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  • 政府补贴超过净利润一半!这家半导体公司做了什么?

    政府补贴超过净利润一半!这家半导体公司做了什么?

    21ic消息,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”)日前发布公告称,公司自 2020 年 1 月 1 日至 2020 年 3 月 13 日,累计获得政府补助款项共计人民币 136,828,410.20 元,其中,与收益相关的政府补助为人民币 11,828.47 万元,与资产相关的政府补助为人民币 1,854.37 万元。 根据中微公司发布的2019年度业绩快报显示,公司2019年实现营收19.47亿元,同比增长18.77%;实现净利润1.89亿元,同比增长107.51%。而从2020 年 1 月 1 日至 2020 年 3 月 13 日累计获得政府补贴1.37亿元,占中微公司2019年全年净利润的73%。 据了解,中微公司是国内集成电路设备行业的领先企业,目前开发的产品以集成电路前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备为主,并已逐步开发应用于后道先进封装、MEMS、MiniLED、MicroLED等领域的泛半导体设备产品,公司设备已经应用在台积电、中芯国际、海力士、长江存储等客户产线中。据报道,2020年,中微公司成功中标长江存储9台刻蚀设备订单,并中标中芯绍兴IGBT产线2台刻蚀设备。 以下为中微半导体的公告全文: 关于获得政府补助的公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 一、获得补助的基本情况 中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”或“公司”)自2020年1月1日至2020年3月13日,累计获得政府补助款项共计人民币136,828,410.20元,其中,与收益相关的政府补助为人民币11,828.47万元,与资产相关的政府补助为人民币1,854.37万元。 二、补助的类型及对上市公司的影响 根据《企业会计准则第16号——政府补助》的有关规定,上述政府补助资金中,与收益相关的政府补助为人民币11,828.47万元,与资产相关的政府补助为人民币1,854.37万元。对于与收益相关的政府补助,若用于补偿以后期间的相关成本费用或损失的,公司将其确认为递延收益,并在确认相关成本费用或损失的期间,冲减相关成本费用;若对用于补偿已经发生的相关成本费用或损失的,公司将其直接冲减相关成本。对于与资产相关的政府补助,公司将其确认为递延收益,并在相关资产的使用寿命内按照合理、系统的方法分期计入当期损益。 上述政府补助未经审计,且转入损益的金额与相关研发项目的进度与投入相关,暂无法评估对2020年度损益的影响。具体的会计处理以及对公司2020年度损益的影响最终以会计师年度审计确认后的结果为准。敬请投资者注意投资风险。 特此公告。 中微半导体设备(上海)股份有限公司董事会 2020年3月14日

    时间:2020-03-16 关键词: 半导体 中微半导体

  • 康佳志在打造中国一流的半导体产业平台

    康佳志在打造中国一流的半导体产业平台

    近期,氮化镓概念在资本市场备受关注,部分个股曾出现连日涨停。同样都是氮化镓半导体技术,作为国内领先的电视品牌厂商,康佳开发的氮化镓技术首先应用于光电显示器件,而国内大多数公司把氮化镓用于功率器件的氮化镓晶体管和用于通信电路的氮化镓射频放大器。康佳电子工程师介绍,二者同为化合物半导体产品,一个是二极管,一个是场效应三极管,在制造工艺等方面既有相似性,也各有其特殊性。功率器件强调的是输出能力、效率、复杂环境下的抗干扰特性等;Micro LED产品最大的不同在于它是发光器件的微型化,在巨大数量的情况下,保证其特性的一致性。 “以4英寸晶圆为例,假设用来制造10um×15um的Micro LED器件,可以制造约1300万颗。4英寸晶圆面积约为一本书的面积的1/4。在这么小面积上切1300万颗芯片,且保持波长均匀性,难度极大。对制造工艺、材料要求都极为苛刻。”李宏韬说。 记者了解到,2019年9月,康佳设立重庆光电研究院,注册资本20亿元,其中康佳出资15亿元,布局半导体光电领域。重庆康佳光电技术研究院目前负责开展Micro LED产品为代表的氮化镓等化合物半导体技术与应用研发。“康佳在Micro LED芯片研发上已取得初步突破,申请了超过100项国际国内专利。其中,半导体光电器件技术已经完成显示多个规格的芯片样片研制,2020年可用于实际产品。”李宏韬说。 2019年12月底,重庆康佳光电技术研究院与深圳市联建光电有限公司共同出资设立重庆康建光电科技有限公司,推进Mini LED及Micro LED新技术在公共视讯的商用化进程。北京工业大学光电子技术教育部重点实验室邰建鹏、郭伟玲团队认为,如今Micro LED的过渡技术Mini LED技术已经相当成熟,在高端显示和车载显示有着巨大的应用潜力,在未来研究中可靠性、尺寸效应、巨量转移等技术会有突破,而Micro LED显示技术将会推动显示行业向前发展。 从2018年成立半导体事业部开始,1%的“小目标”成为康佳集团上下非常看重的突破。康佳布局半导体存储产业,1%是康佳存储芯片在2020年销售额的一个“小目标”。康佳集团总裁周彬说,这个只是绩效考核目标,而非对股东的业绩承诺。深康佳A在2月13日表示,如果其51%控股的合肥康芯威存储技术有限公司,在2020年销售1亿颗存储主控芯片的目标达成,按照目前对存储主控芯片价格的预测计算,1亿颗存储主控芯片相应的销售总金额预计约为2.5亿元,占本公司2020年销售收入的比重将不超过1%。 “我们的目标是要打造中国一流的科技创新驱动的半导体产业平台。基于这一目标,康佳半导体业务已经在存储、光电、半导体应用及服务等领域进行了快速布局。”周彬说,除了光电领域之外,康佳希望能够打通半导体存储领域的“设计+封测+渠道”全产业链。 今年1月,在拉斯维加斯举行的2020年美国消费电子展中,来自中国的各大黑色家电品牌展出多款最新电视机产品,继续推动高清显示行业向前。例如,海信的卷曲屏幕激光电视、创维的4.6毫米超薄机身自发光壁纸电视、TCL的8K量子点技术显示器(QLED)电视等,受到广泛关注。康佳集团展出的电视机新品是236英寸“APHAEA Smart Wall”,它由1亿颗Micro LED芯片自发光,可实现2K、4K、6K、8K不同分辨率,以及16:9、21:9、1:1不同纵横比例拼接逼真影像,全面实现私人定制。黑色家电业内的一个共识是,显示技术对于彩电行业至关重要,几乎每一次显示技术迭代,都将决定谁能占据更大市场份额。Micro LED显示技术此前主要被日韩公司掌握。2012年,日本索尼公司在2012美国消费电子展中首次展示了55英寸Crystal LED Display TV原型机。2018年,韩国三星公司推出了146英寸的“The Wall”电视机。 发光二极管(light emitting diode,简称“LED”)是一种半导体发光器件。Micro LED是该领域内一项新兴的显示技术,相比于传统液晶显示技术、硅基液晶技术 (LCOS)、OLED技术, Micro LED显示有着响应速度快、自主发光、对比度高、使用寿命长等优势。 2018年底,康佳在合肥成立康芯威存储技术有限公司,作为“设计”产业环节的代表企业;2019年下半年,康佳集团成立康佳芯盈半导体科技(深圳)有限公司,从事“封测+渠道”环节。据深康佳公告,合肥康芯威存储技术有限公司拥有自主知识产权的首款存储主控芯片KS6581A已于2019年12月实现量产,首批10万颗当月完成销售。 “目前除了三星之外国际上少数有能力进行Micro LED 8K产品系统整合设计及生产的企业。”康佳集团副总裁李宏韬说,“Smart Wall”产品从芯片设计、产品系统设计、部件制造、产品组装等产业链过程均自主完成。北美市场将是康佳在2020年重点发力的区域。“康佳不再停留于代工类生产制造,努力实现科技输出、品牌输出,在全球目标市场培养起自己的产业能力,实现真正的全球化。”康佳集团总裁周彬说。 围在康佳集团看来,“Smart Wall”系列产品的推出,不是其电视制造能力的体现,而是其近年来布局半导体产业的成果。“康佳在Micro LED显示技术的突破点是氮化镓。以Micro LED为代表的半导体光电显示器件,其发光核心就是基于氮化镓发光二极管,氮化镓材料更大的材料能隙使其成为蓝色和绿色发光器件最佳选择。”李宏韬说。

