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英飞凌推出采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，将工业应用功率密度提升至新高度
【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电机、光伏逆变器、不间断电源、电机驱动和固态断路器等。
