Menlo Micro 的创始人在还是 GE 员工时就开始了与康宁的研发工作。该团队花了数年时间从头开始开发玻璃工艺。凭借 GE 超过 4000 万美元的支持和超过 12 年的研发，Menlo Micro 团队开发了一种技术，最终将引导他们找到当今电子开关的解决方案。他们在 GE 的经历激发了一种新的思维方式，从而产生了一种新的开关类别，能够经济高效地扩展微机械开关制造。
Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化镓 (GaN) 功率器件供应商，在拉斯维加斯举行的 CES 2023 上展示了其最新产品。这些基于 GaN 的设备涵盖从 20-W 手机充电器到 2-kW 数据中心电源和 20-kW 电动汽车 (EV) 充电器到兆瓦级并网产品。
根据斯克里普斯研究所和劳伦斯伯克利国家实验室的化学家和材料科学家的一项研究，一种可以形成柔性薄膜的新型聚硫酸盐化合物具有的特性使其成为许多高性能电子元件的首选材料。 LBNL)。
得克萨斯州奥斯汀——为了更紧密地集成经常分离的设计和测试岛，美国国家仪器公司 (National Instruments Corp.) 收购了总部位于多伦多的 Electronics Workbench，后者是广受欢迎的 MultiSim 板级仿真包的供应商，两家公司将于今天宣布。 出售条款没有披露。MultiSim 拥有大约 180,000 个席位，大致分为商业印刷电路板设计师以及两年制和四年制工程学院的教授和学生。
一个快速的电脉冲完全翻转了材料的电子特性，开辟了通往超快、受大脑启发的超导电子产品的途径。 物理学家发现了一种在魔角石墨烯中开启和关闭超导性的新方法。这一发现可能会导致超快、节能的超导晶体管用于“神经形态”电子产品，其工作方式类似于人脑中神经元的快速开/关放电。这一发现可能会导致超快、高能效的超导晶体管用于神经形态设备——电子设备的设计方式类似于人脑中神经元的快速开/关放电。
传统上，电源设计人员必须使用分立晶体管和多个外部元件(例如驱动器、电平转换器、传感器、自举电路和外围设备)构建半桥电路。Navitas Semiconductor最近宣布推出业界首款 GaNSense 半桥功率 IC，采用紧凑型 6×8-mm 表面贴装 PQFN 封装。
碳化硅 (SiC) 半导体在处理高功率和导热方面比电动汽车 (EV) 系统和能源基础设施中的传统硅更有效的能力现已得到广泛认可。SiC 器件有助于更有效地将电力从电池传输到 EV 系统组件中的电机，从而将 EV 的行驶里程增加 5% 至 10%。
在过去的几十年里，碳化硅和氮化镓技术的进步以发展、行业接受度的提高和有望带来数十亿美元的收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，该行业有望超过 40 亿美元。
碳化硅 (SiC) 用于各种应用已有 100 多年的历史。然而，如今半导体材料比以往任何时候都更受欢迎，这在很大程度上是由于其在工业应用中的使用。
电力电子新技术的发展已将工业市场引向其他资源以优化能源效率。硅和锗是当今用于生产半导体的两种主要材料。损耗和开关速度方面的有限发展已将技术引向新的宽带隙资源，例如碳化硅 (SiC)。
作为一个谨慎的以模拟为中心的工程师，我一直很喜欢传统的基于热的保险丝，并且由于它们的有源元件而对电子保险丝(也写为 e-fuses 或 eFuses)有些怀疑。毕竟，在可靠性方面，简单几乎总是更好，而且没有什么比热熔断器在功能上更简单的了。我并不是要从技术上贬低它们，因为它们实际上融合了先进的材料科学和技术;它们的功能很简单。
对于许多与 EMC 有关的问题，最佳答案是“视情况而定”，因此可能并非所有情况都只有一个答案。我会尝试在答案中包含我的假设。为了清楚起见，对问题进行了编辑。
从 EPC 的角度来看，我们将通过我们的 GaN 器件推出全新一代技术。所以那将是一个令人兴奋的发布。我们显然也期待与我们在汽车行业以及最近真正起飞的太阳能行业的合作伙伴公司讨论我们在 GaN 方面的所有新技术。因此，电源解决方案的设计人员面临挑战，并且越来越多地转向所谓的宽带隙技术来克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所说，GaN技术有一个硅无法比拟的优势。这就是将功率器件与信号和数字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，为什么?
我们讨论电源管理方面的下一个挑战，例如效率、热管理和工程中重要的特性。那么最关键的是什么，你对市场有什么建议? 归根结底，实际上一切都与效率有关，不是吗?正确的?无论您是在谈论设备本身的效率，还是正在充电的设备，您提出的所有这些问题、热管理、密度，所有这些都真正下降，无法实现或无法改进更高的效率。我相信，我读过美国家庭平均拥有大约 25 台联网设备。所以这些是设备，每一个都需要充电，其中很多是每天充电，有些是永久充电。因此，仅在美国，更不用说欧洲、中国等地的数亿家庭，这就是一个巨大的负担。所以它真的需要被驱动，对吗?它需要在效率方面得到全方位的推动。
垂直结构通常被认为有利于高电压、高功率器件，因为它便于电流扩散和热管理，并允许在不增大芯片尺寸的情况下实现高电压几乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直结构此外，与GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同质外延层具有更低的位错密度，(VON)是由GaN的大能带隙引起的。先进的sbd是非常可取的，因为它们结合了肖特基样正向特性(具有低VON)和pn样反向特性(峰值电场从表面移到半导体中)。
