深度感知是现实机器视觉应用中不可或缺的关键功能。安森美(onsemi)的Hyperlux ID间接飞行时间(iToF)深度传感器，凭借更少、更小、更简单的器件，即可实现高精度深度感知。
EliteSiC技术助力上能电气提升其高功率储能与光伏逆变器解决方案的能效、功率密度和长期可靠性
电动汽车(EV)、可再生能源系统和人工智能(AI)数据中心等领域电气化进程的持续提速，正不断给电源系统带来更大压力，对电源系统的效率、小型化及低温运行能力提出了更高要求。这构成了一个长期存在的难题：功率密度的提升与系统尺寸的缩减往往会造成严重的散热瓶颈。
安森美(onsemi)为强化其先进封装的电源产品组合，推出了两款面向汽车与工业高压(HV)应用的顶部散热封装——T2PAK和BPAK。这两款封装专为应对严苛工况而设计，与通过印刷电路板(PCB)散热的传统底部散热封装(如D2PAK和TOLL)不同，T2PAK与BPAK采用顶部散热结构，通过直接接触外部散热器实现高效热传导，显著提升散热性能。
面向半导体高压中间母线转换器应用的横向GaN HEMT、SiC MOSFET与SiC Cascode JFET的对比
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势，成为许多高功率应用的理想选择，至今仍适配多种应用场景。
此次合作拓展了安森美功率产品组合，涵盖面向AI数据中心、汽车、航空航天及其他关键市场的高性能650V横向氮化镓(GaN)解决方案。
20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下，低能耗、高可靠性、小占地面积已成为 UPS 的新发展方向。
断路器是一种用于保护电路免受过电流、过载及短路损坏的器件。机电式断路器 (EMB) 作为业界公认的标准器件，包含两个独立触发装置：一个是双金属片，响应速度较慢，由过电流触发跳闸；另一个则是电磁装置，响应速度较快，由短路触发启动。EMB 拥有设定好的跳闸电流（通常为固定值），具备瞬时跳闸（电磁触发）和延时跳闸（热触发/双金属片触发）两种特性，可稳妥可靠地应对短路与过载情况。
顶部冷却(Top-cool)封装为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统带来卓越的散热性能、可靠性及设计灵活性
此次合作将建立高产能、成本优化的全球 GaN 制造体系，加速高能效功率器件的市场部署
本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。
安森美(onsemi,纳斯达克股票代码：ON)正推动颠覆性创新，帮助建设更美好的未来。公司专 注于汽车和工业终端市场，正加速推动大趋势的变革，包括汽车功能电子化和安全、可持续能源 网、工业自动化以及5G和云基础设施等。安森美以高度差异化的创新产品组合，创造智能电源 和感知技术，解决世界上最复杂的挑战，并引领创建一个更安全、更清洁、更智能的世界。了解 更多请访问：http://www.onsemi.cn。