    时间:2020-03-17 关键词: 半导体 氮化镓晶体管 氮化镓

  • 转危为机中国半导体可望反弹复苏

    转危为机中国半导体可望反弹复苏

    居龙认为,中国的防疫之所以能在短时间内获得有效控制,这与政府公共卫生安全防控措施到位,与民众自觉意识提高密不可分,这是中国会率先复苏且复苏力道更大的因素,一旦疫情过去中国产业将“转危为机”,半导体产业也将复苏自谷底爬起。 以产业链复工情况而言,IC设计企业影响较小,因为没有制造生产,可以在家办公,设计企业多位处中国主要城市,防疫管控也较严。晶圆制造并未停工,但由于员工返工的限制,造成人力短缺。IC封测企业相对人力密集,受复工进度影响程度较大。但受到终端产品需求下降冲击,今年营收都将受到影响。 他进一步指出,政府出台不少政策扶植企业发展,而半导体作为战略产业的地位不变,中国继续建立可持续与可靠的本地化供应链的趋势也不变;如今面对突如其来的疫情,除了新基建如5G、物联网、各地数据中心外,也意识到公共卫生服务等基础建设是刚需,同时,这些基建也会走向更智能,以因应突发事件,所以对于芯片乃至于半导体产业链中各环节都保持强劲的需求。 今年的半导体产业,从供应面来看,为了迅速控制疫情传播,政府对人流、物流管控与限制,使得今年第一季度新的盖厂进程多少受到影响;因此,近日SEMI也下修今年全年晶圆设备支出增长率到3%,呈现小幅增长。 至于全球半导体营收,各方研究机构也有从年初的7-10%下修到0-5%都有,甚至有更悲观的负增长,加上欧美、日、韩疫情仍不容乐观,半导体市场需求下滑,倒逼上游设备支出也会缩减,客户需求下降连带包括内存与逻辑IC都受到不同程度的影响。 2019年SEMICON China盛况空前,吸引海内外逾10万人参加,受到疫情影响,今年展会被迫延期,居龙说,“这是一个挑战”,从要克服的内外难点与细节,各环节落实到位,与政府单位的沟通协调,到与展商、行业领军人物等全部重新一一确认,这是一个浩大工程。 而历经30余年的SEMICON China,凭借这个黄浦江畔汇集国内外半导体厂家的一张展会“名片”所建立的良好口碑与声誉,尽管从3月下旬延期到6月下旬,仍然得到“展商们相当高的期待”。 国内主要晶圆代工厂华虹集团、长电在内主要四家封装测试业者,以及国内外主要设备厂商TEL、ASMPT、DISCO,爱发科、VAT、ASML、KLA, 北方华创,中微,安集,中电科,新阳,上海微,中科院,CANON、蔚华等都已确认积极参加。

    时间:2020-03-17 关键词: 半导体

  • 半导体的另一条赛道

    半导体的另一条赛道

    与此同时,与微电子具有“一字之隔”的光电子凭借自己的高速和低功耗等优势正在蓬勃发展,逐渐受到人们的青睐。受集成电路的启发,集成光路的概念被提出,即利用光波导将光发射、光耦合、光传输、光调制、光逻辑、光处理、光接收等光电子器件集成在同一个衬底上,从而构成一个具有一定独立功能的微型光学系统。传统的光电技术大部分都是基于III-V族半导体(GaAs/InP等),制作成本昂贵,工艺复杂,相比之下,以硅CMOS工艺为基础的微电子技术在过去半个世纪取得了举世瞩目的成就,技术积累十分全面,硅基工业具有非常强大的产业能力。于是有人提出以硅基作为衬底,利用硅CMOS工艺将光电子器件集成,硅光技术应运而生,并且凭借其兼具的微电子和光电子两大技术优势火速兴起,成为半导体和通信企业的竞争热点。 技术演进和企业收购助力产业发展。硅光从提出至今,技术不断演进,其中里程碑事件为英特尔在2004年研制成功1Gb/s硅光调制器,在这之后硅光产业化进程突飞猛进,新技术层出不穷,硅光产品越来越多,不断有企业进入该领域。由于硅光产品技术和准入门槛较高,下游企业对硅光产品依赖度增大,越来越多的下游公司在硅光领域开始展开布局,并为此进行了多轮收购或并购,从而实现产业垂直整合,其中以思科、诺基亚等为主要代表。 硅光应用领域和市场规模不断扩大。目前硅光产品的发展已经初具规模,在光通信及光信息处理方面具有微电子无法比拟的优越性,应用广泛。根据Yole预测数据,硅光市场规模将从2018年的4.55亿美元,增长到 2024 年的40亿美元。在消费电子领域,硅光的大规模集成特性非常适合消费电子产品需求,智能传感、移动终端等产品均可利用硅光技术在有限的空间集成更多的器件;在光通信领域,随着网络带宽的不断增加,高速率传输技术已经成为光通信领域的研究重点,硅光产品凭借尺寸小、成本低、与现有CMOS技术兼容等优势,成为高速光通信实现产业化的最佳方案;在量子通信领域,由于硅光技术保密性强、集成度高、适合复杂光路控制等优势,基于硅光的量子通信芯片有望成为量子通信的重要技术方案。此外,硅光在智能驾驶、激光雷达、面部识别、高速互联等应用领域均有解决方案。 我国硅光产业发展两大现状 我国正处于追赶者的地位。由于我国进入硅光领域较晚,目前主要通过并购或者与外企合作的模式切入,正处于追赶者的地位。我国目前在硅光领域开展布局的企业主要有华为、光迅科技、亨通光电、博创科技等。华为2013年收购比利时硅光子公司Caliopa,并且在英国建立了光芯片工厂发展硅光技术。2017年亨通光电与英国的硅光子企业洛克利合作,获得多项硅光芯片技术许可,2020年3月10日发布了400G硅光模块。2018年光迅科技联合国家信息光电子创新中心等单位联合研制成功100G硅光收发芯片并正式投产使用,但是流片需要依靠国外。2020年博创科技与Sicoya公司合作,推出了高性价比的400G数据通信硅光模块解决方案。 我国硅光发展与发达国家仍存在差距。在设计方面,架构不够完善,体积和性能平衡的问题没有妥善解决。在制备方面,我国的硅光芯片大部分都需要国外代工,对外依赖度大。在封装方面,硅光器件之间的耦合以及大密度集成仍然存在问题。在测试方面,高速仪器仪表还严重依赖国外。在推广应用方面,虽然第一代硅光相干芯片已经完成研制,但是距离应用还有一段路要走,关于如何在数据通信领域发挥硅光技术优势,降低成本,依然是我国硅光发展需要面临的问题。在企业规模上,相比集成电路企业,我国硅光企业大都规模较小,芯片严重依赖国外,企业实力较弱,垂直整合能力较差,虽然有一些硅光企业,但大都是设计、后道制程和封装企业,具有芯片制备能力的企业寥寥无几。

