场效应管和可控硅有什么区别？场效应管与三极管有什么区别

一直以来，场效应管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来场效应管的相关介绍，详细内容请看下文。

一、场效应管和可控硅有什么区别

1. 工作原理

场效应管（FET）是一种三极管，可以通过改变栅极电压调节源极和漏极之间的电阻。场效应管的原理是利用电场控制载流子浓度，其主要特点是输入电阻大，高频特性好。场效应管可以分为N沟道和P沟道两种结构。可控硅（SCR）是一种双极性晶体管，也称为晶闸管。它可以在不加门极控制信号的情况下，通过触发电流来控制其导电或断电。可控硅的原理是利用PN结反向击穿时的正反馈作用，使电极之间的导通状态可控。

2. 结构与性能

场效应管的结构一般由源极、漏极和栅极组成。在场效应管中，电路信号通过栅极输入到管子内，控制电子在栅极区域的跨导。场效应管的优点是输入电阻大，高频特性好，但是其缺点是输出功率小。可控硅的结构一般由阳极、阴极和门极组成。可控硅主要用于交流电路，其深度能够承受很高的电压和电流，但其缺点是仅能在单向电路中使用。

3. 应用场合

场效应管可以应用于低频、高增益的放大器和开关电路，例如音频放大器、变频器、振荡器、调制电路等。场效应管的应用之一是在放大器电路中应用，其大的输出电阻非常适合用作对输入电信号的扰动极度不敏感的缓冲级。可控硅可以应用于交流电路，例如电源调整、电动机控制等。可控硅的应用之一是在交流电路的电源开关或控制器件中，例如控制电机的启动、停止，亮度调节等。

二、场效应管与三极管有什么区别

1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。

3.场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。

4.场效应管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

5.场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。

6.场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。

7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。

8.三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。

以上所有内容便是小编此次为大家带来的有关场效应管的所有介绍，如果你想了解更多有关它的内容，不妨在我们网站进行探索哦。