在过去的二十年中,研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了实验,这些材料显示出巨大的潜力来替代射频,发光,传感器和功率半导体应用中的现有硅材料技术。在新世纪即将来临之际,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)达到了足够的成熟度并获得了足够的吸引力,从而抛弃了其他潜在的替代方法,并得到了全球工业制造商的足够关注。
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