    时间:2020-03-17 关键词: 半导体 硅光

  • 马来西亚封城 6英寸硅晶圆供应将更吃紧

    马来西亚封城 6英寸硅晶圆供应将更吃紧

    受疫情影响,环球晶马来西亚工厂负责生产 6 吋硅晶圆,受马来西亚全国封城政策影响,6吋硅晶圆供应将更吃紧。法人解读,此举将有助 6 吋硅晶圆报价上涨,包含环球晶、合晶都已针对 6 吋硅晶圆调涨价格。 环球晶董事长徐秀兰表示,目前尚无客户取消或递延订单拉货的情形,部分客户甚至为求库存稳定,增加订单、要求提前出货,第 2 季需求仍健康。 环球晶副总经理陈伟文表示,肺炎疫情发生后,6 吋产能很抢手、供给吃紧,「有多少货就出多少货」,目前环球晶 3 座 6 吋以下晶圆厂包括台湾厂、昆山厂与马来西亚厂,现有产能均全线满载。

    时间:2020-03-19 关键词: 半导体 硅晶圆 马来西亚

  • 突发 台积电有员工感染新冠病毒 生产受到多大影响?

    突发 台积电有员工感染新冠病毒 生产受到多大影响?

    3月18日晚,全球最大的晶圆代工厂台积电宣布该公司一名员工确认感染了新冠病毒COVID-19,已经送医救治,并隔离了大约30人。 台积电表示,公司防疫委员会业已追溯该员工的接触史,以较卫生部门规范严格之标准,确认其曾近距离接触者约三十人,并已即刻进行为期十四日居家隔离。 台积电称公司将每日监测隔离者健康状况并提供必要之协助,以利后续追踪。 除原定之例行消毒,台积电今日亦扩大办公区消毒范围,针对该员工作场域及公共区域加强消毒。 台积公司以防疫安全及保护员工健康为首要考量,在现有防疫相关规定外,公司决议将启动分组办公营运模式。 台湾地区员工于参加会议、训练、或身处公共区域期间一律全程配戴口罩。 台积电表示该事件不会影响公司运营。 台积电是全球最大的晶圆代工厂,为苹果、华为海思、AMD、高通、赛灵思等公司代工先进芯片,今年上半年将量产5nm芯片,除了苹果A14之外,第二大客户就是华为的麒麟1020处理器。

    时间:2020-03-19 关键词: 半导体 晶圆 台积电

  • 国产FPGA首次进入日本市场,高云半导体正式签约日本丸文株式会社

    国产FPGA首次进入日本市场,高云半导体正式签约日本丸文株式会社

    中国香港,2019年8月26日,全球增长速度最快的可编程逻辑厂商——广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)宣布,签约日本丸文株式会社(以下简称“丸文”)为其日本经销商,以进一步拓展全球销售网络。 “我们很高兴的宣布与丸文株式会社建立合作关系,丸文株式会社是日本顶级电子产品制造商长期信赖的业务合作伙伴。作为历史上第一家成功将集成电路引入日本市场的公司,又成为第一家将中国FPGA引入日本市场的公司。”高云亚太销售总监谢肇堅先生表示,“此前我们与丸文已经合作开展了近一年的市场前期工作,并获得日本客户小批量定单。此次正式签约标志着丸文对高云半导体能够为日本市场提供的创新性产品和优质客户服务的认可与信心。相信凭借丸文经验丰富的FPGA团队以及在日本FPGA市场的多年深耕,市场份额将得以快速增长。” “丸文致力于与电子信息领域领先的供应商合作,提供尖端的专业电子产品,为行业技术进步做出贡献。”丸文株式会社社长藤原正和表示,“通过与高云半导体的合作,我们将一如既往的向客户提供最具竞争力的产品。” 此次签约经销商后,高云半导体将于8月推出日文网站,以更好的支持日本市场,还将携手丸文株式会社共同参加11月份举办的日本嵌入式系统技术协会Atoit活动,展示高云半导体最新的产品与技术解决方案。

    时间:2019-08-26 关键词: 半导体 电子产品 FPGA

  • MACOM将在2019年中国光博会(CIOE)上展示高速模拟PON和100G数据中心组件

    MACOM将在2019年中国光博会(CIOE)上展示高速模拟PON和100G数据中心组件

    马萨诸塞州洛厄尔,2019 8月26日——MACOM技术解决方案有限公司(MACOM Technology Solutions Inc.,以下简称 “MACOM”)是半导体解决方案领域的领先供应商,将于9月4日–7日在中国深圳举行的中国光博会的1A32展位上展示其光电和光子组件产品。中国光博会是光电和光子行业的世界领先展会。 参观MACOM展位,并了解我们的全方位组件产品组合。我们的产品能够实现高带宽和低延迟,以及电气和光学域之间的高性能模拟接口,并提供多种解决方案,旨在满足当今新一代高速PON、无线和有线电信和云数据中心网络对尺寸、功率和信号完整性的高度要求。 我们完整而强大的产品组合包括高性能调制器驱动器、跨阻放大器(TIA)、时钟/数据恢复电路(CDR)、交叉点开关、APD、引脚光电二极管、FP和DFB激光器、混合信号PHY和用于企业和电信光学系统的PAM-4,运行速度高达100/200/400 Gbps甚至更高。 在1A32号展位上随MACOM迈入全新时代,并了解更多信息: · PON组件:10/25 Gbps-PON ONU/OLT · 电信产品组合:25Gbps CDR、TIA和驱动器产品组合、25Gbps FP激光器、APD光电二极管和50 Gbps PAM-4芯片组 · 数据中心组件:100 Gbps CWDM4、DR1/FR1/LR1和100/200/400 Gbps PAM-4 · 长途运输和地铁组件:64 Gbaud 驱动器和TIA MACOM的产品管理、工程和应用团队成员将在1A32号展位上竭诚回答您的问题。 展会信息: 深圳会展中心 · 周三,9月4日,9:00–17:00 · 周四,9月5日,9:00–17:00 · 周五,9月6日,9:00–17:00 · 周六,9月7日,9:00–16:00

