自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)是一种接近“万能存储器”的新型存储器解决方案,极具应用潜力。它既具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,又具有闪存级别的容量,和类似Flash的数据断电不丢失存储特性。STT-MRAM由于其数据以磁状态存储,具有天然的抗辐照、高可靠性以及几乎无限次的读写次数,已被一些国家列为最具应用前景的下一代存储器之一。
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