管的应用 三极管主要应用于以下几大电路中: 用在放大电路,作电压或电流放大。 用在振荡电路中,调制、解调或自激振荡。 用在开关电路中,作闸流、限流或开关管。 1、放大电路 放大电路亦称为放大器,它是使用最为广泛的电子电路之一、也是构成其他电子电路的基础单元电路。所谓放大,就是将输入的微弱信号(简称信号,指变化的电压、电流等)放大到所需要的幅度值且与原输入信号变化规律一致的信号,即进行不失真的放大。 只有在不失真的情况下放大才有意义。放大电路的本质是能量的控制和转换,根据输入回路和输出回路的公共端不同,放大电路有三种基本形式:共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路实际的放大电路通常是由信号源、晶体三极管构成的放大器及负载组成。 2、振荡电路 能产生振荡电流的电路就叫做振荡电路,振荡电流是一种大小和方向都随周期发生变化的电流。其中最简单的振荡电路叫LC回路。振荡电路物理模型(即理想振荡电路)的满足条件 ①整个电路的电阻R=0(包括线圈、导线),从能量角度看没有其它形式的能向内能转化,即热损耗为零。 ②电感线圈L集中了全部电路的电感,电容器C集中了全部电路的电容,无潜布电容存在。 ③LC振荡电路在发生电磁振荡时不向外界空间辐射电磁波,是严格意义上的闭合电路,LC电路内部只发生线圈磁场能与电容器电场能之间的相互转化,即便是电容器内产生的变化电场,线圈内产生的变化磁场也没有按麦克斯韦的电磁场理论激发相应的磁场和电场,向周围空间辐射电磁波。 以上便是小编带来的全部内容,希望大家喜欢。

    时间:2019-09-09 关键词: 三极管 三极管测量 放大倍数

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