    时间:2019-08-27 关键词: 半导体 驱动器 macom

  • 杰锐思半导体封测设备互联实例应用发布会圆满举行

    杰锐思半导体封测设备互联实例应用发布会圆满举行

    苏州2019年9月20日 /美通社/ -- 9月19日,杰锐思封测设备互联实例应用发布会在苏州圆满举行,半导体行业封测设备十余家知名厂商高管齐齐出席本次发布会,见证杰锐思在智能制造领域提供智能工厂整体解决方案的重要里程碑。 19日下午,杰锐思副总经理带领封测行业重要合作伙伴参观了杰锐思设备互联智能产线,介绍了该产线如何帮助解决现有工厂设备管理问题、作业方式管理、信息传递问题、数据分析和追溯方式问题。 副总经理为各位来宾介绍智能产线 在结束JRS工厂智能产线实地参观后,杰锐思设备互联实例应用发布会正式在苏州凯宾斯基酒店拉开帷幕,会上首先由文二龙董事长向各位参会嘉宾介绍了公司的愿景、使命和杰锐思的未来发展规划,随后副总经理详细介绍了公司的现有核心技术、行业解决方案等,接下来设备互联智能产线硬件与软件总工分别从技术角度解读本次杰锐思设备互联整体解决方案的规划与实施;最后半导体事业部技术负责人详细介绍了半导体事业部的现有设备和未来的发展规划。 杰锐思董事长文二龙先生致欢迎辞 工厂车间的现状 目前大多数国内半导体封测车间都还在人工上下料和人工载具的流转,对操作员工的要求高且依赖性强,但是人工作业常常还会伴随着上料错误、一致性不高和空间资源浪费的问题。另外半导体的资材大小不一、品种繁多,车间存在物流与信息流不统一的情况,而且目前半导体封装工艺差异性较高、设备都是完全不同的独立制程设备,因此而形成信息孤岛;在品质响应速度方面,整个后道工序十分复杂,每道工序过程检验设备完全不同,因此实时品检信息并不能保持良好的一致性。 杰锐思解决方案 杰锐思解决方案 在自动化设备行业深耕十多年后,杰锐思对生产车间的痛点能够提供整线设备和软件的解决方案。在上下料改善方面,杰锐思提供各种自动上下料解决方案,如机械手、集成模组等;在设备独立、信息孤岛改善方面,杰锐思提供各种设备互联过程的接口程序;在物流与信息流改善方面,杰锐思提供各种物料供给的解决方案,如AGV、RGV和流道供给等;在品质异常响应速度改善方案,杰锐思提供生产制程的完整解决方案,以达到前端异常后端能及时反应的目的。 随着工业4.0的发展和5G时代的到来,设备互联已经成为发展智能工厂的必经之路。技术的发展让现有工厂的运作方式得以革新,杰锐思在自动化智能硬件领域已深耕多年,目前已成功为客户定制设备互联整厂解决方案,未来杰锐思还将会继续在设备互联领域与各位合作伙伴携手共进、一起奏响智能制造新篇章。

    时间:2019-09-23 关键词: 半导体 杰锐思 智能制作

  • 紫光集团任命坂本幸雄为高级副总裁兼日本分公司CEO

    紫光集团任命坂本幸雄为高级副总裁兼日本分公司CEO

    近日,紫光集团董事长兼CEO赵伟国表示:“对于以创新驱动快速发展的紫光集团来说,人才建设尤为重要。坂本幸雄这样世界级人才的加入,无疑将增强紫光集团的创新实力。希望有更多优秀的人才能够参与到紫光的发展大业中来。”赵伟国同时强调,“坂本幸雄的到来也是紫光全球发展本地化战略的体现,我们希望紫光在全球各地的分公司,充分利用本地的人才,更好地服务本地的客户,并为本地市场的发展做出贡献。” 坂本幸雄表示:“我非常荣幸加入紫光集团,紫光集团近年来的迅猛发展,以及形成的产业优势是可以一展身手的大舞台。我将利用自己过往在专业领域的经验,结合紫光的发展战略,全力拓展日本市场,并助力紫光的全球化发展。” 据悉,坂本幸雄先生在DRAM领域具有30余年的从业经验,在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事,及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。

    时间:2019-11-20 关键词: 半导体 芯片

  • 台积电召开董事会,作出6项重要决议!

    台积电召开董事会,作出6项重要决议!

    2020年2月11日,台积电召开董事会,核准2019年营业报告书及财务报表,其中全年合并营收约为10699.9亿元新台币,税后净利约为3452.6亿元新台币,每股盈余为13.32元新台币;同时宣布核准配发2019年第四季每股现金股利2.5元新台币。 此外,台积电董事会同意提名海英俊先生为独立董事候选人,并核准任命海英俊先生为公司薪酬委员会委员,自2020年2月11日起生效。

    时间:2020-02-12 关键词: 半导体 台积电

  • 中芯国际最新财报出炉!产能持续满载,扩大资本开支

    中芯国际最新财报出炉!产能持续满载,扩大资本开支

    2020年2月13日,国际主要半导体代工制造商中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)公布了截至2019年12月31日止三个月的综合经营业绩。 2019年第四季度摘要 ◆ 2019年第四季的销售额为8亿3仟9佰4拾万美元,较2019年第三季的8亿1仟6佰5拾万美元增加2.8%,相比2018年第四季为7亿8仟7佰6拾万美元。不含2019年第三季及2018年第四季阿韦扎诺200mm晶圆厂销售额,2019年第四季的销售额较2019年第三季的8亿零2佰8拾万美元增加4.6%,较2018年第四季的7亿3仟7佰6拾万美元增加13.8%。 ◆ 2019年第四季毛利为1亿9仟9佰4拾万美元,较2019年第三季的1亿6仟9佰8拾万美元增加17.4%,较2018年第四季为1亿3仟4佰1拾万美元增加48.7%。 ◆ 2019年第四季毛利率为23.8%,相比2019年第三季为20.8%,2018年第四季为17.0%。 2020年第一季指引 以下声明为前瞻性陈述,此陈述基于目前的期望并涵盖风险和不确定性,部分已于之后的前瞻性陈述中阐明。本公司预期: ◆ 季度收入环比增加0%至2%。 ◆ 毛利率介于21%至23%的范围内。 ◆ 非国际财务报告准则的经营开支为扣除雇员花红计提数、政府项目资金、有形及无形资产的减值亏损、出售机器及设备损益,以及出售生活园区资产收益影响后,将介于2亿9仟4佰万美元至3亿美元之间。 ◆ 非控制权益将介于净利润1仟7佰万美元至净利润1仟9佰万美元之间。 中芯国际联合首席执行官赵海军博士和梁孟松博士评论表示:虽然2019年全球充满许多不确定性的外部因素,公司在各位同仁和客户的努力与支持下,运营逐渐转好,最终顺利完成全年目标。其中,中国区营收四季度占比65%,环比增长11%,同比增长21%。第一代FinFET14nm也顺利量产,贡献当季度1%营收。 2020年公司将重启成长。目前来看,一季度营收比季节性来的好。为因应市场与客户需求,新一轮资本支出计划将启动,产能扩张逐步显现。经营战略上,将持续拓展成熟工艺,保持各细分领域前列,尤其是摄像头芯片、电源管理芯片等需求依然强劲。先进技术将基本功做扎实,多元化开发客户,转化技术开发为收入来源。我们也期待第一代FinFET稳健上量,第二代FinFET持续客户导入。 作为中国半导体行业坚实的基础,我们将着力完善产品组合,扩大目标市场,以服务日益成熟的客户抓住市场机遇。

