在新能源发电、电动汽车充电等高频电力电子应用中,全桥逆变器作为核心功率转换单元,其开关管(MOSFET/IGBT)的VDS(漏源极电压)波形质量直接影响系统效率与可靠性。实测数据显示,超过40%的逆变器故障源于VDS波形畸变引发的过压击穿。本文以SiC MOSFET全桥逆变器为例,系统分析VDS波形畸变的根源,结合驱动电路设计与PCB布局优化提出解决方案,并通过10kW光伏逆变器实测验证技术有效性。
随着电子电力器件设计技术的不断发展,逆变器被广泛的应用在各种设计当中,其中串联谐振全桥逆变器被使用的频率更是频繁。本篇文正就针对串联谐振半桥变压器当中的脉冲密度
讨论了几种常用的串联谐振单相全桥逆变器的功率和频率控制方法,比较了各种方法的优缺点,同时对脉宽加频率调制的方法进行了较深入的讨论。 引言 随着可自关断电力电