    时间:2020-02-14 关键词: 半导体 中芯国际

  • 2020年半导体巨头开启新竞局

    2020年半导体巨头开启新竞局

    事实上,沿着摩尔定律能够持续跟进半导体工艺尺寸微缩的厂家数量已经越来越少,在这个领域竞争的厂商主要就是三星、台积电和英特尔三家。此外,中国大陆晶圆代工厂中芯国际也在推进当中。因此,参与先进工艺之争的也就只有这样“三大一小”几家公司。 先进工艺开发量产的成功与否对于半导体巨头来说意义十分重大。台积电2019年第四季度财报实现营收3170亿元新台币。按工艺水平划分,7nm工艺技术段占公司收入的35%,10nm为1%,16nm为20%,合计16nm及以下先进工艺产品收入已经占到56%。台积电CEO魏哲家表示,采用先进工艺的5G和HPC是台积电的长期主要增长动力,并预计2020年5G智能手机在整个智能手机市场的普及率为10%左右。 正因如此,半导体龙头大厂无不极为重视先进工艺的投资与开发。2月20日,三星宣布韩国华城工业园一条专司EUV(极紫外光刻)技术的晶圆代工生产线V1实现量产。据了解,V1生产线于2018年2月动工,2019年下半年开始测试晶圆生产,首批产品今年第一季度向客户交付。目前,V1已经投入7nm和6nm EUV移动芯片的生产工作,规划未来可以生产3nm的产品。三星制造业务总裁ES Jung称,V1产线将和S3生产线一道,帮助公司拓展客户,响应市场需求。 台积电对先进工艺的开发同样重视。在2020年1月召开的法说会上,台积电表示将增加2020年的资本支出,从原订的110亿美元,上修至140亿美元~150亿美元,其中80% 将投入先进工艺产能的扩增,包括7nm、5nm及3nm等。而日前业内也传出“英特尔将提前进行7nm投资”的消息,英特尔2020年的设备投资计划,不仅要增加现有14/10nm工艺的产能,还要对7/5nm工艺进行投资。在2019年财报中,英特尔表示2020年计划的资本支出约为170亿美元。 根据中芯国际财报,2019年第四季度14nm工艺已经量产,并带来了768万美元的营收。在该次财报会议上,中芯国际联席CEO梁孟松也首次公开了中芯国际的N+1、N+2工艺的情况。中芯国际的N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。 5nm/6nm将成今年竞争焦点 如果说2019年先进工艺的竞争重点是7nm+EUV光刻工艺,那么2020年焦点将转到5nm节点上。在高通发布X60基带芯片之后,路透社便援引两名知情人士消息报道,三星的半导体制造部门赢得了高通的最新合同,将使用5nm工艺技术生产新发布的芯片。对此,有业内人士指出,三星EUV产线的投产以及成功交付高通全球首个5纳米产品骁龙X60基带芯片,都将给台积电带来一定压力。 此前三星在先进工艺方面与台积电的竞争并不顺利。2018年三星选择了跳过LPE低功耗阶段,直接进入7nm EUV的大胆策略,意图在工艺技术上抢占先机,但是新工艺的良品率一直不高,使得大胆策略没有奏效。而台积电仍采用传统多次曝光技术,先行占领市场,取得了几乎100%的7nm市场。不过三星显然并没有放弃对先进工艺市场的开发与争夺。2020年三星再次将重点转移到5nm之上,显然是有意再次向台积电发起挑战。在1月份的投资者电话会议上,当被问及三星将如何与台积电竞争时,三星晶圆高级副总裁Shawn Han表示,公司计划通过“多元化客户应用”来扩大5nm芯片产量。按照三星此前发布的工艺规划,5nm工艺在2019年4月份开发完成,下半年实现首次流片,在2020年实现量产。 台积电对于5nm也同样重视。根据台积电此前的披露,5nm工艺2019年上半年导入试产,2020年上半年实现量产。台积电5nm投资250亿美元,月产能5万片,之后再扩充至7万~8万片。根据设备厂商消息,下半年台积电5nm接单已满,除苹果新一代A14应用处理器外,还包括华为海思新款麒麟芯片等。即使是三星已经拿下高通5nm订单,也不代表台积电就会失去高通的订单。事实上,高通一直以来就是把晶圆代工订单交由台积电和三星等多家厂商生产的。此外,台积电还规划了一个5nm工艺的加强版,有点像7nm节点的N7+。资料显示,5nm加强版在恒定功率下可提高7%的性能,降低15%的功率。预计该工艺平台将在2021年量产。 6nm是今年竞争的另一个重点。紫光展锐最新发布的5G芯片虎贲T7520就采用了台积电的6nm工艺,相较7nm工艺,晶体管密度提升18%,功耗下降8%。根据台积电中国区业务发展副总经理陈平的介绍,6nm是7nm的延伸和扩展。台积电于2018年量产7nm工艺。2019年量产7nm+EUV的升级版,在芯片的部分关键层生产中导入EUV设备,从而减少光罩的采用,降低成本,提高制造效率。6nm工艺平台则是7nm工艺的另一个升级版。由于它可以利用7nm的全部IP,此前采用7nm的客户可以更加便捷地导入,在提高产品性能的同时兼顾了成本。

    时间:2020-03-22 关键词: 半导体

  • 半导体业:积极担责,承压前行

    半导体业:积极担责,承压前行

    迎难而上解测温仪燃眉之急 “抱歉,我没有红外温度传感器,已经有近100人问我这个货源了,最少的2万只,最多的500万只,甚至有日本、泰国的朋友也在向我询问。”疫情发生以来,西安中星测控总经理谷荣祥频繁被朋友询问是否供应红外温度传感器。他表示,在传感器领域耕耘了20多年,从来没有经历在这么短的时间内,有这么多人关心传感器——尤其是红外温度传感器。 在疫情防控中,非接触式红外测温仪是体温检测的“哨兵”和“探子”,构筑了公共场所防疫工作的第一道防线。2月2日,工信部原材料工业司司长王伟在新闻发布会上表示,预计全自动红外体温检测仪整体需求约为6万台,手持式约为55万台。半导体企业迎难而上,全力保障红外测温仪所需的红外测温芯片、光感芯片、电池管理芯片等元器件供应,为打赢疫情防控阻击战贡献力量。 早在1月27日,晶华微电子就开始向客户交付红外测温芯片。对使用红外测温芯片的客户,晶华微电子采用最优原则,加紧调配产能。晶华微电子总经理罗伟绍博士向《中国电子报》记者表示,疫情爆发至今,芯片的订单量翻了十几倍,给生产特别是人力组织带来压力,上下游厂商协调也面临困难。 “大年初四,我们就加紧与晶圆生产企业和测试企业等供应商联系,对方也尽可能加大产能加快生产来满足我们的需求。因为订单量非常大,必须合理分配产能,保证各家客户及时收到红外测温芯片,以满足正常生产需要。我们的员工每天十几个小时与工厂、客户商讨安排出货,加班加点进行生产以及对客户的技术支持,各部门都有员工自愿进车间帮忙发货,全力满足客户厂商需求。”罗伟绍说。2月12日,晶华微正式复工,截至目前已经有超过80%员工到岗。 华大半导体旗下的上海贝岭、南京微盟等企业为红外测温仪提供电池管理芯片。华大半导体回复本报采访时表示,面对突如其来的疫情以及测温仪等防控器材市场需求陡增,最大的问题是如何在做好自身防护的情况下,保证产品供应。 从大年初三开始,南京微盟就加急处理红外测温仪电源管理芯片的客户需求。恰逢春节假期,又遇库房管理人员小区被封,南京微盟启动应急响应,紧急调动人力保障配送需求,确保货品送达。截至2月中旬,南京微盟供应用于测温仪的电源管理芯片出货量接近100万片。上海贝岭积极协调渠道商、销售及运营等部门,提高疫情防控器材相关产品的出库优先级;同时积极联系供应链,协调产能,加大投片量,确保后续生产备料需求。目前,上海贝岭相关手持红外测温仪IC产品发货超过400万片,相关产品新投产500万片,保障后续供货需求。 全产业链复工复产积极战“疫” 由于疫情导致生产要素难以流通、供应链衔接出现困难、人员组织面临压力,半导体设计、制造、封测等主要环节企业均受到不同程度影响。赛迪顾问集成电路研究中心总经理韩晓敏向记者表示,对于IC设计企业,疫情导致的隔离办公等情况在一定程度上降低了IC设计公司的研发效率,也影响了与客户和代工厂的沟通配合。对于封闭式连续生产的IC制造企业,疫情对成熟企业的成熟产能释放不会有太大影响,由于物流以及人员派驻等问题,预计新增产能建设将有一定程度的延迟。而封测企业相对属于劳动密集型,对人工、原材料、物流等需求较高,预计疫情将进一步加剧封测产能短缺。 为减缓疫情带来的不利影响,半导体企业兼顾防疫需求与复工复产,灵活应对挑战。 由于疫情取消的MWC打乱了科技厂商的发布计划,但并未阻挡IC设计企业推出新品的热情。短期来看,5G仍然是IC设计企业的角逐重点。北京时间2月26日凌晨,高通举办线上发布会,介绍了第三代5G基带芯片,推出了首个5G XR参考设计,并展示了在5G PC、5G RAN、WIFI6的最新成果。此前,高通在回复本报采访时表示,高通为中国区数千名员工提供防护建议和支持,灵活安排差旅、上班时间和方式,同时提倡员工使用远程和信息科技手段协同开展工作,保证公司运营。2月26日,紫光展锐举办春季线上发布会,发布6nm制程的5G SoC虎贲T7520,并与中国联通联合发布5G CPE,与海信联合发布5G手机。台积电中国区业务发展副总经理陈平、是德科技大中华区总经理严中毅分别通过视频介绍晶圆制程和模拟仿真方案。 除了一至两日的岁修,晶圆厂几乎全年不中断生产。第一季度,国内成熟晶圆厂商的产能利用率维持稳步上升势头。中芯国际各条生产线、研发线实现100%运行,产能预计于第一季度实现满载。春节期间,生产线上的工作人员采取四班二轮的轮岗制度继续生产,研发部门采取各级值班制度。总务部门每天安排多次消毒,在办公区域入口安装测温仪、设置一米线排队标示,撤掉单排食堂餐椅,杜绝面对面进餐,增加班车趟数以减少每次乘坐人员聚集。华虹二厂生产线在年度动力检修后已满负荷运行,1月出货6.12万片晶圆,新购买的12台设备将按时搬入,进一步提升产能。 相对设计、制造,封测对人工依赖更强,企业需解决因为交通管制造成的人手短缺问题。自2月10日逐步复工以来,长电科技中国厂区到岗率达到80%左右,产能利用率约为85%。相关负责人向记者表示,由于春节期间订单饱满,长电科技江阴厂区在2019年年底已安排接续生产计划,仅部分员工返乡过年。疫情发生以来,长电科技调整产线人员工作时间,弥补一部分人员缺口,工程师、销售、客服团队通过远程在家办公,电话会议等形式支持客户。作为重点防疫物资生产单位,长电科技在优先保障市场急需医疗电子产品相关生产的同时,积极与政府相关部门沟通。在保障安全的前提下,相关部门给予绿色通道,保障人员复工和物资的运输供应。通富微电则采取特别激励措施,鼓励已经在正常上班的员工加班加点。既调动员工生产积极性,又避免了员工休息时间的流动带来的疫情风险。 坚定信心承压前行 2月27日,国内IDM厂商华润微电子正式登陆科创板。在以线上视频进行的媒体交流会上,华润微常务副董事长陈南翔表示,从2019年就感觉到半导体从第四季度开始有回升态势,因而华润微春节没有做常规的动力设施检修,一直加班生产,春节至今供应了超过600万颗测温芯片,员工复工率在95%以上。他指出,华润微作为重资产的公司,在供应端有所谓的“安全存货水位”,加上国内供应商陆续恢复,预计本季度供应端不会出现问题。相比之下,疫情在全球的蔓延,尤其是对市场端的影响,是华润微特别关注的一个点。

    时间:2020-03-22 关键词: 半导体

  • 2020年Q1全球晶圆代工厂TOP10出炉,7nm接单稳定

    2020年Q1全球晶圆代工厂TOP10出炉,7nm接单稳定

    根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院分析,2020 年第一季晶圆代工产业延续上一季的订单挹注与库存回补,预估总产值仅较前一季衰退 2%,年度表现受惠 2019 年同期基期较低,年成长近 30%。不过在新冠肺炎冲击全球市场导致经济动能趋缓的情况下,需求端存在极大的变量,恐将弱化接下来的成长力道。 观察主要业者第一季的表现,台积电的 7 纳米节点受惠客户预定产能,接单状况稳定,即便出现部分投片调整,后续的订单需求尚能填补缺口,产能利用率维持满载;12/16 纳米节点投片状况目前虽有潜在变化可能,但修正幅度不大,整体产能利用率可维持 9 成;成熟与特殊制程则有 5G、IoT 与车用产品等需求挹注,稳定贡献营收。 三星(Samsung)持续增加 5G SoC AP、高像素 CIS、OLED-DDIC 与 HPC 等产品产能,同时扩大 EUV 使用范围并推广 8 纳米产品线,以期提高先进制程的营收比重。不过韩国近日受疫情影响严重,市场需求可能衰退,预期将影响第一季的营收表现。 格芯(GlobalFoundries)以 22FDX 与 12nm LP+制程持续拓展 5G、MRAM 与车用产品线,另一方面,与安森美半导体(ON Semiconductor)交易的厂房虽有生产协议,能确保 2020 至 2022 年的订单收入,然而售予世界先进的新加坡厂房则全数交割,预估对第一季营收影响较为直接。

    时间:2020-03-24 关键词: 半导体 晶圆代

  • 半导体宽禁带的技术解析

    半导体宽禁带的技术解析

    科技的不断创新带动了半导体的不断发展,半导体电路中,出现了一个词,不是别的就是我们的主题,半导体禁带宽度?这个词的出现是解决电路中什么问题呢?带着各种疑问,我们一起学习起来吧~ 对于包括半导体在内的晶体,其中的电子既不同于真空中的自由电子,也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态,即可取任何大小的能量;而原子中的电子是处于所谓分离的能级状态。晶体中的电子是处于所谓能带状态,能带是由许多能级组成的,能带与能带之间隔离着禁带,电子就分布在能带中的能级上,禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。半导体最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为禁带宽度(或者称为带隙、能隙)。 用途 禁带中虽然不存在属于整个晶体所有的公有化电子的能级,但是可以出现杂质、缺陷等非公有化状态的能级——束缚能级。例如施主能级、受主能级、复合中心能级、陷阱中心能级、激子能级等。顺便也说一句,这些束缚能级不只是可以出现在禁带中,实际上也可以出现在导带或者价带中,因为这些能级本来就不属于表征晶体公有化电子状态的能带之列。 物理意义 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。 半导体价带中的大量电子都是价键上的电子(称为价电子),不能够导电,即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带(即本征激发)而产生出自由电子和自由空穴后,才能够导电。空穴实际上也就是价电子跃迁到导带以后所留下的价键空位(一个空穴的运动就等效于一大群价电子的运动)。因此,禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量,也就是产生本征激发所需要的最小能量。 作为载流子的电子和空穴,分别处于导带和价带之中;一般,电子多分布在导带底附近(导带底相当于电子的势能),空穴多分布在价带顶附近(价带顶相当于空穴的势能)。高于导带底的能量就是电子的动能,低于价带顶的能量就是空穴的动能。 影响因素 半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关:半导体禁带宽度随温度能够发生变化,这是半导体器件及其电路的一个弱点(但在某些应用中这却是一个优点)。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如,Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV,到室温时即下降到1.12eV。如果由许多孤立原子结合而成为晶体的时候,一条原子能级就简单地对应于一个能带,那么当温度升高时,晶体体积膨胀,原子间距增大,能带宽度变窄,则禁带宽度将增大,于是禁带宽度的温度系数为正。 但是,对于常用的Si、Ge和GaAs等半导体,在由原子结合而成为晶体的时候,价键将要产生所谓杂化(s态与p态混合——sp3杂化),结果就使得一条原子能级并不是简单地对应于一个能带。所以,当温度升高时,晶体的原子间距增大,能带宽度虽然变窄,但禁带宽度却是减小的——负的温度系数。 当掺杂浓度很高时,由于杂质能带和能带尾的出现,而有可能导致禁带宽度变窄。 禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;对于BJT,当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时,将会导致电流增益大大降低。 Si的原子序数比Ge的小,则Si的价电子束缚得较紧,所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。GaAs的价键还具有极性,对价电子的束缚更紧,所以GaAs的禁带宽度更大。GaN、SiC等所谓宽禁带半导体的禁带宽度更要大得多,因为其价键的极性更强。Ge、Si、GaAs、GaN和金刚石的禁带宽度在室温下分别为0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。 金刚石在一般情况下是绝缘体,因为碳(C)的原子序数很小,对价电子的束缚作用非常强,价电子在一般情况下都摆脱不了价键的束缚,则禁带宽度很大,在室温下不能产生出载流子,所以不导电。不过,在数百度的高温下也同样呈现出半导体的特性,因此可用来制作工作温度高达500℃以上的晶体管。 总结:通过学习宽禁带的用途,物理意义以及影响因素,我们进一步深层次的了解宽禁带的存在的意义了,以上就是半导体宽禁带的一些技术干货讲解。

    时间:2020-03-25 关键词: 半导体 宽禁带 半导体禁带宽度

  • 半导体空穴导电工作原理

    半导体空穴导电工作原理

    现在的科学技术的不断发展,带动了半导体事业的不断革新。我们熟悉的半导体材料,常用的是P、N类型的,硅(SI)中掺杂元素硼(B),因为B三价,相对于SI的4价来说,缺少一颗电子,把这个缺失的部分叫做空穴,这类掺杂B的叫P型材料。对应的,掺杂了元素磷(P),因为磷5价,相对于Si的4价来说,多出一颗电子,这颗电子孤零零的多出来,成为了自由电子,这类掺杂P的叫N型材料。 N型材料因为有独立的自由电子,所以很容易导电,这个大家很容易理解,但是所有的书告诉我们P型材料内的空穴也能导电,这个我们很难理解,其中的一个解释是空穴的导电本质是电子的跳动,但是看上去是空穴在导电,所以叫空穴导电。但是这个解释,还是给我们的答案是电子导电,只是相比没有答案更容易接受一些罢了。那么空穴到底如何导电的? 这段时间我都在看半导体方面的书,什么导带、价带、禁带,概念很多,忍着头皮耐心的看下去,终于把长期困扰在心中的空穴导电概念理解了一番,但不敢说就是对的,先把自己理解的一点给大家分享一下,先看下图的一些基本概念: 如上图,材料中的电子根据能量大小分为三个部分,因为这个部分是一个区域,所以用“带”表示,类似频率的频带概念一样。比较常见的分为价带、导带和禁带三级,能量最低的是价带,当价带中的电子获得能量,就会越过禁带跳到导带中去。注意,禁带是不允许电子存在的,这个是量子理论决定的,也就是电子的能级,只能在有限的几个能级分布,而不是连续的。 金属导体最外层的电子很活泼,为自由电子,常温下获得能量跳到了导带中,所以会导电。绝缘体没有自由电子,所以在导带中没有电子,所以无法导电。对于半导体来说,掺杂5价磷的N型材料,因为多出一个电子,这个电子成为自由电子进入导带,所以就可以导电,这个很好理解,那么空穴型的呢?空穴型的在导带中没有自由电子,所以不存在导带中的导电特性。这是特别注意的。 既然空穴型材料没有导带中的自由电子导电,那么空穴如何导电呢,所以肯定不是导带导电,但是空穴的本质还是电子导电,只是这个电子不是来自于导带中的电子,而是来自于价带中的电子,这是问题的核心。 P型材料中有大量的低能量的空穴,而空穴周边有更多的价带电子,若这些电子只要获得少量的能量,这个能量达到价带的顶端、禁带的低端,它就可能跳到周边的空穴中,而不需要跳到导带中去(它也跳不过去),当外电场加入时,这个空穴就开始移动,所以成为空穴导电。理解了这些我们就明白了,P型材料是价带中电子导电,等效于空穴导电,N型材料是导带中电子导电,也就是电子导电。以上就是半导体空穴导电的一些工作原理,需要工程师深入了解,才能少走弯路。

    时间:2020-03-26 关键词: 半导体 导电 空穴

  • 智能LED照明方案解析

    智能LED照明方案解析

    在科技高度发展的今天,电子产品的更新换代越来越快,LED灯的技术也在不断发展,为我们的城市装饰得五颜六色。推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出互联照明平台,充分利用公司在以太网供电(PoE)和超低功耗低功耗蓝牙联接及AC-DC和DC-DC电源转换设计的专知。 这原型平台使工程团队能对互联照明领域进行探索和创新,使照明设备成为物联网(IoT)的一部分。此互联照明平台含多种联接形式用于LED控制,包括由RSL10 SIP提供的可靠低功耗蓝牙和以太网供电。它提供高达90瓦的输出功率,并提供两个独立的通道,每个通道都可提供和控制多达16个LED。这高能效的模块化平台结合采用能量采集蓝牙低功耗开关,还可以开发免电池的LED照明应用。 全面的软件工具支援互联照明平台,包括一个集成的开发环境(IDE)、各种用例和移动应用程序。若使用RSL10 Sense and Control应用程序(适用于iOS®和Google Play™)或Web客户端,此平台能以无线控制LED。安装该应用程序后,使用RSL10 FOTA应用程序(iOS®,Google Play™)的固件更新可易于发送。 安森美半导体除该平台外,还开发了PoE模块用于大功率有线连接。该模块基于符合IEEE 802.3bt的NCP1096接口控制器,扩展平台提供近90 W功率,现在可由以太网电缆传输。 安森美半导体IoT策略主管Wiren Perera在推出互联照明平台时说:“照明是全球最显著的能源消耗之一。我们的互联照明平台结合灵活性、无线控制和高能效,使制造商可以大幅降低能耗,同时为用户提供更大的便利。”做到在LED显示屏产品上符合高可靠的要求,生产厂家还需要发更多时间,更多精力去往这方面发展,我相信,未来的LED显示屏行业技术将越来越精湛,发展将无可限量.

    时间:2020-03-27 关键词: 半导体 LED 智能

  • 美新半导体传感器项目在天津落地

    美新半导体传感器项目在天津落地

    近段时间,据媒体报道,全球第二大MEMS厂商美新半导体正式完成了两大协议的签约。这两大协议分别是:传感器项目落地协议和杭叉集团框架协议。其传感器项目将在天津落地。 美新半导体(MEMSIC)是全球领先的MEMS和传感技术解决方案供应商,于1999年成立,目前总部位于中国天津,在美国Andover、硅谷和中国无锡设有研发机构,在中国无锡拥有制造和封测工厂。 据美新官方介绍,美新于2007在NASDAQ上市,是全球第一家MEMS 上市公司;2013年完成私有化,并在2017年底并入中国上市公司华灿光电;2019年12月底,正式从华灿光电独立,在天津成立美新半导体(天津)有限公司。 美新作为少数实现高端MEMS器件及系统产品大规模产业化生产的公司之一,已在MEMS传感器领域积累了深厚的技术和经验,并致力于在霍尔传感器、麦克风等MEMS传感器领域不断扩充和丰富产品线。 据科创新吴消息,2002年,美新半导体整体搬迁至无锡高新区。目前,美新半导体在国内的磁传感器市场占比30%左右,加速度传感器约占25%。美新的MEMS单片集成技术、无线传感网络及惯性导航系统技术都处于世界领先水平。

    时间:2020-03-27 关键词: 网络 半导体 传感器

  • Rds(on)开关随温度变化概述

    Rds(on)开关随温度变化概述

    现在的电子元气见越来越高效,直接比较为半导体技术提供的总体性能数据有时可能会产生误导。像Rds(on)这样的参数在动态条件下(如温度)的可变性揭示了这个故事更加复杂。 我们生活在一个世界里,在这个世界里,一切事物都在四维空间里相对地、持续地运动着。支持弦理论的物理学家可能会扩展这一理论,表明我们可能同时存在于至少10个维度中,如果包括时间的话,可能存在于11个维度中。然而,从工程师的角度来看,尤其是在评估半导体时,关注的维度是时间;设备如何在动态电气条件和外部影响下工作,如工作温度的变化。 数据表提到的主要性能数据通常是针对“典型”温度给出的,通常在脚注中定义,且总是25°C。尽管这几乎是不现实的,尤其是对于功率半导体而言,但这种做法是整个行业的标准做法。不过,它至少可以在竞争对手的设备之间进行初步比较。其他有用的优点(FoMs)结合了在实际应用中很重要的特点。一个例子是RdsA,它是晶体管上(或漏源)电阻(Rds)和模具面积(A)的乘积。一个很低的Rds对于传导损耗来说是很好的,但是如果这是以很大的模具面积为代价的话,器件的电容就会变高,开关损耗就会增加。一个相关的FoM是Rds*Eoss,是Rds和转换过程中能量损失的乘积。 Rds(on)和Eoss的值可以在设备数据表中找到,或者至少可以从设备数据表中找到,但是这个额外的温度维度确实应该被考虑进去。例如,650V UnitedSiC UF3C065040B3 SiC cascode器件的Rds(on)最大值为52毫欧姆(42个典型值),可以与同一d2pak3 l包中的650V Si-Superjunction MOSFET进行比较,该包的Rds(on)最大值为45毫欧姆(40个典型值)。乍一看,SJ器件似乎更好,特别是在25°C时其最大漏电流为46A(相比之下,SiC FET仅为41A)。但是在150°C时,SJ器件的Rds(on)数字通常是96毫欧姆,而SiC FET部分大约是67毫欧姆,而在175°C时通常只有78毫欧姆(图1)。 很明显,在更高的温度下,当功率元件真正工作时,SiC FET器件的性能要优于SJ MOSFET。这不仅仅是器件评级方式的一个怪癖,这是硅和碳化硅场效应晶体管材料之间的固有区别;在掺杂水平上——碳化硅场效应晶体管的掺杂水平通常高10-100倍——电子迁移率下降的速度随温度而加剧。 这里的关键点是,表面上相似的部件在更高的温度下会表现出很大的不同,SiC FET器件的导电损耗更低,这意味着它在150°C下比SJ部件耗散的功率少了30%。实际上,应用程序将定义当前级别,而不是开关中消耗的功率。这意味着,对于给定的电流,SiC fet的表现可能比Si更好,因为SiC的热阻比Si低,所以温度更低。较低的开关损耗和碳化硅场效应晶体管的体二极管损耗也降低了整体封装损耗,使得相对结温升更低,相对Rds(on)值更低。考虑到碳化硅场效应晶体管器件的门极费用较低,再加上相应的节能措施,例如采用更小的缓冲器,好处就会大大增加。 在选择半导体开关时,应该仔细研究数据表规范的细节,特别是像Rds(on)这样的关键参数是如何随温度变化的。这些额外的尺寸是他们在现实生活中操作的地方,可能会有一些惊喜等着工程师考虑碳化硅的选择。以上就是Rds(on)开关如何随温度变化的解析,希望对大家有所帮助。 我们生活在一个世界里,在这个世界里,一切事物都在四维空间里相对地、持续地运动着。支持弦理论的物理学家可能会扩展这一理论,表明我们可能同时存在于至少10个维度中,如果包括时间的话,可能存在于11个维度中。然而,从工程师的角度来看,尤其是在评估半导体时,关注的维度是时间;设备如何在动态电气条件和外部影响下工作,如工作温度的变化。 数据表提到的主要性能数据通常是针对“典型”温度给出的,通常在脚注中定义,且总是25°C。尽管这几乎是不现实的,尤其是对于功率半导体而言,但这种做法是整个行业的标准做法。不过,它至少可以在竞争对手的设备之间进行初步比较。其他有用的优点(FoMs)结合了在实际应用中很重要的特点。一个例子是RdsA,它是晶体管上(或漏源)电阻(Rds)和模具面积(A)的乘积。一个很低的Rds对于传导损耗来说是很好的,但是如果这是以很大的模具面积为代价的话,器件的电容就会变高,开关损耗就会增加。一个相关的FoM是Rds*Eoss,是Rds和转换过程中能量损失的乘积。 Rds(on)和Eoss的值可以在设备数据表中找到,或者至少可以从设备数据表中找到,但是这个额外的温度维度确实应该被考虑进去。例如,650V UnitedSiC UF3C065040B3 SiC cascode器件的Rds(on)最大值为52毫欧姆(42个典型值),可以与同一d2pak3 l包中的650V Si-Superjunction MOSFET进行比较,该包的Rds(on)最大值为45毫欧姆(40个典型值)。乍一看,SJ器件似乎更好,特别是在25°C时其最大漏电流为46A(相比之下,SiC FET仅为41A)。但是在150°C时,SJ器件的Rds(on)数字通常是96毫欧姆,而SiC FET部分大约是67毫欧姆,而在175°C时通常只有78毫欧姆(图1)。 很明显,在更高的温度下,当功率元件真正工作时,SiC FET器件的性能要优于SJ MOSFET。这不仅仅是器件评级方式的一个怪癖,这是硅和碳化硅场效应晶体管材料之间的固有区别;在掺杂水平上——碳化硅场效应晶体管的掺杂水平通常高10-100倍——电子迁移率下降的速度随温度而加剧。 这里的关键点是,表面上相似的部件在更高的温度下会表现出很大的不同,SiC FET器件的导电损耗更低,这意味着它在150°C下比SJ部件耗散的功率少了30%。实际上,应用程序将定义当前级别,而不是开关中消耗的功率。这意味着,对于给定的电流,SiC fet的表现可能比Si更好,因为SiC的热阻比Si低,所以温度更低。较低的开关损耗和碳化硅场效应晶体管的体二极管损耗也降低了整体封装损耗,使得相对结温升更低,相对Rds(on)值更低。考虑到碳化硅场效应晶体管器件的门极费用较低,再加上相应的节能措施,例如采用更小的缓冲器,好处就会大大增加。 在选择半导体开关时,应该仔细研究数据表规范的细节,特别是像Rds(on)这样的关键参数是如何随温度变化的。这些额外的尺寸是他们在现实生活中操作的地方,可能会有一些惊喜等着工程师考虑碳化硅的选择。以上就是Rds(on)开关如何随温度变化的解析,希望对大家有所帮助。

    时间:2020-03-27 关键词: 半导体 晶体管 eoss

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